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    重庆时时彩开奖结果表格: 互补金属氧化物半导体X射线检测器.pdf

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    互补 金属 氧化物 半导体 射线 检测器
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    摘要
    申请专利号:

    CN201380042145.1

    申请日:

    2013.08.08

    公开号:

    CN104737033A

    公开日:

    2015.06.24

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G01T 1/24申请日:20130808|||公开
    IPC分类号: G01T1/24 主分类号: G01T1/24
    申请人: 通用电气公司
    发明人: J·Z·刘; D·E·巴克
    地址: 美国纽约州
    优先权: 13/569890 2012.08.08 US
    专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 姜冰; 姜甜
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201380042145.1

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2015.07.22|||2015.06.24

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    根据一个实施例,提供一种数字X射线检测器。该检测器包括闪烁体层,其配置成吸收从辐射源发射的辐射并且响应于吸收的辐射发出光量子。该检测器还包括互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪,其配置成吸收由闪烁体层发出的光量子。CMOS光成像仪包括第一表面和第二表面,并且第一表面与第二表面相对布置。闪烁体层接触CMOS光成像仪的第一表面。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种数字X射线检测器,包括:
    闪烁体层,配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于所吸收的辐 射而发出光量子;以及
    互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪,配置成吸收所述闪烁体 层发出的光量子,其中所述CMOS光成像仪包括第一表面和第二表面, 其中相对所述第二表面来布置所述第一表面,并且所述闪烁体层接触所 述CMOS光成像仪的所述第一表面。

    2.  根据权利要求1所述的数字X射线检测器,其中所述闪烁体层包 括碘化铯(CsI)。

    3.  根据权利要求1所述的数字X射线检测器,包括布置与所述 CMOS光成像仪相对的所述闪烁体层的表面上的反射层,其中所述反射 层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS光成像仪反射。

    4.  根据权利要求3所述的数字X射线检测器,包括具有第一盖表面 的第一检测器盖,所述第一盖表面布置与所述闪烁体层相对的所述反射 层的表面上。

    5.  根据权利要求4所述的数字X射线检测器,包括布置在所述第一 检测器盖的第一盖表面与所述反射层之间的第一水分阻挡层,其中所述 第一水分阻挡层阻挡水分与所述闪烁体层接触。

    6.  根据权利要求5所述的数字X射线检测器,包括具有第二盖表面 的第二检测器盖,所述第二盖表面布置在所述CMOS光成像仪的所述第 二表面上。

    7.  根据权利要求6所述的数字X射线检测器,其中所述第一或第二 检测器盖的一个或两个包括金属、金属合金、塑料、复合材料或它们的 组合。

    8.  根据权利要求6所述的数字X射线检测器,包括布置在所述第二 检测器盖的第二盖表面与所述CMOS光成像仪的第二表面之间的第二水 分阻挡层,其中第二水分阻挡层阻挡水分接触所述闪烁体层。

    9.  根据权利要求8所述的数字X射线检测器,其中所述第一和第二 检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器盖 层之间的填充材料。

    10.  根据权利要求1所述的数字X射线检测器,其中所述CMOS光 成像仪的所述第一表面包括光电检测器层。

    11.  一种数字X射线检测器,包括:
    闪烁体层,配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于所吸收的辐 射而发出光量子;
    互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪,具有光电检测器层,所 述光电检测器层配置成吸收由所述闪烁体层发出的光量子,其中所述闪 烁体层接触所述光电检测器层;以及
    反射层,布置在与所述CMOS光成像仪相对的所述闪烁体层的表面 上,其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS 光成像仪反射。

    12.  根据权利要求11所述的数字X射线检测器,其中所述闪烁体层 包括碘化铯(CsI)。

    13.  根据权利要求11所述的数字X射线检测器,包括具有第一盖表 面的第一检测器盖,所述第一盖表面布置在与所述闪烁体层相对的所述 反射层表面上。

    14.  根据权利要求13所述的数字X射线检测器,包括布置在所述第 一检测器盖的第一盖表面与所述反射层之间的第一水分阻挡层,其中所 述第一水分阻挡层阻挡水分与所述闪烁体层接触。

    15.  根据权利要求14所述的数字X射线检测器,包括具有第二盖表 面的第二检测器盖,所述第二盖表面布置在与所述光电检测器层相对的 所述CMOS光成像仪的表面上。

    16.  根据权利要求15所述的数字X射线检测器,包括布置在所述第 二检测器盖的第二盖表面以及与所述光电检测器层相对的所述CMOS光 成像仪的表面之间的第二水分阻挡层,其中所述第二水分阻挡层阻挡水 分接触所述闪烁体层。

