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    重庆时时彩彩开奖号码查询: 一种检测电路及其检测方法和驱动系统.pdf

    关 键 词:
    一种 检测 电路 及其 方法 驱动 系统
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    摘要
    申请专利号:

    CN201510157825.9

    申请日:

    2015.04.03

    公开号:

    CN104700761A

    公开日:

    2015.06.10

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G09G 3/00申请日:20150403|||公开
    IPC分类号: G09G3/00; G09G3/32 主分类号: G09G3/00
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 宋丹娜; 吴仲远; 林俊杰; 盖翠丽; 王俪蓉; 宋琛; 曾思衡
    地址: 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 彭瑞欣; 陈源
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510157825.9

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.08.29|||2015.07.08|||2015.06.10

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供一种检测电路及其检测方法和驱动系统。该检测电路包括切换单元、复位单元和比较单元;切换单元用于切换复位单元和比较单元的工作;复位单元用于在采集单元开始采集前对采集单元进行复位;比较单元用于将采集单元采集的信号与标准信号进行比较,以获得待检测电压的表征量。该检测电路能够对像素电路中驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压进行检测,从而能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性,进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿,提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种检测电路,用于对像素电路中待检测的驱动管的阈 值电压和/或发光元件的工作电压进行检测,所述像素电路包括 采集单元,所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元件,用于 采集待检测电压,其特征在于,所述检测电路包括切换单元、复 位单元和比较单元,所述复位单元和所述比较单元分别连接所述 切换单元,所述切换单元连接所述采集单元;
    所述切换单元用于切换所述复位单元和所述比较单元的工 作;
    所述复位单元用于在所述采集单元开始采集前对所述采集 单元进行复位;
    所述比较单元用于将所述采集单元采集的信号与标准信号 进行比较,以获得所述待检测电压的表征量。

    2.  根据权利要求1所述的检测电路,其特征在于,所述采 集单元包括第一晶体管和采集线,所述第一晶体管的第一极连接 所述驱动管的第一极和所述发光元件的第一极,所述驱动管的第 一极连接所述发光元件的第一极;所述第一晶体管的第二极连接 所述采集线,所述第一晶体管的栅极连接第一控制线;所述采集 线能在所述第一晶体管的控制下采集所述待检测电压。

    3.  根据权利要求2所述的检测电路,其特征在于,所述切 换单元连接所述采集线,所述切换单元包括第二晶体管、第三晶 体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管;
    所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述 采集线连接,所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一 极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接;
    所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接;
    所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较 单元连接;
    所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接;
    所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述 比较单元连接,所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接。

    4.  根据权利要求3所述的检测电路,其特征在于,所述复 位单元包括第八晶体管和第九晶体管,所述第八晶体管的第一 极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极连接;
    所述第八晶体管的第二极连接第一信号线,所述第九晶体管 的第二极连接第二信号线。

    5.  根据权利要求4所述的检测电路,其特征在于,所述第 二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管和所述第九晶体管 采用N型晶体管,所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六 晶体管和所述第八晶体管采用P型晶体管;或者,
    所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管和所述 第九晶体管采用P型晶体管,所述第三晶体管、所述第四晶体管、 所述第六晶体管和所述第八晶体管采用N型晶体管。

    6.  根据权利要求5所述的检测电路,其特征在于,所述第 二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、 所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极连接第二控制线;
    所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线。

    7.  根据权利要求6所述的检测电路,其特征在于,所述比 较单元包括比较放大器、斜坡电压发生??楹褪涑瞿??;
    所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二 极和第五晶体管的第一极,所述比较放大器的第二输入端连接所 述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极,所述比较放 大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的 第一极和所述第七晶体管的第一极;
    所述斜坡电压发生??榈氖涑龆肆铀龅诹骞艿牡?二极,所述斜坡电压发生??榈氖淙攵肆拥谌藕畔?;
    所述输出??榈氖淙攵肆铀龅谌骞艿牡诙?;
    所述斜坡电压发生??橛糜诓⑹涑鏊霰曜夹藕?,所述 标准信号为斜坡电压信号;
    所述比较放大器用于将所述采集线采集到的所述待检测电 压与所述斜坡电压发生??槭涑龅男逼碌缪菇斜冉?,并输出比 较结果;
    所述输出??榈氖涑龆四芨菟霰冉戏糯笃鞯谋冉辖峁?输出所述检测电路的检测结果。

    8.  根据权利要求7所述的检测电路,其特征在于,所述斜 坡电压发生??榘ǖ谝环糯笃?、第二放大器、电流源、第一电 容和控制开关;
    所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线,所述第一 放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的 第一端和所述第一电容的第一端连接;
    所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述 控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接;所述第二放大器 的负输入端和所述第二放大器的输出端连接;所述第二放大器的 输出端连接所述第六晶体管的第二极。

    9.  根据权利要求8所述的检测电路,其特征在于,所述斜 坡电压发生??榛拱ㄐW嫉缪乖?,所述校准电压源的正极连接 所述第二放大器的正输入端,所述校准电压源的负极连接所述第 二放大器的负输入端;
    所述校准电压源用于校准所述第一放大器正输入端和负输 入端之间的电压偏差以及所述第二放大器正输入端和负输入端 之间的电压偏差。

    10.  根据权利要求7所述的检测电路,其特征在于,所述 输出??榘呒刂破骱图剖?,所述逻辑控制器的输入端连 接所述第三晶体管的第二极,所述逻辑控制器的控制端连接所述 计数器;
    所述逻辑控制器用于根据所述比较放大器输出的比较结果 记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值,并 输出该计数值;所述计数值表征所述待检测电压。

    11.  根据权利要求7所述的检测电路,其特征在于,还包 括电容校准单元,用于对所述采集线的线电容进行校准;所述电 容校准单元包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和校 准电容;
    所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所 述采集线连接;所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一 极和所述第十二晶体管的第一极连接;所述校准电容的第二极接 地;所述第十晶体管的栅极连接第四控制线;
    所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所 述第四晶体管的第一极连接;所述第十一晶体管的栅极连接第五 控制线;
    所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线;所述第十 二晶体管的栅极连接第六控制线。

    12.  根据权利要求11所述的检测电路,其特征在于,还包 括去噪单元,用于消除外界噪音对所述采集线采集到的所述待检 测电压的干扰;
    所述去噪单元包括去噪电容,所述去噪电容的第一端连接所 述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集 线;所述去噪电容的第二端接地。

