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    重庆时时彩qq群诈骗: 具有提升辐射抗扰度的集成电路.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201380060831.1

    申请日:

    2013.11.25

    公开号:

    CN104885220A

    公开日:

    2015.09.02

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20131125|||公开
    IPC分类号: H01L27/02; H01L27/11; G11C11/412 主分类号: H01L27/02
    申请人: 吉林克斯公司
    发明人: 普拉佛·贾恩; 詹姆士·卡普; 麦克·J·哈特
    地址: 美国加利福尼亚州
    优先权: 13/686,553 2012.11.27 US
    专利代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静; 安利霞
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201380060831.1

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.09.08|||2015.11.25|||2015.09.02

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    描述具有提升辐射抗扰度的集成电路。所述集成电路包括衬底;形成于所述衬底上且具有存储器单元的N型晶体管的P阱;及形成于所述衬底上且具有所述存储器单元的P型晶体管的N阱;其中所述N阱具有用于容纳所述P型晶体管的最小尺寸。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种具有提升辐射抗扰度的集成电路,所述集成电路包括:
    衬底;
    形成于所述衬底上且具有存储器单元的具有冗余节点的N型晶体管的P阱;及
    形成于所述衬底上且具有所述存储器单元的P型晶体管的N阱;
    其中与第一对节点相关联的N型晶体管由与第二对节点相关联的N型晶体管分离。

    2.  根据权利要求1所述的集成电路,其进一步包括在所述N阱的第一侧上的第一P抽头及在所述N阱的第二侧上的第二P抽头。

    3.  根据权利要求2所述的集成电路,其中所述存储器单元为12晶体管存储器单元,且包括在所述N阱的所述第一侧上及在所述N阱的所述第二侧上的N型晶体管,所述集成电路进一步包括与所述N阱的所述第一侧上的晶体管相关联的第一字线接点及与所述N阱的所述第二侧上的N型晶体管相关联的第二字线接点。

    4.  根据权利要求1到3中任一权利要求所述的集成电路,其中所述P型晶体管经定位于所述N阱内以最大化与第一对冗余节点相关联的晶体管之间的距离。

    5.  根据权利要求1到4中任一权利要求所述的集成电路,其中所述N阱具有用于容纳所述P型晶体管的最小尺寸。

    6.  根据权利要求5所述的集成电路,其中通过提供具有最小尺寸的N阱来增加所述存储器单元的总大小。

    7.  一种形成具有提升辐射抗扰度的集成电路的方法,所述方法包括:
    提供衬底;
    在所述衬底上形成P阱,所述P阱具有存储器单元的N型晶体管;及
    在所述衬底上形成N阱,所述N阱具有所述存储器单元的P型晶体管;
    其中与第一对节点相关联的N型晶体管由与第二对节点相关联的N型晶体管分离。

    8.  根据权利要求7所述的方法,其进一步包括在所述N阱之外形成所述存储器单元的元件,所述元件不需要在由所述N阱定义的区域内。

    9.  根据权利要求7或权利要求8所述的方法,其中形成所述存储器单元的所述N阱及所述P阱包括在所述N阱与所述P阱中的所述N型晶体管之间形成具有P抽头的6晶体管存储器单元。

    10.  根据权利要求7到9中任一权利要求所述的方法,其进一步包括在由所述N阱定义的所述区域之外形成电力迹线。

    11.  根据权利要求7到10中任一权利要求所述的方法,其中形成所述存储器单元的所述N阱及P阱包括形成12晶体管存储器单元,所述12晶体管存储器单元包括在所述N阱的第一侧上的第一P抽头及在所述N阱的与所述N阱的所述第一侧相反的第二侧上的第二P抽头。

    12.  根据权利要求11所述的方法,其中形成所述12晶体管存储器单元包括形成在所述N阱的所述第一侧上及在所述N阱的所述第二侧上的N型晶体管,且所述方法进一步包括形成在所述N阱的所述第一侧上的第一字线接点及在所述N阱的所述第二侧上的第二字线接点。

    13.  根据权利要求11或权利要求12所述的方法,其进一步包括形成定位于由所述N阱定义的所述区域之外的电力迹线。

    14.  一种具有提升辐射抗扰度的集成电路,所述集成电路包括:
    衬底;
    形成于所述衬底上且具有存储器单元的N型晶体管的P阱;及
    形成于所述衬底上且具有所述存储器单元的P型晶体管的N阱;
    其中所述N阱具有用于容纳所述P型晶体管的最小尺寸。

    15.  根据权利要求14所述的集成电路,其中电力迹线定位于由所述N阱定义的区域之外。

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    具有 提升 辐射 抗扰度 集成电路
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