    17.  根据权利要求16所述的数字X射线检测器,其中所述第一和第 二检测器盖的一个或两个包括多个检测器盖层和布置在所述多个检测器 盖层之间的填充材料。

    18.  一种用于装配数字X射线检测器的方法,包括:
    将闪烁体层沉积在互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪的光电 检测器层之上,其中所述闪烁体层接触所述CMOS光成像仪;以及
    将反射层沉积在与所述CMOS光成像仪相对的所述闪烁体层的表面 上,其中所述反射层配置成将所述闪烁体发出的光量子朝向所述CMOS 光成像仪反射。

    19.  根据权利要求18所述的方法,包括沉积具有表面的第一检测器 盖,其中所述第一检测器盖的所述表面布置在与所述闪烁体层相对的所 述反射层的表面上。

    20.  根据权利要求19所述的方法,包括沉积具有第二盖表面的第二 检测器盖,其中所述第二检测器盖的所述表面布置在与所述光电检测器 层相对的所述CMOS光成像仪的表面上。

    21.  根据权利要求20所述的方法,其中所述第一和第二检测器盖的 一个或两个包括金属、金属合金、塑料、复合材料或它们的组合。

    22.  根据权利要求20所述的方法,包括在所述第一检测器盖的第一 盖表面以及与所述闪烁体层相对的所述反射层之间沉积第一水分阻挡 层;并且在所述第二检测器盖的第二盖表面以及与所述光电检测器层相 对的所述CMOS光成像仪的表面之间沉积第二水分阻挡层。