    13.  一种检测方法,用于检测像素电路中待检测的驱动管 的阈值电压和/或发光元件的工作电压,其特征在于,所述像素 电路包括采集单元,所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元 件;执行所述检测方法的检测电路包括切换单元、复位单元和比 较单元,所述复位单元和所述比较单元分别连接所述切换单元, 所述切换单元连接所述采集单元;所述检测方法包括:
    步骤S11:所述切换单元切换到使所述复位单元工作;
    步骤S12:所述复位单元在所述采集单元开始采集前对所述 采集单元进行复位;
    步骤S13:所述采集单元采集所述待检测电压;
    步骤S14:所述切换单元切换到使所述比较单元工作;
    步骤S15:所述比较单元将所述采集单元采集的信号与标准 信号进行比较,以获得所述待检测电压的表征量。

    14.  根据权利要求13所述的检测方法,其特征在于,所述 采集单元包括第一晶体管和采集线,所述第一晶体管的第一极连 接所述驱动管的第一极和所述发光元件的第一极,所述驱动管的 第一极连接所述发光元件的第一极;所述第一晶体管的第二极连 接所述采集线,所述第一晶体管的栅极连接第一控制线;所述采 集线能在所述第一晶体管的控制下采集所述待检测电压;
    所述切换单元连接所述采集线,所述切换单元包括第二晶体 管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七 晶体管;
    所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述 采集线连接,所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一 极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接;
    所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接;
    所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较 单元连接;
    所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接;
    所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述 比较单元连接,所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接;
    所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用N 型晶体管,所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管 采用P型晶体管;或者,
    所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用P 型晶体管,所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管 采用N型晶体管;
    所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述 第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极连接第二 控制线;
    所述步骤S11包括:所述第二控制线输入控制信号,将所述 第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管开启;同时将所 述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管关闭。

    15.  根据权利要求14所述的检测方法,其特征在于,所述 复位单元包括第八晶体管和第九晶体管,所述第八晶体管的第一 极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极连接;
    所述第八晶体管的第二极连接第一信号线,所述第九晶体管 的第二极连接第二信号线;
    所述第九晶体管采用N型晶体管,所述第八晶体管采用P 型晶体管;或者,所述第九晶体管采用P型晶体管,所述第八晶 体管采用N型晶体管;
    所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线;
    当检测所述驱动管的阈值电压时,所述步骤S12包括:所述 第三控制线输入控制信号,将所述第八晶体管开启,同时将所述 第九晶体管关闭,所述第一信号线输入低电压信号并将所述采集 线上的信号复位为所述低电压信号;
    当检测所述发光元件的工作电压时,所述步骤S12包括:所 述第三控制线输入控制信号,将所述第九晶体管开启,同时将所 述第八晶体管关闭,所述第二信号线输入高电压信号并将所述采 集线上的信号复位为所述高电压信号。

    16.  根据权利要求15所述的检测方法,其特征在于,所述 像素电路还包括第十三晶体管和存储电容,所述第十三晶体管的 第一极连接数据线,所述第十三晶体管的第二极连接所述存储电 容的第一极和所述驱动管的栅极,所述第十三晶体管的栅极连接 扫描控制线;所述驱动管的第一极连接第一电源,所述发光元件 的第二极连接第二电源;
    所述存储电容的第二极连接所述驱动管的第二极、所述发光 元件的第一极和所述第一晶体管的第一极,所述第一晶体管的第 二极连接所述采集线,所述第一晶体管的栅极连接第一控制线;
    当检测所述驱动管的阈值电压时,所述步骤S13包括:
    步骤S130:所述扫描控制线输入控制信号,将所述第十三 晶体管开启,所述数据线写入第一电压信号,使所述存储电容两 端的电压差大于所述驱动管的阈值电压;
    步骤S131:所述扫描控制线输入控制信号,将所述第十三 晶体管关闭,所述第一控制线控制所述第一晶体管开启,使所述 驱动管的电流对所述采集线的线电容充电;
    步骤S132:充电至所述采集线上的电压为所述驱动管的阈 值电压时,将所述第十三晶体管开启,所述数据线写入第二电压 信号,将所述驱动管关闭;
    当检测所述发光元件的工作电压时,所述步骤S13包括:
    步骤S130':所述扫描控制线输入控制信号,将所述第十 三晶体管开启,所述数据线写入所述第二电压信号,将所述驱动 管关闭;
    步骤S131':所述第一控制线控制所述第一晶体管开启, 所述采集线上存储的电荷通过所述发光元件放电;
    步骤S132':放电至所述采集线上的电压为所述发光元件 的工作电压时,将所述第一晶体管关闭。

    17.  根据权利要求16所述的检测方法,其特征在于,所述 步骤S14包括:所述第二控制线输入控制信号,将所述第三晶体 管、所述第四晶体管和所述第六晶体管开启;同时将所述第二晶 体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管关闭。

    18.  根据权利要求17所述的检测方法,其特征在于,
    所述比较单元包括比较放大器、斜坡电压发生??楹褪涑瞿?块;
    所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二 极和第五晶体管的第一极,所述比较放大器的第二输入端连接所 述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极,所述比较放 大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的 第一极和所述第七晶体管的第一极;
    所述斜坡电压发生??榈氖涑龆肆铀龅诹骞艿牡?二极,所述斜坡电压发生??榈氖淙攵肆拥谌藕畔?;
    所述输出??榈氖淙攵肆铀龅谌骞艿牡诙?;
    所述输出??榘呒刂破骱图剖?,所述逻辑控制器的 输入端连接所述第三晶体管的第二极,所述逻辑控制器的控制端 连接所述计数器;
    当检测所述驱动管的阈值电压时,所述步骤S15包括:
    步骤S150:所述斜坡电压发生??椴⑹涑鏊霰曜夹?号,所述标准信号为斜坡电压信号;所述比较放大器将所述采集 线上的所述驱动管的阈值电压与所述斜坡电压发生??槭涑龅?斜坡电压进行比较,并输出比较结果;
    步骤S151:当所述比较放大器输出的比较结果发生变化时, 所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计 数器的计数值,并输出该计数值;所述计数值表征所述驱动管的 阈值电压;
    当检测所述发光元件的工作电压时,所述步骤S15包括:
    步骤S150':所述斜坡电压发生??椴⑹涑鏊霰曜?信号,所述标准信号为斜坡电压信号;所述比较放大器将所述采 集线上的所述发光元件的工作电压与所述斜坡电压发生??槭?出的斜坡电压进行比较,并输出比较结果;
    步骤S151':当所述比较放大器输出的比较结果发生变化 时,所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述 计数器的计数值,并输出该计数值;所述计数值表征所述发光元 件的工作电压。

