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    重庆时时彩将输改赢: 一种薄膜生长的自校准实时测温装置.pdf

    关 键 词:
    一种 薄膜 生长 校准 实时 测温 装置
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    摘要
    申请专利号:

    CN201310654540.7

    申请日:

    2013.12.06

    公开号:

    CN104697636A

    公开日:

    2015.06.10

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||著录事项变更IPC(主分类):G01J 5/00变更事项:申请人变更前:北京智朗芯光科技有限公司变更后:北京智朗芯光科技有限公司变更事项:地址变更前:100191 北京市海淀区知春路27号量子芯座402室变更后:102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室|||著录事项变更IPC(主分类):G01J 5/00变更事项:发明人变更前:李成敏 严冬 王林梓 刘健鹏 焦宏达 张塘 马小超变更后:马铁中 严冬 王林梓 刘健鹏 焦宏达|||实质审查的生效IPC(主分类):G01J 5/00申请日:20131206|||公开
    IPC分类号: G01J5/00; G01J5/08 主分类号: G01J5/00
    申请人: 北京智朗芯光科技有限公司
    发明人: 李成敏; 严冬; 王林梓; 刘健鹏; 焦宏达; 张塘; 马小超
    地址: 100191北京市海淀区知春路27号量子芯座402室
    优先权:
    专利代理机构: 北京华沛德权律师事务所11302 代理人: 刘杰
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310654540.7

    授权公告号:

    ||||||||||||

    法律状态公告日:

    2018.05.01|||2016.10.05|||2016.10.05|||2015.07.08|||2015.06.10

    法律状态类型:

    授权|||著录事项变更|||著录事项变更|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置,属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元,实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值;校准系数计算单元根据实际热辐射比值,在理论热辐射比值-温度曲线上与实际热辐射比值对应的点,并将该点对应的温度T的值代入公式,分别得到校准系数m1和m2。该装置能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2,从而实现了薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准,能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种薄膜生长的自校准实时测温装置,其特征在于,包括实际热辐射比 值获取单元和校准系数计算单元,黑体炉响应光谱测量???,理论热辐射比值- 温度曲线生成单元,所述理论热辐射比值-温度曲线生成单元包括理论热辐射功 率比值计算???、温度的理论值计算??楹屠砺廴确浔戎?温度曲线拟合???;
    所述实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值;
    所述黑体炉响应光谱测量??橛糜诓饬坎煌露认潞谔迓南嘤馄?P(λ,T);
    所述理论热辐射功率比值计算??楦?
    P 0 ( λ 1 , T ) = ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    P 0 ( λ 2 , T ) = ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    计算第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的理论热辐射功率比值r0(T);
    r 0 ( T ) = P 0 ( λ 1 , T ) P 0 ( λ 2 , T ) = ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    其中,
    P0(λ1,T),第一种波长λ1对应的热辐射功率,
    λ1,第一种波长,
    Δλ1,第一种波长λ1对应的带宽,
    f1(λ),光学探测器在第一种波长λ1下的响应函数,
    g1(λ),第一种波长λ1对应的辐射光在光学器件的透过率,
    P(λ,T),黑体炉响应光谱,
    τ(T),光谱传输曲线的表达式,
    P0(λ2,T),第二种波长λ2对应的热辐射功率,
    λ2,第二种波长,
    Δλ2,第二种波长λ2对应的带宽,
    f2(λ),光学探测器在第二种波长λ2下的响应函数,
    g2(λ),第二种波长λ2对应的辐射光在光学器件的透过率,
    T,温度;
    r0(T),第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的理论热辐射功率比值;
    所述温度的理论值计算??橛伤龅谝恢植ǔう?和第二种波长λ2分别对 应的理论热辐射功率比值r0(T)得到温度的理论值;
    所述理论热辐射比值-温度曲线拟合??槎运鑫露鹊睦砺壑到凶钚《?拟合,得到理论热辐射比值-温度曲线;
    所述校准系数计算单元根据所述实际热辐射比值,在理论热辐射比值-温度 曲线上描出与所述实际热辐射比值对应的点,并将所述点对应的温度T的值代 入
    L ( λ 1 , T ) = m 1 × ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    L ( λ 2 , T ) = m 2 × ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    分别得到校准系数m1和m2;
    其中,
    L(λ1,T),第一种波长λ1对应的实际热辐射功率,
    L(λ2,T),第二种波长λ2对应的实际热辐射功率,
    m1,第一种波长λ1对应的校准系数,
    m2,第二种波长λ2对应的校准系数,
    f1(λ),光学探测器在第一种波长λ1下的响应函数,
    g1(λ),第一种波长λ1对应的辐射光在光学器件的透过率,
    f2(λ),光学探测器在第二种波长λ2下的响应函数,
    g2(λ),第二种波长λ2对应的辐射光在光学器件的透过率,
    T,温度;
    λ1,第一种波长,
    Δλ1,第一种波长λ1对应的带宽,
    λ2,第二种波长,
    Δλ2,第二种波长λ2对应的带宽,
    k,玻尔兹曼常数,k=1.3806×10-23J/K,
    h为普照朗克常数,h=6.626×10-34J·s,
    c,光在真空中传播速度,c=3×108m/s。