    23.  根据权利要求22所述的方法,包括密封所述第一和第二检测器 盖之间的所述反射层、所述闪烁体层以及所述CMOS光成像仪。

    说明书

    说明书互补金属氧化物半导体X射线检测器
    背景技术
    本文中公开的主题一般涉及X射线成像系统,并且更具体地涉及用 于此类系统的X射线检测器。
    数字放射成像的使用相对于多种技术应用持续变得日益宝贵。数字 放射成像是医学领域中的中流砥柱,其允许医护人员快速识别和诊断他 们病人的内部异常。此外,其在工业领域的应用变得日益重要,用于显 现零件、行李、包裹以及其他物品的内部内容,以及用于显现物体的结 构完整性和其他用途。事实上,数字X射线检测器的发展已经增强了放 射成像领域的工作流程和图像质量。
    通常来说,放射成像包括生成射向关注物体的X射线。X射线穿过 和围绕物体,并且之后影响X射线胶片、X射线暗盒或数字X射线检测 器。在数字X射线检测器的情况下,这些X射线光子穿过闪烁体 (scintillator),将X射线光子转换为可见光或光量子(optical photon)。光 量子然后与数字X射线接收器的光电检测器碰撞,并且被转换为电信号, 这些电信号随后被处理为可易于查看、存储和/或电子传送的数字图像。 随着数字X射线检测器继续代替常规的X射线胶片和X射线暗盒,提高 数字放射成像的效率和质量的需求始终在前沿。
    与数字成像有关的一个问题是由于检测器本身的次优装配。例如, 某些数字检测器,诸如基于互补金属氧化物半导体(CMOS)的检测器, 使用需要涂有?;げ牧系目煞掷肷了柑迤?。然而,这些?;げ牧霞缺硐?出不佳的透光性能,又表现出不佳的反光性能。这些性能可干扰闪烁体 片的功能,引起有用可见光子(light photon)的损失。为了充分利用数字 X射线成像的充分潜能,需要改善数字X射线检测器的设计以便增加X 射线检测器的效率。
    发明内容
    根据一个实施例,提供一种数字X射线检测器。该检测器包括闪烁 体层,其配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于吸收的辐射发出光 量子。该检测器还包括互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪,其配 置成吸收由闪烁体层发出的光量子。CMOS光成像仪包括第一表面和第 二表面,并且第一表面与第二表面相对设置。闪烁体层接触CMOS光成 像仪的第一表面。
    根据另一实施例,提供一种数字X射线检测器。该检测器包括闪烁 体层,其配置成吸收从辐射源发出的辐射并且响应于吸收的辐射发出光 量子。该检测器还包括互补金属氧化物半导体(CMOS)光成像仪,具有 配置成吸收由闪烁体层发出的光量子的光电检测器层。闪烁体层接触光 电检测器层。所述检测器进一步包括反射层,反射层布置在与光成像仪 相对的闪烁体层的表面上。该反射层被配置成将闪烁体发出的光量子朝 向CMOS光成像仪反射。
    根据进一步的实施例,提供一种用于装配数字X射线检测器的方法。 该方法包括将闪烁体层沉积在CMOS光成像仪的光电检测器层之上。闪 烁体层接触CMOS光成像仪。该方法还包括将反射层沉积在与CMOS光 成像仪相对的闪烁体层的表面上。该反射层配置成将闪烁体发出的光量 子朝向CMOS光成像仪反射。
    附图说明
    当参照附图阅读下面的详细描述时,公开主题中的这些和其他特征、 方面和优点将变得更好理解,其中相似的字符贯穿附图表示相似的部件, 其中:
    图1为数字X射线成像系统的示意概述图,在该系统中可利用本技 术;
    图2为根据本技术实施例的数字X射线检测器的侧视图;
    图3为根据本技术实施例的具有水分阻挡层的数字X射线检测器的 侧视图;
    图4为根据本技术实施例的具有多个水分阻挡层的数字X射线检测 器的侧视图;
    图5为根据本技术实施例的检测器阵列盖装配件的侧视图。
    具体实施方式
    现在转向图1,其示意性示出了用于采集和处理离散的像素图像数据 的成像系统10。在示出的实施例中,成像系统10为数字X射线系统, 设计为根据本技术来采集原始图像数据以及处理该图像数据以用于显 示。在图1示出的实施例中,成像系统10包括X射线辐射源12,其靠 近准直器14放置。准直器14允许辐射流16进入到物体或对象18所在 的区域。辐射的一部分20穿过或围绕物体并且撞击数字X射线检测器, 该检测器以附图标记22概要表示。在某些实施例中,检测器22可包括 基于互补金属氧化物半导体(CMOS)的检测器。正如本领域技术人员所 领会的,数字X射线检测器22可将在其表面接收的X射线光子转换为 较低能量的光子,并且随后转换为电信号,电信号被采集和处理以重构 对象中的特征的图像。
    X射线辐射源12由既进行供电又为检查序列提供控制信号的电源/ 控制电路24来控制。此外,数字X射线检测器22在通信上耦合到检测 器控制器26,该检测器控制器26命令对检测器22中生成的信号进行采 集。在当前示出的实施例中,检测器22可与检测器控制器26通过任何 合适的无线通信标准(R)进行通信,但是使用通过缆线(T)或其他机 械连接与检测器控制器26通信的数字X射线检测器22也是可设想的。 检测器控制器26还可执行各种信号处理和筛选功能,例如用于动态范围 的初始调整、数字图像数据的交织等等。