    19.  根据权利要求18所述的检测方法,其特征在于,所述 检测电路还包括电容校准单元,所述电容校准单元包括第十晶体 管、第十一晶体管、第十二晶体管和校准电容;
    所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所 述采集线连接;所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一 极和所述第十二晶体管的第一极连接;所述校准电容的第二极接 地;所述第十晶体管的栅极连接第四控制线;
    所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所 述第四晶体管的第一极连接;所述第十一晶体管的栅极连接第五 控制线;
    所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线;所述第十 二晶体管的栅极连接第六控制线;
    所述检测方法在所述步骤11之前还包括步骤S10:对所述 采集线的线电容进行校准;所述步骤S10包括:
    步骤S100:所述第五控制线输入控制信号,将所述第十一 晶体管开启;所述第二控制线输入控制信号,将所述第二晶体管、 所述第五晶体管和所述第七晶体管开启;所述第三控制线输入控 制信号,将所述第八晶体管开启,所述第一信号线输入低电压信 号并将所述采集线上的信号复位为所述低电压信号;
    同时,所述第六控制线输入控制信号,将所述第十二晶体管 开启;所述第二信号线输入高电压信号并将所述校准电容上的信 号复位为所述高电压信号;
    步骤S101:将所述第十一晶体管和所述第十二晶体管关闭; 所述第四控制线输入控制信号,将所述第十晶体管开启;所述校 准电容与所述采集线的线电容进行电荷分享。

    20.  根据权利要求19所述的检测方法,其特征在于,所述 斜坡电压发生??榘ǖ谝环糯笃?、第二放大器、电流源、第一 电容和控制开关;
    所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线,所述第一 放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的 第一端和所述第一电容的第一端连接;
    所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述 控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接;所述第二放大器 的负输入端和所述第二放大器的输出端连接;所述第二放大器的 输出端连接所述第六晶体管的第二极;
    所述斜坡电压发生??榛拱ㄐW嫉缪乖?,所述校准电压源 的正极连接所述第二放大器的正输入端,所述校准电压源的负极 连接所述第二放大器的负输入端;
    所述检测方法还包括:在所述步骤S10之前,对所述斜坡电 压发生??橹兴龅谝环糯笃骱退龅诙糯笃鞯恼淙攵撕?负输入端之间的电压偏差进行校准;具体包括:
    将所述控制开关闭合,所述电流源不对所述第一电容进行充 电,所述第三信号线输入第三电压信号;改变所述校准电压源的 电压值,当所述第二放大器的输出电压由高电压变为低电压或由 低电压变为高电压时,自动校准所述第一放大器和所述第二放大 器的正输入端和负输入端之间的电压偏差。