    2.  根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述理论热辐射比值-温度曲 线拟合??橥ü钚《朔ǖ玫剿鋈确浔戎?温度曲线时,参与拟合的热辐 射比值以及对应的温度T数据为多个,分别是反应腔温度稳定在T1,T2,…, Tn时获得。

    3.  根据权利要求2所述的装置,其特征在于,还包括黑体炉加热系统温度 设定???,所述黑体炉加热系统温度设定??橛糜诙运龊谔迓尤认低成瓒?温度,使所述反应腔温度稳定在T1,T2,…,Tn。

    4.  根据权利要求2或3所述的装置,其特征在于,所述测温范围为 (Tmin,Tmax)为(400℃,1500℃),所述第一种波长λ1对应高温度区间 (Tup,Tmax),所述第二种波长λ2对应低温度区间(Tmin,Tdown),其中,Tmin<Tdown<Tup<Tmax。

    5.  根据权利要求4所述的装置,其特征在于,(Tmin,Tmax)为(450℃, 1200℃),Tup=750℃,Tdown=800℃,λ1=940nm,λ2=1050nm。

    6.  根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述实际热辐射比值获取单 元包括实际热辐射比值计算???,所述实际热辐射比值计算??楦?
    r ( T ) = L ( λ 1 , T ) / ϵ 1 L ( λ 2 , T ) / ϵ 2 ]]>
    其中,
    L(λ1,T),第一种波长λ1对应的实际热辐射功率,
    L(λ2,T),第二种波长λ2对应的实际热辐射功率,
    λ1,第一种波长,
    λ2,第二种波长,
    ε1,第一种波长λ1对应的外延片片表面的发射率,
    ε2,第二种波长λ2对应的外延片片表面的发射率
    T,温度。

    7.  根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括外延片表面发射率选 择???,所述外延片表面发射率用于对外延片表面发射率的生成方法进行选择;
    当外延片为理想不透明、光滑、平整的表面时,所述外延片表面发射率选 择??楦荭?1-R/ΔTR得到外延片表面发射率;
    其中,
    ε,外延片表面的发射率,
    R,外延片的反射率,
    ΔTR,反射率衰减因子,
    当透明、单面衬底抛光的蓝宝石衬底的外延片时,所述外延片表面发射率 选择??楦牛溅與arr(1-R/ΔTR)(1-Rdiff){1+R/ΔTR*Rdiff+(1-εcarr)[(Rdiff+R/ΔTR(1-Rdiff)2)]} 得到外延片表面发射率;
    其中,
    ε,外延片表面的发射率,
    Rdiff,不平滑衬底的散射率,
    εcarr,石墨基座的热发射率,
    ΔTR,反射率衰减因子。

    8.  根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括反应腔室温度设定模 块,计算所述实际热辐射比值时,所述反应腔室温度设定??橛糜诙运龇从?腔室设定温度T。