    电源/控制电路24和检测器控制器26都响应于来自系统控制器28 的信号。通常,系统控制器28命令成像系统的操作以执行检查协议以及 处理采集的图像数据。在当前情形下,系统控制器28还包括信号处理电 路(其通?;诒喑痰耐ㄓ没蜃ㄓ檬旨扑慊?、以及相关制品(例如光 学存储器装置,磁存储器装置或固态存储器装置,其用于存储由计算机 处理器执行的实施各种功能的程序和例程,以及用于存储配置参数和图 像数据)、接口电路等等。
    在图1示出的实施例中,系统控制器28链接到至少一个输出装置, 例如显示器或打印机,以附图标记30表示。输出装置可包括标准或专用 的计算机监视器以及相关处理电路。一个或多个操作员工作站32可进一 步链接在系统中,用于输出系统参数,请求检查,查看图像,等等。通 常,在系统中提供的显示器、打印机、工作站以及类似装置可对于数据 采集组件是本地的,或可远离这些组件,例如在公共机构或医院内的其 他地方,或在完全不同的地方,通过一个或多个可配置网络,例如因特 网、虚拟专用网络等等链接到图像采集系统。
    如图1所示的X射线系统10还可包括多个备选实施例,通常被配置 成满足某些应用的特殊需要。例如,X射线系统10可以是固定的、移动 的系统,或者移动的c型臂系统,其中X射线检测器永久安装在c型臂 一端的内部或从可从系统移除。而且,X射线系统10可以是在固定的X 光室中的台和/或壁架(wall stand)系统,其中X射线检测器22或者与系统 永久安装在一起,或者是便携式的。备选的是,X射线系统10可以是具 有便携式X射线检测器的可移动X射线系统。这种便携式X射线检测器 可进一步构造为具有可分离的系绳或缆线,用于将检测器读出电子器件 连接到扫描仪的数据采集系统。当不使用时,便携式X射线检测器可从 扫描站拆除以用于存储或转移。
    图2-4示出了检测器22(例如,基于CMOS的检测器)的不同实施 例,检测器22包括直接布置在光成像仪52(例如,CMOS光成像仪)上 的闪烁体层50。直接在光成像仪52上布置闪烁体层50可提高检测器的 检查量效率(DQE)。示出的检测器22的组件可代表存在于此类检测系 统中的仅一些组件。例如,这些检测器22可包括电子期间、外盖或套等。 在图2中提供了数字X射线检测器22的示意图。如在本文中讨论的,数 字X射线检测器22包括检测器阵列54,该检测器阵列包括闪烁体层50 和光成像仪52(例如,CMOS光成像仪)。另外,CMOS光成像仪52包 括光电检测层56。闪烁体层50可由合适的闪烁体组分例如碘化铯(CsI) 来制造。
    如上面讨论的,例如在基于CMOS的检测器中的传统分离式闪烁体 片由?;つだ赐扛?,该?;つぞ哂胁畹墓夥瓷浜屯该餍阅?,这样进而导 致X射线检测器的光电检测能力的次优性能。为了缓解这个不足,检测 器阵列54的闪烁体层50直接布置在COMS光成像仪52的光电检测层 56上。由此,闪烁体层50直接接触光电检测层56。具体来说,数字成 像仪52包括第一表面60(例如,布置光电检测器层56的上表面)以及 与第一表面60相对的第二表面62(例如,布置CMOS光成像仪的下表 面)。闪烁体层50直接布置在上表面60上。
    闪烁体层50和CMOS光成像仪52的光电检测层56联合作用将X 射线光子58转换为电信号,以用于采集和处理图像数据。通常来说,X 射线光子58从辐射源12发出,穿过物体或对象18位于的区域,与闪烁 体层50碰撞。闪烁体层50将X射线光子58转换为较低能量的光量子, 并且闪烁体层被设计为发出与吸收的X射线的能量和量成比例的光。因 而,接收的X射线越多的闪烁体层50的那些区域中光发射就越高。由于 物体或对象18的组分将使辐射源12投射的X射线衰减到不同程度,因 此与闪烁体层50碰撞的X射线光子58的能量水平和量将不会均匀地遍 布闪烁体层50。不均匀的碰撞会导致用于在重构的图像中生成对比的光 发射的变动。
    在X射线光子58转换为光量子后,由闪烁体层50发出而导致的光 量子被CMOS光成像仪52的光电检测层56检测到。光电检测层56可包 括光敏元件或检测器元件阵列以存储与相应检测器元件吸收的入射光量 成比例的电荷。通常地,每个检测器元件具有光敏区域和电子控制区域 以用于存储和输出来自该检测器元件的电荷。光敏区域可由光电二极管 组成,其吸收光以及随后创建和存储电子电荷。曝光后,每个检测器中 的电荷通过逻辑控制的电子期间被读出并且由成像系统10处理,如上所 述。
    在一些备选实施例中,光成像仪52可以是电荷耦合器件(CCD)成 像仪、非晶硅接受体光成像仪或合适的场效应晶体管控制的光成像仪。 闪烁体层50可以直接布置在任何光成像仪之上并且与其直接接触,以防 止如上面讨论的有用可见光子的减少。