    21.  一种驱动系统,用于对像素电路进行驱动,其特征在 于,包括权利要求1-12任意一项所述的检测电路。

    说明书

    说明书一种检测电路及其检测方法和驱动系统
    技术领域
    本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种检测电路及其 检测方法和驱动系统。
    背景技术
    有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic  Light-Emitting Diode,AMOLED)显示因具有快响应、高亮度、 高对比度、低功耗以及易实现柔性透明等优点,被认为是下一代 主流的显示技术。近年来,人们开展了大量的研究以促进AMOLED 显示的大规模生产。
    在AMOLED面板设计中,主要需要解决的问题是像素和像素 之间的亮度非均匀性。
    首先,AMOLED采用薄膜晶体管(TFT)构建像素电路为OLED 器件提供相应的电流。薄膜晶体管多采用低温多晶硅薄膜晶体管 (LTPS TFT)或氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)。与一般的非晶 硅薄膜晶体管(amorphous-Si TFT)相比,LTPS TFT和Oxide TFT 具有更高的迁移率和更稳定的特性,更适合应用于AMOLED显示 中。但是由于晶化工艺的局限性,在大面积玻璃基板上制作的 LTPS TFT,常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均 匀性,这种非均匀性会转化为OLED器件的电流差异和亮度差异, 并被人眼所感知,即阴影(mura)现象。Oxide TFT虽然工艺的 均匀性较好,但是与a-Si TFT类似,在长时间加压和高温下, 其阈值电压会出现漂移,由于显示画面不同,面板各部分TFT 的阈值电压漂移量不同,会造成显示亮度差异,由于这种差异与 之前显示的图像有关,因此常呈现为残影现象。
    另外,OLED器件在蒸镀时由于膜厚不均也会造成电学性能 的非均匀性。对于采用N型薄膜晶体管(N-Type TFT)构建像素 单元的a-Si TFT或Oxide TFT工艺,其存储电容连接在驱动TFT 栅极与OLED阳极之间,在数据电压传输到栅极时,如果各像素 OLED阳极电压不同,则实际加载在TFT上的栅源电压(Vgs)不 同,从而驱动电流不同造成像素OLED显示亮度差异。
    经研究显示,造成AMOLED面板显示亮度差异的主要原因是 不同像素单元中OLED驱动管的阈值电压因漂移而出现不同,以 及不同像素单元中OLED器件由于蒸镀时的膜厚不均而导致的 OLED器件的工作电压不同。
    为了解决AMOLED面板中显示亮度差异的问题,通?;嵬ü?内部补偿或外部补偿对驱动管的阈值电压和OLED器件的工作电 压进行补偿,但补偿之前首先需要对驱动管的阈值电压和OLED 器件的工作电压进行检测,如何检测AMOLED面板中驱动管的阈 值电压和OLED器件的工作电压已成为目前亟待解决的问题。
    发明内容
    本发明针对现有技术中存在的上述技术问题,提供一种检测 电路及其检测方法和驱动系统。该检测电路能够对像素电路中驱 动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压进行检测,从而能够 检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均 匀性,进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度 进行很好的补偿,提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均 匀性及显示效果。
    本发明提供一种检测电路,用于对像素电路中待检测的驱动 管的阈值电压和/或发光元件的工作电压进行检测,所述像素电 路包括采集单元,所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元 件,用于采集待检测电压,所述检测电路包括切换单元、复位单 元和比较单元,所述复位单元和所述比较单元分别连接所述切换 单元,所述切换单元连接所述采集单元;
    所述切换单元用于切换所述复位单元和所述比较单元的工 作;
    所述复位单元用于在所述采集单元开始采集前对所述采集 单元进行复位;
    所述比较单元用于将所述采集单元采集的信号与标准信号 进行比较,以获得所述待检测电压的表征量。
    优选地,所述采集单元包括第一晶体管和采集线,所述第一 晶体管的第一极连接所述驱动管的第一极和所述发光元件的第 一极,所述驱动管的第一极连接所述发光元件的第一极;所述第 一晶体管的第二极连接所述采集线,所述第一晶体管的栅极连接 第一控制线;所述采集线能在所述第一晶体管的控制下采集所述 待检测电压;
    所述切换单元连接所述采集线,所述切换单元包括第二晶体 管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七 晶体管;
    所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述 采集线连接,所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一 极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接;
    所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接;
    所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较 单元连接;
    所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接;
    所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述 比较单元连接,所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接。
    优选地,所述复位单元包括第八晶体管和第九晶体管,所述 第八晶体管的第一极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体 管的第二极连接;
    所述第八晶体管的第二极连接第一信号线,所述第九晶体管 的第二极连接第二信号线。
    优选地,所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体 管和所述第九晶体管采用N型晶体管,所述第三晶体管、所述第 四晶体管、所述第六晶体管和所述第八晶体管采用P型晶体管; 或者,
    所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管和所述 第九晶体管采用P型晶体管,
    所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六晶体管和所述 第八晶体管采用N型晶体管。
    优选地,所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体 管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极 连接第二控制线;
    所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线。
    优选地,所述比较单元包括比较放大器、斜坡电压发生???和输出???;
    所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二 极和第五晶体管的第一极,所述比较放大器的第二输入端连接所 述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极,所述比较放 大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的 第一极和所述第七晶体管的第一极;
    所述斜坡电压发生??榈氖涑龆肆铀龅诹骞艿牡?二极,所述斜坡电压发生??榈氖淙攵肆拥谌藕畔?;
    所述输出??榈氖淙攵肆铀龅谌骞艿牡诙?;
    所述斜坡电压发生??橛糜诓⑹涑鏊霰曜夹藕?,所述 标准信号为斜坡电压信号;
    所述比较放大器用于将所述采集线采集到的所述待检测电 压与所述斜坡电压发生??槭涑龅男逼碌缪菇斜冉?,并输出比 较结果;
    所述输出??榈氖涑龆四芨菟霰冉戏糯笃鞯谋冉辖峁?输出所述检测电路的检测结果。
    优选地,所述斜坡电压发生??榘ǖ谝环糯笃?、第二放大 器、电流源、第一电容和控制开关;
    所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线,所述第一 放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的 第一端和所述第一电容的第一端连接;
    所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述 控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接;所述第二放大器 的负输入端和所述第二放大器的输出端连接;所述第二放大器的 输出端连接所述第六晶体管的第二极。