    9.  根据权利要求8所述的装置,所述反应腔室可以为MOCVD、MBE或者 PECVD。

    说明书

    说明书一种薄膜生长的自校准实时测温装置
    技术领域
    本发明涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种薄膜生长的自校准实时 测温装置。
    背景技术
    外延片生长温度是薄膜生长反应腔生产性能控制的关键参数。由于薄膜生 长反应腔的反应条件严格,需要高真空、高温、化学性质活泼的生长环境,高 速旋转的衬底,以及严格的设备空间布置,采用热电偶等直接测温的技术几乎 是不可能的,因此,必须依赖于非接触测温法对外延片生长温度进行测量。现 有技术中应用的非接触测温法是采用经过热辐射系数修正的高温测量方法,通 过测量一定波段的辐射光和相应外延片片表面的发射率计算外延片片表面的温 度。然而,在外延片片生长过程中,测温系统的安装及外界环境会影响其测温 的稳定性,影响因素主要包括:a)反应腔窗口上的淀积的影响;b)测温系统 安装位置对探测距离变化、光学探测器立体角变化的影响;c)外延片片生长环 境如通气气压、石墨盘旋转变换的影响。这些影响会改变测温系统检测到的信 号,引起系统性的温度偏离,导致外延片生长温度测量无法保证一致而又精确。
    发明内容
    为了解决上述问题,本发明提供了一种采用双波长测温结构的薄膜生长反 应腔室设备实时测温系统自校准装置。
    本发明提供的薄膜生长的自校准实时测温装置包括实际热辐射比值获取单 元和校准系数计算单元,黑体炉响应光谱测量???,理论热辐射比值-温度曲线 生成单元,所述理论热辐射比值-温度曲线生成单元包括理论热辐射功率比值计 算???、温度的理论值计算??楹屠砺廴确浔戎?温度曲线拟合???;
    所述实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值;
    所述黑体炉响应光谱测量??橛糜诓饬坎煌露认潞谔迓南嘤馄?P(λ,T);
    所述理论热辐射功率比值计算??楦?
    P 0 ( λ 1 , T ) = ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    P 0 ( λ 2 , T ) = ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    计算第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的理论热辐射功率比值r0(T);
    r 0 ( T ) = P 0 ( λ 1 , T ) P 0 ( λ 2 , T ) = ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    其中,
    P0(λ1,T),第一种波长λ1对应的热辐射功率,
    λ1,第一种波长,
    Δλ1,第一种波长λ1对应的带宽,
    f1(λ),光学探测器在第一种波长λ1下的响应函数,
    g1(λ),第一种波长λ1对应的辐射光在光学器件的透过率,
    P(λ,T),黑体炉响应光谱,
    τ(T),光谱传输曲线的表达式,
    P0(λ2,T),第二种波长λ2对应的热辐射功率,
    λ2,第二种波长,
    Δλ2,第二种波长λ2对应的带宽,
    f2(λ),光学探测器在第二种波长λ2下的响应函数,
    g2(λ),第二种波长λ2对应的辐射光在光学器件的透过率,
    T,温度;
    r0(T),第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的理论热辐射功率比值;
    所述温度的理论值计算??橛伤龅谝恢植ǔう?和第二种波长λ2分别对 应的理论热辐射功率比值r0(T)得到温度的理论值;
    所述理论热辐射比值-温度曲线拟合??槎运鑫露鹊睦砺壑到凶钚《?拟合,得到理论热辐射比值-温度曲线;
    所述校准系数计算单元根据所述实际热辐射比值,在理论热辐射比值-温度 曲线上描出与所述实际热辐射比值对应的点,并将所述点对应的温度T的值代 入
    L ( λ 1 , T ) = m 1 × ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    L ( λ 2 , T ) = m 2 × ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    分别得到校准系数m1和m2;
    其中,
    L(λ1,T),第一种波长λ1对应的实际热辐射功率,
    L(λ2,T),第二种波长λ2对应的实际热辐射功率,
    m1,第一种波长λ1对应的校准系数,
    m2,第二种波长λ2对应的校准系数,
    f1(λ),光学探测器在第一种波长λ1下的响应函数,
    g1(λ),第一种波长λ1对应的辐射光在光学器件的透过率,
    f2(λ),光学探测器在第二种波长λ2下的响应函数,
    g2(λ),第二种波长λ2对应的辐射光在光学器件的透过率,
    T,温度;
    λ1,第一种波长,
    Δλ1,第一种波长λ1对应的带宽,
    λ2,第二种波长,
    Δλ2,第二种波长λ2对应的带宽,
    k,玻尔兹曼常数,k=1.3806×10-23J/K,
    h为普照朗克常数,h=6.626×10-34J·s,
    c,光在真空中传播速度,c=3×108m/s。
    本发明提供的薄膜生长的自校准实时测温装置能够得到双波长测温结构中 第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2,从而实现了薄膜 生长反应腔室设备实时测温系统自校准,能够保证外延片生长温度测量一致而 又精确。