    为了?;ぜ觳馄髡罅?4不受光污染并且为了提供结构支撑,阵列盖 64(例如,第一检测器阵列盖)可放置在闪烁体层50的表面上,如图2 所示。第一检测器阵列盖64可由金属、金属合金、塑料、复合材料或上 述材料的组合来制造。在一个实施例中,第一检测器阵列盖64可由轻型、 耐用的复合材料例(如碳纤维)组成。在某些实施例中,从闪烁体层50 发出的光量子可朝向第一检测器阵列盖64行进,而不是朝向光电检测层 56。为了改变光量子的方向,检测器阵列54可包括由银或其他合适的光 反射材料组成的光反射器66,其布置在与光成像仪52相对的、闪烁体层 50的表面68(例如,上表面)上,刚好位于第一检测器阵列盖64下方。 光反射器66被设计为将来自闪烁体50的光量子朝向光电检测层56反射 回去,从而导致更少的量子噪声、更强的光信号以及X射线检测器22更 高效的整体性能。
    在一些实施例中,检测器22可包括水分阻挡层或材料以阻挡水分进 入到检测器阵列54中以及污染闪烁体材料或其他组件。如图3所示,检 测器22包括水分阻挡层80(例如,铝膜),其布置在与闪烁体层50相对 的反射器66的表面82(例如,上表面)上。例如,水分阻挡层80可布 置在第一检测器阵列盖64的表面84(例如,下表面)上。另外,检测器 22包括合适的防水密封材料86,分别围绕闪烁体层50和反射器66的外 边缘88、90布置,以密封水分阻挡层80和光成像仪52之间的这些组件。
    在一些实施例中,检测器22还包括在成像仪52下方的结构支撑件。 例如,如图4所示,检测器22包括阵列盖100(例如,第二检测器阵列 盖)。第二检测器阵列盖100可由类似于第一检测器阵列盖64的金属、 金属合金、塑料、复合材料、碳纤维或这些材料的组合来制造。为了阻 挡水分污染,检测器22可包括如图3所描述的水分阻挡层80和密封材 料86。另外,检测器22包括额外的水分阻挡层102(例如,铝膜),其 布置在与闪烁体层50相对的光成像仪52的下表面62上。具体来说,水 分阻挡层102布置在光成像仪52与第二检测器阵列盖100之间。
    在一些实施例中,检测器22可包括轻型盖64、100。例如,如图5 所示,盖64、100可包括夹层配置122。该夹层配置122能够实现检测器 阵列盖的使用与图2-4示出的检测器盖64、100相比带有减少的重量。夹 层配置122可包括具有中间填充材料128的第一阵列盖层124和第二阵 列盖层126。用于阵列盖层124、126的材料可以是用于图2-4中描述的 盖64、100的上述那些材料。中间填充材料128能够实现具有减少重量 的多个检测器阵列盖的利用。在该实施例中,填充材料128(其可以是 Rohacell形式、泡沫芯材、石墨纤维环氧树脂或其他材料)使得能够利用 轻型检测器盖,而不牺牲支撑件的刚性,其可有助于检测器装配线的可 制造性。在一些实施例中,可将多个夹层层与每个盖层64、100一起利 用。
    根据一种装配方法,如图3所示的检测器22可通过直接向CMOS 光成像仪52的光电检测层56上沉积闪烁体层50来装配。该方法还可包 括向闪烁体层50的上表面68上沉积光反射器66。第一检测器阵列盖64, 例如碳纤维盖,可沉积在光反射器66之上,从而导致如图3示出的装配 配置。为了确保足够的水分密封性能,一种方法包括使用具有水分阻挡 层80(例如,铝膜)的检测器盖64来装配检测器阵列,该水分阻挡层覆 盖上检测器盖64的下表面84。
    备选的是,一种方法可包括以图4所示的贴片(tiling)配置来装配X 射线检测器22。CMOS光成像仪52可布置在由碳纤维或其他合适材料制 造的第二检测器盖100上。闪烁体层50之后可直接沉积在CMOS光成像 仪52的光电检测层56之上。用于某些实施例的方法包括在闪烁体层50 的上面沉积可以由银组成的光反射器66,以用于使从闪烁体层50发出的 光量子改变方向回到CMOS光成像仪52的目的。下表面84上可使用或 不使用水分阻挡层80涂覆的第一检测器阵列盖64之后直接沉积在银的 光反射器66之上。然后如所述的可使用密封材料86密封盖64、100之 间的检测器阵列54。
    还可使用另一种方法以夹层配置122来构造检测器阵列盖64、100, 以用于减轻盖64、100的重量而不牺牲刚度和耐用性的目的。该方法包 括在第一和第二的薄检测器阵列盖层124和128之间沉积合适的填充材 料126。在一个实施例中,该填充材料可以是Rohacell泡沫芯材。备选的 是,图5示出的夹层配置122可以是带有两个中间泡沫芯材的三个检测 器阵列盖层或更多层。
    公开的X射线检测器装配的技术优势在于其优化了以DQE测量的X 射线检测器性能。例如,检测器22包括直接布置在光成像仪52(例如, CMOS成像仪)上的闪烁体层50。如本文公开的将闪烁体层50直接布置 在光成像仪52之上,这消除了分离式闪烁体片的需求以及将避免由通常 将在其间布置的任何?;つぴ斐傻墓庾铀鹗?。
    该书面描述使用示例来公开包括最佳模式的本主题,并且还使得任 何本领域技术人员能够实践本方法,包括制造和使用任何装置或系统, 并且执行任何结合的方法??勺ɡ姆段в扇ɡ罄炊ㄒ?,并且包括 其他本领域技术人员可想到的示例。这些其他示例如果它们具有并未不 同于权利要求字面语言的结构元件,或者如果它们包括与权利要求字面 语言无实质差异的等效结构元件,则旨在在权利要求的范围内。

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