    优选地,所述斜坡电压发生??榛拱ㄐW嫉缪乖?,所述校 准电压源的正极连接所述第二放大器的正输入端,所述校准电压 源的负极连接所述第二放大器的负输入端;
    所述校准电压源用于校准所述第一放大器正输入端和负输 入端之间的电压偏差以及所述第二放大器正输入端和负输入端 之间的电压偏差。
    优选地,所述输出??榘呒刂破骱图剖?,所述逻辑 控制器的输入端连接所述第三晶体管的第二极,所述逻辑控制器 的控制端连接所述计数器;
    所述逻辑控制器用于根据所述比较放大器输出的比较结果 记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值,并 输出该计数值;所述计数值表征所述待检测电压。
    优选地,还包括电容校准单元,用于对所述采集线的线电容 进行校准;所述电容校准单元包括第十晶体管、第十一晶体管、 第十二晶体管和校准电容;
    所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所 述采集线连接;所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一 极和所述第十二晶体管的第一极连接;所述校准电容的第二极接 地;所述第十晶体管的栅极连接第四控制线;
    所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所 述第四晶体管的第一极连接;所述第十一晶体管的栅极连接第五 控制线;
    所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线;所述第十 二晶体管的栅极连接第六控制线。
    优选地,还包括去噪单元,用于消除外界噪音对所述采集线 采集到的所述待检测电压的干扰;
    所述去噪单元包括去噪电容,所述去噪电容的第一端连接所 述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集 线;所述去噪电容的第二端接地。
    本发明还提供一种检测方法,用于检测像素电路中待检测的 驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压,所述像素电路包 括采集单元,所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元件;执 行所述检测方法的检测电路包括切换单元、复位单元和比较单 元,所述复位单元和所述比较单元分别连接所述切换单元,所述 切换单元连接所述采集单元;所述检测方法包括:
    步骤S11:所述切换单元切换到使所述复位单元工作;
    步骤S12:所述复位单元在所述采集单元开始采集前对所述 采集单元进行复位;
    步骤S13:所述采集单元采集所述待检测电压;
    步骤S14:所述切换单元切换到使所述比较单元工作;
    步骤S15:所述比较单元将所述采集单元采集的信号与标准 信号进行比较,以获得所述待检测电压的表征量。
    优选地,所述采集单元包括第一晶体管和采集线,所述第一 晶体管的第一极连接所述驱动管的第一极和所述发光元件的第 一极,所述驱动管的第一极连接所述发光元件的第一极;所述第 一晶体管的第二极连接所述采集线,所述第一晶体管的栅极连接 第一控制线;所述采集线能在所述第一晶体管的控制下采集所述 待检测电压;
    所述切换单元连接所述采集线,所述切换单元包括第二晶体 管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七 晶体管;
    所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述 采集线连接,所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一 极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接;
    所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接;
    所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较 单元连接;
    所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接;
    所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述 比较单元连接,所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接;
    所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用N 型晶体管,所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管 采用P型晶体管;或者,
    所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用P 型晶体管,所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管 采用N型晶体管;
    所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述 第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极连接第二 控制线;
    所述步骤S11包括:所述第二控制线输入控制信号,将所述 第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管开启;同时将所 述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管关闭。
    优选地,所述复位单元包括第八晶体管和第九晶体管,所述 第八晶体管的第一极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体 管的第二极连接;
    所述第八晶体管的第二极连接第一信号线,所述第九晶体管 的第二极连接第二信号线;
    所述第九晶体管采用N型晶体管,所述第八晶体管采用P 型晶体管;或者,所述第九晶体管采用P型晶体管,所述第八晶 体管采用N型晶体管;
    所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线;
    当检测所述驱动管的阈值电压时,所述步骤S12包括:所述 第三控制线输入控制信号,将所述第八晶体管开启,同时将所述 第九晶体管关闭,所述第一信号线输入低电压信号并将所述采集 线上的信号复位为所述低电压信号;
    当检测所述发光元件的工作电压时,所述步骤S 12包括:所 述第三控制线输入控制信号,将所述第九晶体管开启,同时将所 述第八晶体管关闭,所述第二信号线输入高电压信号并将所述采 集线上的信号复位为所述高电压信号。
    优选地,所述像素电路还包括第十三晶体管和存储电容,所 述第十三晶体管的第一极连接数据线,所述第十三晶体管的第二 极连接所述存储电容的第一极和所述驱动管的栅极,所述第十三 晶体管的栅极连接扫描控制线;所述驱动管的第一极连接第一电 源,所述发光元件的第二极连接第二电源;
    所述存储电容的第二极连接所述驱动管的第二极、所述发光 元件的第一极和所述第一晶体管的第一极,所述第一晶体管的第 二极连接所述采集线,所述第一晶体管的栅极连接第一控制线;
    当检测所述驱动管的阈值电压时,所述步骤S13包括:
    步骤S130:所述扫描控制线输入控制信号,将所述第十三 晶体管开启,所述数据线写入第一电压信号,使所述存储电容两 端的电压差大于所述驱动管的阈值电压;
    步骤S131:所述扫描控制线输入控制信号,将所述第十三 晶体管关闭,所述第一控制线控制所述第一晶体管开启,使所述 驱动管的电流对所述采集线的线电容充电;
    步骤S132:充电至所述采集线上的电压为所述驱动管的阈 值电压时,将所述第十三晶体管开启,所述数据线写入第二电压 信号,将所述驱动管关闭;
    当检测所述发光元件的工作电压时,所述步骤S13包括:
    步骤S130':所述扫描控制线输入控制信号,将所述第十 三晶体管开启,所述数据线写入所述第二电压信号,将所述驱动 管关闭;
    步骤S131':所述第一控制线控制所述第一晶体管开启, 所述采集线上存储的电荷通过所述发光元件放电;
    步骤S132':放电至所述采集线上的电压为所述发光元件 的工作电压时,将所述第一晶体管关闭。
    优选地,所述步骤S14包括:所述第二控制线输入控制信号, 将所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管开启;同 时将所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管关闭。
    优选地,所述比较单元包括比较放大器、斜坡电压发生???和输出???;
    所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二 极和第五晶体管的第一极,所述比较放大器的第二输入端连接所 述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极,所述比较放 大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的 第一极和所述第七晶体管的第一极;