    附图说明
    图1为本发明实施例一提供的薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准 装置的信号关系示意图;
    图2为本发明实施例一提供的薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准 装置的理论热辐射比值-温度曲线示意图;
    图3为本发明实施例二提供的薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准 装置的信号关系示意图。
    具体实施方式
    为了深入了解本发明,下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。
    实施例一
    参见附图1,本发明提供的薄膜生长的自校准实时测温装置包括实际热辐射 比值获取单元和校准系数计算单元,
    实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值;
    校准系数计算单元根据实际热辐射比值,在附图2所示的理论热辐射比值- 温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点,并将该点对应的温度T的值代入
    L ( λ 1 , T ) = m 1 × ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    L ( λ 2 , T ) = m 2 × ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    分别得到校准系数m1和m2;实际热辐射比值是附图2所示的理论热辐射比值- 温度曲线的纵坐标,由该纵坐标可以直接在该曲线上描出一个点,该点对应的 横坐标即为该点对应的温度T的值。
    其中,
    L(λ1,T),第一种波长λ1对应的实际热辐射功率,
    L(λ2,T),第二种波长λ2对应的实际热辐射功率,
    m1,第一种波长λ1对应的校准系数,
    m2,第二种波长λ2对应的校准系数,
    f1(λ),光学探测器在第一种波长λ1下的响应函数,
    g1(λ),第一种波长λ1对应的辐射光在光学器件的透过率,
    f2(λ),光学探测器在第二种波长λ2下的响应函数,
    g2(λ),第二种波长λ2对应的辐射光在光学器件的透过率,
    T,温度;
    λ1,第一种波长,
    Δλ1,第一种波长λ1对应的带宽,
    λ2,第二种波长,
    Δλ2,第二种波长λ2对应的带宽,
    k,玻尔兹曼常数,k=1.3806×10-23J/K,
    h为普照朗克常数,h=6.626×10-34J·s,
    c,光在真空中传播速度,c=3×108m/s。
    当外延片为理想不透明、光滑、平整的表面时,
    ε=1-R/ΔTR
    其中,
    R,外延片的反射率,
    ΔTR,反射率衰减因子,
    当外延片为透明、单面衬底抛光的蓝宝石衬底时,
    ε=εcarr(1-R/ΔTR)(1-Rdiff){1+R/ΔTR*Rdiff+(1-εcarr)[(Rdiff+R/ΔTR(1-Rdiff)2)]}
    其中,
    Rdiff,不平滑衬底的散射率,
    εcarr,石墨基座的热发射率,
    ΔTR,反射率衰减因子。
    本发明提供的薄膜生长的自校准实时测温装置能够得到双波长测温结构中 第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2,从而实现了薄膜 生长反应腔室设备实时测温装置自校准,能够保证外延片生长温度测量一致而 又精确。
    实施例二
    本发明实施例二提供的薄膜生长的自校准实时测温装置是本发明实施例一 提供的薄膜生长反的自校准实时测温装置的一种具体的实现方式,参见附图3, 包括黑体炉加热系统温度设定???、黑体炉响应光谱测量???、理论热辐射功 率比值计算???、温度的理论值计算???、理论热辐射比值-温度曲线拟合???、 外延片表面发射率选择???、薄膜生长反应腔室反应腔室温度设定???、实际 热辐射比值计算??楹托W枷凳扑愕ピ?。
    黑体炉响应光谱测量??橛糜诓饬坎煌露认潞谔迓南煊馄?。
    黑体炉加热系统温度设定??橛糜诙院谔迓尤认低成瓒ㄎ露?,使反应腔 温度分别处于T1,T2,…,Tn。
    黑体炉加热系统温度设定??橛糜诙院谔迓尤认低成瓒ㄎ露?,使反应腔 温度稳定在T1,T2,…,Tn。其中,测温范围为(Tmin,Tmax)为(400℃,1500℃), 第一种波长λ1对应高温度区间(Tup,Tmax),第二种波长λ2对应低温度区间 (Tmin,Tdown),其中,Tmin<Tdown<Tup<Tmax;优选地,(Tmin,Tmax)为(450℃, 1200℃),(Tup,)=750℃,Tdown=800℃,λ1=940nm,λ2=1050nm。
    理论热辐射比值-温度曲线拟合??橥ü钚《朔ǖ玫饺确浔戎?温度 曲线时,参与拟合的热辐射比值以及对应的温度T数据为多个,分别是反应腔 温度稳定在T1,T2,…,Tn时获得。
    理论热辐射功率比值计算??楦?
    P 0 ( λ 1 , T ) = ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    P 0 ( λ 2 , T ) = ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    计算第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的理论热辐射功率比值r0(T);