    所述斜坡电压发生??榈氖涑龆肆铀龅诹骞艿牡?二极,所述斜坡电压发生??榈氖淙攵肆拥谌藕畔?;
    所述输出??榈氖淙攵肆铀龅谌骞艿牡诙?;
    所述输出??榘呒刂破骱图剖?,所述逻辑控制器的 输入端连接所述第三晶体管的第二极,所述逻辑控制器的控制端 连接所述计数器;
    当检测所述驱动管的阈值电压时,所述步骤S15包括:
    步骤S150:所述斜坡电压发生??椴⑹涑鏊霰曜夹?号,所述标准信号为斜坡电压信号;所述比较放大器将所述采集 线上的所述驱动管的阈值电压与所述斜坡电压发生??槭涑龅?斜坡电压进行比较,并输出比较结果;
    步骤S151:当所述比较放大器输出的比较结果发生变化时, 所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计 数器的计数值,并输出该计数值;所述计数值表征所述驱动管的 阈值电压;
    当检测所述发光元件的工作电压时,所述步骤S15包括:
    步骤S150':所述斜坡电压发生??椴⑹涑鏊霰曜?信号,所述标准信号为斜坡电压信号;所述比较放大器将所述采 集线上的所述发光元件的工作电压与所述斜坡电压发生??槭?出的斜坡电压进行比较,并输出比较结果;
    步骤S151':当所述比较放大器输出的比较结果发生变化 时,所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述 计数器的计数值,并输出该计数值;所述计数值表征所述发光元 件的工作电压。
    优选地,所述检测电路还包括电容校准单元,所述电容校准 单元包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和校准电容;
    所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所 述采集线连接;所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一 极和所述第十二晶体管的第一极连接;所述校准电容的第二极接 地;所述第十晶体管的栅极连接第四控制线;
    所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所 述第四晶体管的第一极连接;所述第十一晶体管的栅极连接第五 控制线;
    所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线;所述第十 二晶体管的栅极连接第六控制线;
    所述检测方法在所述步骤11之前还包括步骤S10:对所述 采集线的线电容进行校准;所述步骤S10包括:
    步骤S100:所述第五控制线输入控制信号,将所述第十一 晶体管开启;所述第二控制线输入控制信号,将所述第二晶体管、 所述第五晶体管和所述第七晶体管开启;所述第三控制线输入控 制信号,将所述第八晶体管开启,所述第一信号线输入低电压信 号并将所述采集线上的信号复位为所述低电压信号;
    同时,所述第六控制线输入控制信号,将所述第十二晶体管 开启;所述第二信号线输入高电压信号并将所述校准电容上的信 号复位为所述高电压信号;
    步骤S101:将所述第十一晶体管和所述第十二晶体管关闭; 所述第四控制线输入控制信号,将所述第十晶体管开启;所述校 准电容与所述采集线的线电容进行电荷分享。
    优选地,所述斜坡电压发生??榘ǖ谝环糯笃?、第二放大 器、电流源、第一电容和控制开关;
    所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线,所述第一 放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的 第一端和所述第一电容的第一端连接;
    所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述 控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接;所述第二放大器 的负输入端和所述第二放大器的输出端连接;所述第二放大器的 输出端连接所述第六晶体管的第二极;
    所述斜坡电压发生??榛拱ㄐW嫉缪乖?,所述校准电压源 的正极连接所述第二放大器的正输入端,所述校准电压源的负极 连接所述第二放大器的负输入端;
    所述检测方法还包括:在所述步骤S10之前,对所述斜坡电 压发生??橹兴龅谝环糯笃骱退龅诙糯笃鞯恼淙攵撕?负输入端之间的电压偏差进行校准;具体包括:
    将所述控制开关闭合,所述电流源不对所述第一电容进行充 电,所述第三信号线输入第三电压信号;改变所述校准电压源的 电压值,当所述第二放大器的输出电压由高电压变为低电压或由 低电压变为高电压时,自动校准所述第一放大器和所述第二放大 器的正输入端和负输入端之间的电压偏差。
    本发明还提供一种驱动系统,用于对像素电路进行驱动,包 括上述检测电路。
    本发明的有益效果:本发明所提供的检测电路,通过设置切 换单元、复位单元和比较单元,能够对像素电路中待检测的驱动 管的阈值电压和\或发光元件的工作电压进行检测,从而能够检 测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀 性,进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进 行很好的补偿,提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀 性及显示效果。
    本发明所提供的驱动系统,通过采用上述检测电路,使该驱 动系统不仅能够对像素电路进行驱动,还能够检测有源矩阵有机 电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性,进而使外部补 偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿,提 高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
    附图说明
    图1为本发明中检测电路的电路原理图;
    图2为本发明实施例1中与图1中的电路原理图相对应的检 测电路的电路图;
    图3为本发明实施例1中检测电路的整体电路图;
    图4为图2中斜坡电压发生??榈牡缏吠?;
    图5为图2中的检测电路在检测驱动管的阈值电压时的时序 图;
    图6为图3中的检测电路在对采集线的线电容进行校准时的 时序图;
    图7为图2中的斜坡电压发生??樵谛W际钡牡刃У缏吠?;
    图8为图2中的检测电路在检测发光元件的工作电压时的时 序图。
    其中的附图标记说明:
    1.采集单元;2.切换单元;3.复位单元;4.比较单元。
    具体实施方式
    为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面 结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种检测电路及其 检测方法和驱动系统作进一步详细描述。
    实施例1:
    本实施例提供一种检测电路,用于对像素电路中待检测的驱 动管的阈值电压和发光元件的工作电压进行检测,如图1所示, 像素电路包括采集单元1,采集单元1连接驱动管Q和发光元件 D,用于采集待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D 的工作电压),检测电路包括切换单元2、复位单元3和比较单 元4,复位单元3和比较单元4分别连接切换单元2,切换单元 2连接采集单元1。切换单元2用于切换复位单元3和比较单元 4的工作;复位单元3用于在采集单元1开始采集前对采集单元 1进行复位;比较单元4用于将采集单元1采集的信号与标准信 号进行比较,以获得待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光 元件D的工作电压)的表征量。
    该检测电路通过设置切换单元2、复位单元3和比较单元4, 能够对像素电路中驱动管Q的阈值电压和发光元件D的工作电压 进行检测,从而能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像 素显示亮度的不均匀性,进而使外部补偿电路能够根据检测结果 对像素的显示亮度进行很好的补偿,提高有源矩阵有机电致发光 显示器件显示的均匀性及显示效果。
    本实施例中,如图2所示,采集单元包括第一晶体管T1和 采集线Sense,第一晶体管T1的第一极连接驱动管Q的第一极 和发光元件D的第一极,驱动管Q的第一极连接发光元件D的第 一极;第一晶体管T1的第二极连接采集线Sense,第一晶体管 T1的栅极连接第一控制线G2;采集线Sense能在第一晶体管T1 的控制下采集待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D 的工作电压)。
    其中,发光元件D的第一极为阳极,发光元件D的第二极为 阴极。
    切换单元连接采集线Sense,切换单元包括第二晶体管T2、 第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6 和第七晶体管T7。第二晶体管T2的第一极、第四晶体管T4的 第一极和采集线Sense连接,第二晶体管T2的第二极、第三晶 体管T3的第一极、第七晶体管T7的第一极和比较单元连接;第 三晶体管T3的第二极和比较单元连接;第四晶体管T4的第二极、 第五晶体管T5的第一极和比较单元连接;第五晶体管T5的第二 极和复位单元连接;第六晶体管T6的第一极、第七晶体管T7 的第二极和比较单元连接,第六晶体管T6的第二极和比较单元 连接。
    复位单元包括第八晶体管T8和第九晶体管T9,第八晶体管 T8的第一极、第九晶体管T9的第一极和第五晶体管T5的第二 极连接;第八晶体管T8的第二极连接第一信号线VREFL,第九 晶体管T9的第二极连接第二信号线VREFH。
    本实施例中,第二晶体管T2、第五晶体管T5、第七晶体管 T7和第九晶体管T9采用N型晶体管,第三晶体管T3、第四晶体 管T4、第六晶体管T6和第八晶体管T8采用P型晶体管。
    需要说明的是,也可以是,第二晶体管T2、第五晶体管T5、 第七晶体管T7和第九晶体管T9采用P型晶体管,第三晶体管 T3、第四晶体管T4、第六晶体管T6和第八晶体管T8采用N型 晶体管。如此设置,使得切换单元只需要一根控制线即可实现对 复位单元和比较单元的切换控制,从而使该检测电路的线路更加 简单,控制起来也更加方便快捷。
    本实施例中,第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管 T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的栅极连 接第二控制线Sel_sen。第八晶体管T8和第九晶体管T9的栅极 连接第三控制线Sel_vref。
    需要说明的是,第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体 管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的栅极 也可以分别连接一根控制线;或者,第二晶体管T2、第三晶体 管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七 晶体管T7中的两个或几个连接一根控制线,其余的几个连接另 一根控制线,只要使切换单元在控制线的控制下能够实现对复位 单元和比较单元的切换工作即可。
    本实施例中,比较单元包括比较放大器comp、斜坡电压发 生??镽amp Gen和输出???。比较放大器comp的第一输入端连 接第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第一极,比较放大 器comp的第二输入端连接第六晶体管T6的第一极和第七晶体管 T7的第二极,比较放大器comp的输出端连接第二晶体管T2的 第二极、第三晶体管T3的第一极和第七晶体管T7的第一极。斜 坡电压发生??镽amp Gen的输出端连接第六晶体管T6的第二 极,斜坡电压发生??镽amp Gen的输入端连接第三信号线VSTR。 输出??榈氖淙攵肆拥谌骞躎3的第二极。斜坡电压发生 ??镽amp Gen用于产生并输出标准信号,标准信号为斜坡电压 信号。比较放大器comp用于将采集线Sense采集到的待检测电 压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)分别与斜 坡电压发生??镽amp Gen输出的斜坡电压进行比较,并输出比 较结果;输出??榈氖涑龆薿ut能根据比较放大器comp的比较 结果输出检测电路的检测结果。
    本实施例中,比较放大器comp的第一输入端为比较放大器 comp的正输入端,比较放大器comp的第二输入端为比较放大器 comp的负输入端。
    需要说明的是,比较放大器comp的第一输入端也可以是比 较放大器comp的负输入端,比较放大器comp的第二输入端也可 以是比较放大器comp的正输入端。
    本实施例中,输出??榘呒刂破鱈ogic control和计 数器Counter,逻辑控制器Logic control的输入端连接第三晶 体管T3的第二极,逻辑控制器Logic control的控制端连接计 数器Counter。逻辑控制器Logic control用于根据比较放大器 comp输出的比较结果记录比较结果发生变化时所对应的计数器 Counter的计数值,并输出该计数值;该计数值表征待检测电压 (即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)。
    本实施例中,如图3所示,检测电路还包括电容校准单元, 用于对采集线Sense的线电容C_sense进行校准;电容校准单元 包括第十晶体管T10、第十一晶体管T11、第十二晶体管T12和 校准电容C_ext。第十晶体管T10的第一极、第十一晶体管T11 的第一极和采集线Sense连接;第十晶体管T10的第二极、校准 电容C_ext的第一极和第十二晶体管T12的第一极连接;校准电 容C_ext的第二极接地;第十晶体管T10的栅极连接第四控制线 CapCal;第十一晶体管T11的第二极、第二晶体管T2的第一极 和第四晶体管T4的第一极连接;第十一晶体管T11的栅极连接 第五控制线NM;第十二晶体管T12的第二极连接第二信号线 VREFH;第十二晶体管T12的栅极连接第六控制线CapRst。
    电容校准单元的设置,能够在检测电路检测之前对采集线 Sense的线电容C_sense进行校准,从而使检测电路的检测结果 能够更加准确。
    本实施例中,检测电路还包括去噪单元,用于消除外界噪音 对采集线Sense采集到的待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或 发光元件D的工作电压)的干扰;去噪单元包括去噪电容CH, 去噪电容CH的第一端连接第十晶体管T10的第一极、第十一晶 体管T11的第一极和采集线Sense;去噪电容CH的第二端接地。
    去噪单元的设置,能够消除外界噪音对采集线Sense采集到 的待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压) 的干扰,从而使检测电路的检测结果能够更加准确。
    本实施例中,如图4所示,斜坡电压发生??镽amp Gen包 括第一放大器OP1、第二放大器OP2、电流源L、第一电容C1和 控制开关Ramp_Str。第一放大器OP1的正输入端连接第三信号 线VSTR,第一放大器OP1的负输入端、第一放大器OP1的输出 端、控制开关Ramp_Str的第一端和第一电容C1的第一端连接; 第二放大器OP2的正输入端、第一电容C1的第二端、控制开关 Ramp_Str的第二端和电流源L的输出端连接;第二放大器OP2 的负输入端和第二放大器OP2的输出端连接;第二放大器OP2 的输出端连接第六晶体管T6的第二极。即第二放大器OP2的输 出端Ramp_out为斜坡电压发生??镽amp Gen的输出端。
    本实施例中,斜坡电压发生??镽amp Gen还包括校准电压 源Vtrim,校准电压源Vtrim的正极连接第二放大器OP2的正输 入端,校准电压源Vtrim的负极连接第二放大器OP2的负输入端; 校准电压源Vtrim用于校准第一放大器OP1正输入端和负输入端 之间的电压偏差以及第二放大器OP2正输入端和负输入端之间 的电压偏差。
    校准电压源Vtrim的设置,能对斜坡电压发生??镽amp Gen 中的两级放大器各自正负输入端之间的电压偏差进行校准,从而 使斜坡电压发生??镽amp Gen产生并输出的斜坡电压信号(也 即标准信号)更加准确,进而能使比较放大器comp经比较后输 出的比较结果更加准确,即提高了整个检测电路的检测结果的准 确度。
    需要说明的是,该检测电路也可以只对驱动管Q的阈值电压 或发光元件D的工作电压进行检测。
    另外需要说明的是,在本实施例中,驱动管Q、第一晶体管 T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体 管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶 体管T9、第十晶体管T10、第十一晶体管T11和第十二晶体管 T12优选均为薄膜晶体管,具有选通开关功能的其他类型的开关 管也具有同样的作用。当薄膜晶体管的栅极导通时,其第一极和 第二极之间导通。当薄膜晶体管的第一极的电压高时,电流从第 一极流向第二极;当薄膜晶体管的第二极的电压高时,电流从第 二极流向第一极。因此,薄膜晶体管的第一极为漏极时,其第二 极为源极;薄膜晶体管的第一极为源极时,其第二极为漏极。
    实施例1的有益效果:实施例1中所提供的检测电路,通过 设置切换单元、复位单元和比较单元,能够对像素电路中驱动管 的阈值电压和发光元件的工作电压进行检测,从而能够检测有源 矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性,进而 使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好 的补偿,提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显 示效果。
    实施例2:
    基于实施例1中所提供的检测电路的电路结构,本实施例提 供一种检测方法,用于检测像素电路中待检测的驱动管的阈值电 压和发光元件的工作电压,该检测方法包括:
    步骤S11:切换单元切换到使复位单元工作。
    步骤S12:复位单元在采集单元开始采集前对采集单元进行 复位。
    步骤S13:采集单元采集待检测电压(即驱动管的阈值电压 或发光元件的工作电压)。
    步骤S14:切换单元切换到使比较单元工作。