    r 0 ( T ) = P 0 ( λ 1 , T ) P 0 ( λ 2 , T ) = ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) P ( λ , T ) / τ ( T ) ]]>
    其中,
    P0(λ1,T),第一种波长λ1对应的热辐射功率,
    λ1,第一种波长,
    Δλ1,第一种波长λ1对应的带宽,
    f1(λ),光学探测器在第一种波长λ1下的响应函数,
    g1(λ),第一种波长λ1对应的辐射光在光学器件的透过率,
    P(λ,T),黑体炉的响应光谱,
    τ(T),光谱传输曲线的表达式,
    P0(λ2,T),第二种波长λ2对应的热辐射功率,
    λ2,第二种波长,
    Δλ2,第二种波长λ2对应的带宽,
    f2(λ),光学探测器在第二种波长λ2下的响应函数,
    g2(λ),第二种波长λ2对应的辐射光在光学器件的透过率,
    T,温度;
    r0(T),第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的理论热辐射功率比值。
    温度的理论值计算??橛傻谝恢植ǔう?和第二种波长λ2分别对应的理论 热辐射功率比值r0(T)得到温度的理论值。
    外延片表面发射率用于对外延片表面发射率的生成方法进行选择。
    当外延片为理想不透明、光滑、平整的表面时,外延片表面发射率选择模 块根据ε=1-R/ΔTR得到外延片表面发射率;
    其中,
    ε,外延片表面的发射率,
    R,外延片的反射率,
    ΔTR,反射率衰减因子,
    当外延片为透明、单面衬底抛光的蓝宝石衬底时,外延片表面发射率选择 ??楦牛溅與arr(1-R/ΔTR)(1-Rdiff){1+R/ΔTR*Rdiff+(1-εcarr)[(Rdiff+R/ΔTR(1-Rdiff)2)]}得到 外延片表面发射率;
    其中,
    ε,外延片表面的发射率,
    Rdiff,不平滑衬底的散射率,
    εcarr,石墨基座的热发射率,
    ΔTR,反射率衰减因子。
    薄膜生长反应腔室反应腔室温度设定??橛糜诙员∧どし从η皇疑瓒ㄎ?度T。
    实际热辐射比值计算??楦?
    r ( T ) = L ( λ 1 , T ) / ϵ 1 L ( λ 2 , T ) / ϵ 2 ]]>
    其中,
    L(λ1,T),第一种波长λ1对应的实际热辐射功率,
    L(λ2,T),第二种波长λ2对应的实际热辐射功率,
    λ1,第一种波长,
    λ2,第二种波长,
    ε1,第一种波长λ1对应的外延片片表面的发射率,
    ε2,第二种波长λ2对应的外延片片表面的发射率
    T,温度。
    校准系数计算单元根据实际热辐射比值,在理论热辐射比值-温度曲线上描 出相应的点,并将点对应的温度T’的值代入
    L 0 ( λ 1 , T ) = m 1 × ∫ λ 1 - Δλ 1 λ 1 + Δλ 1 f 1 ( λ ) g 1 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    L 0 ( λ 2 , T ) = m 2 × ∫ λ 2 - Δλ 2 λ 2 + Δλ 2 f 2 ( λ ) g 2 ( λ ) ϵ ( λ ) × 2 π hc 2 / λ 5 exp ( hc kTλ ) - 1 ]]>
    分别得到校准系数m1和m2;
    其中,
    L(λ1,T),第一种波长λ1对应的实际热辐射功率,
    L(λ2,T),第二种波长λ2对应的实际热辐射功率,
    m1,第一种波长λ1对应的校准系数,
    m2,第二种波长λ2对应的校准系数,
    f1(λ),光学探测器在第一种波长λ1下的响应函数,
    g1(λ),第一种波长λ1对应的辐射光在光学器件的透过率,
    f2(λ),光学探测器在第二种波长λ2下的响应函数,
    g2(λ),第二种波长λ2对应的辐射光在光学器件的透过率,
    T,温度;
    λ1,第一种波长,
    Δλ1,第一种波长λ1对应的带宽,
    λ2,第二种波长,
    Δλ2,第二种波长λ2对应的带宽,
    k,玻尔兹曼常数,k=1.3806×10-23J/K,
    h为普照朗克常数,h=6.626×10-34J·s,
    c,光在真空中传播速度,c=3×108m/s。
    其中,反应腔可以为MOCVD、MBE(分子束外延)、PECVD(等离子体 增强化学汽相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition))等设备。从 而增强本发明提供的薄膜生长实时测温方法的适用性。
    以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了 进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已, 并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同 替换、改进等,均应包含在本发明的?;し段е?。

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    本文标题:一种薄膜生长的自校准实时测温装置.pdf
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