    步骤S15:采集单元采集驱动管的阈值电压和发光元件的工 作电压;比较单元将采集单元采集的信号与标准信号进行比较, 以获得待检测电压(即驱动管的阈值电压或发光元件的工作电 压)的表征量。
    当检测驱动管的阈值电压时,如图5所示:
    步骤S11具体包括:第二控制线Sel_sen输入控制信号,将 第二晶体管、第五晶体管和第七晶体管开启;同时将第三晶体管、 第四晶体管和第六晶体管关闭。
    该步骤中,第二控制线Sel_sen输入高电平控制信号。
    步骤S12具体包括:第三控制线Sel_vref输入控制信号, 将第八晶体管开启,同时将第九晶体管关闭,第一信号线VREFL 输入低电压信号并将采集线上的信号Vsense复位为低电压信 号。
    该步骤中,第三控制线Sel_vref输入低电平控制信号。比 较放大器comp用作输出用于复位采集线的低电压信号。
    本实施例中,如图2所示,像素电路还包括第十三晶体管 T13和存储电容C2,第十三晶体管T13的第一极连接数据线 DATA,第十三晶体管T13的第二极连接存储电容C2的第一极和 驱动管Q的栅极,第十三晶体管T13的栅极连接扫描控制线G1; 驱动管Q的第一极连接第一电源ELVDD,发光元件D的第二极连 接第二电源ELVSS。存储电容C2的第二极连接驱动管Q的第二 极、发光元件D的第一极和第一晶体管T1的第一极,第一晶体 管T1的第二极连接采集线Sense,第一晶体管T1的栅极连接第 一控制线G2。
    步骤S13具体包括:如图5所示,
    步骤S130:扫描控制线G1输入控制信号,将第十三晶体管 开启,数据线DATA写入第一电压信号VGm,使存储电容两端的 电压差大于驱动管的阈值电压。
    该步骤中,扫描控制线G1输入高电平控制信号。该步骤持 续时间TR。
    步骤S131:扫描控制线G1输入控制信号,将第十三晶体管 关闭,第一控制线G2控制第一晶体管开启,使驱动管的电流对 采集线的线电容充电。
    该步骤中,扫描控制线G1输入低电平控制信号。第一控制 线G2输入高电平控制信号。此时,采集线上的电压Vsense会线 性上升。充电持续时间TC。
    步骤S132:充电至采集线上的电压Vsense为驱动管的阈值 电压时,将第十三晶体管开启,数据线DATA写入第二电压信号 VG0,将驱动管关闭。
    该步骤中,数据线DATA写入的第二电压信号VG0为0V。当 驱动管关闭后,采集线上的电压Vsense保持驱动管的阈值电压 不变。
    步骤S14具体包括:第二控制线Sel_sen输入控制信号,将 第三晶体管、第四晶体管和第六晶体管开启;同时将第二晶体管、 第五晶体管和第七晶体管关闭。
    该步骤中,第二控制线Sel_sen输入低电平控制信号。
    步骤S15具体包括:
    步骤S150:斜坡电压发生??椴⑹涑霰曜夹藕?,该标 准信号为斜坡电压信号Vramp;比较放大器将采集线上的驱动管 的阈值电压与斜坡电压发生??槭涑龅男逼碌缪筕ramp进行比 较,并输出比较结果Comparator。
    步骤S132中驱动管关闭到步骤S150中斜坡电压发生??榭?始输出斜坡电压之间的间隔时间为TD。该步骤中,比较放大器用 作比较器。斜坡电压信号Vramp为一线性上升的斜坡电压,当采 集线上的电压Vsense(也即驱动管的阈值电压)大于斜坡电压 Vramp时,比较放大器输出为高电平;当采集线上的电压Vsense (也即驱动管的阈值电压)小于斜坡电压Vramp时,比较放大器 输出为低电平。
    该步骤中,斜坡电压发生??椴⑹涑霰曜夹藕诺墓?为:先将控制开关Ramp_Str闭合,对第一电容进行复位,使第 一电容两端均为第三信号线VSTR上输入的信号;然后将控制开 关Ramp_Str断开,通过电流源对第一电容充电获得斜坡电压 Vramp。
    步骤S151:当比较放大器输出的比较结果Comparator发生 变化时,逻辑控制器记录比较结果Comparator发生变化时所对 应的计数器Counter的计数值,并输出该计数值;该计数值表征 驱动管的阈值电压。
    该步骤中,由于斜坡电压Vramp由一个电流源对第一电容充 电形成,因此斜坡电压Vramp与充电时间是成正比的。在斜坡电 压Vramp开始上升时,由10位计数器Counter开始计时,当比 较放大器的比较结果Comparator由高变低时,将计数器Counter 的计数值存入寄存器Register。该计数值表征驱动管的阈值电 压。
    至此,驱动管的阈值电压检测完毕。
    本实施例中,检测方法在步骤S11之前还包括步骤S10:对 采集线的线电容进行校准;步骤S10具体包括:如图6所示,
    步骤S100:第五控制线NM输入控制信号,将第十一晶体管 开启;第二控制线Sel_sen输入控制信号,将第二晶体管、第五 晶体管和第七晶体管开启;第三控制线Sel_vref输入控制信号, 将第八晶体管开启,第一信号线输入低电压信号并将采集线上的 信号Vsense复位为低电压信号。同时,第六控制线CapRst输入 控制信号,将第十二晶体管开启;第二信号线输入高电压信号并 将校准电容上的信号复位为高电压信号。
    该步骤中,第五控制线NM输入高电平控制信号,第二控制 线Sel_sen输入高电平控制信号,第三控制线Sel_vref输入低 电平控制信号,第六控制线CapRst输入高电平控制信号。
    步骤S101:将第十一晶体管和第十二晶体管关闭;第四控 制线CapCal输入控制信号,将第十晶体管开启;校准电容与采 集线的线电容进行电荷分享。从而对采集线在采集前的线电容进 行了校准,提高了采集线采集的驱动管的阈值电压的准确度。
    该步骤中,第五控制线NM输入低电平控制信号,第六控制 线CapRst输入低电平控制信号,第四控制线CapCal输入高电平 控制信号。
    另外,本实施例中,检测方法还包括:在步骤S10之前,对 斜坡电压发生??橹械谝环糯笃骱偷诙糯笃鞯恼淙攵撕透?输入端之间的电压偏差进行校准;该校准过程具体包括:
    将控制开关闭合,电流源不对第一电容进行充电,第三信号 线输入第三电压信号;改变校准电压源的电压值,当第二放大器 的输出电压由高电压变为低电压或由低电压变为高电压时,自动 校准第一放大器和第二放大器的正输入端和负输入端之间的电 压偏差。
    该步骤中,第一放大器的正输入端和负输入端之间存在电压 偏差VOS1,第二放大器的正输入端和负输入端之间存在电压偏 差VOS2,第二放大器可复用作比较器。校准时,控制开关闭合, 斜坡电压发生??榈牡刃У缏啡缤?所示,第一放大器OP1的正 输入端与第二放大器OP2的负输入端连接。在第二放大器OP2 的正输入端和负输入端之间接入校准电压源Vtrim,斜坡电压发 生??榈氖涑鲂藕臨amp_out=VSTR+VOS1-(VOS2+Vtrim)(其 中,VSTR为斜坡电压发生??榈氖淙胄藕?,Vtrim为校准电压源 的校准信号),当VOS1-(VOS2+Vtrim)为正时,输出信号Ramp_out 为高电平;当VOS1-(VOS2+Vtrim)为负时,输出信号Ramp_out 为低电平;当输出信号Ramp_out由低变高或者由高变低时,恰 好校准第一放大器正负输入端之间的电压偏差VOS1和第二放大 器正负输入端之间的电压偏差VOS2。从而使斜坡电压发生???产生并输出的斜坡电压信号(也即标准信号)更加准确。
    当检测发光元件的工作电压时,如图8所示,
    步骤S11与上述驱动管的阈值电压检测时完全相同。此处不 再赘述。
    步骤S12具体包括:第三控制线Sel_vref输入控制信号, 将第九晶体管开启,同时将第八晶体管关闭,第二信号线VREFH 输入高电压信号并将采集线上的信号Vsense复位为高电压信 号。
    该步骤中,第三控制线Sel_vref输入高电平控制信号。比 较放大器comp用作输出用于复位采集线的高电压信号。
    步骤S13具体包括:
    步骤S130':扫描控制线G1输入控制信号,将第十三晶体 管开启,数据线DATA写入第二电压信号VG0,将驱动管关闭。
    该步骤中,扫描控制线G1输入高电平控制信号。该步骤持 续时间TR。
    步骤S131':第一控制线G2控制第一晶体管开启,采集线 上存储的电荷通过发光元件放电。
    该步骤中,第一控制线G2输入高电平控制信号。采集线上 复位的高电压信号Vsense通过发光元件放电。
    步骤S132':放电至采集线上的电压Vsense为发光元件的 工作电压时,将第一晶体管关闭。
    该步骤中,第一晶体管关闭后,采集线将不再有输出电压的 能力,此时,采集线上的电压Vsense保持发光元件的工作电压 不变。
    步骤S14与上述驱动管的阈值电压检测时完全相同,此处不 再赘述。
    步骤S15具体包括:
    步骤S150':斜坡电压发生??椴⑹涑鏊霰曜夹藕?, 该标准信号为斜坡电压信号Vramp;比较放大器将采集线上的发 光元件的工作电压与斜坡电压发生??槭涑龅男逼碌缪筕ramp 进行比较,并输出比较结果Comparator。
    步骤S132'中第一晶体管关闭到步骤S150'中斜坡电压发 生??榭际涑鲂逼碌缪怪涞募涓羰奔湮猅D。该步骤中,比较 放大器用作比较器。斜坡电压信号Vramp为一线性上升的斜坡电 压,当采集线上的电压Vsense(也即发光元件的工作电压)大 于斜坡电压Vramp时,比较放大器输出为高电平;当采集线上的 电压Vsense(也即发光元件的工作电压)小于斜坡电压Vramp 时,比较放大器输出为低电平。
    步骤S151':当比较放大器输出的比较结果Comparator发 生变化时,逻辑控制器记录比较结果Comparator发生变化时所 对应的计数器Counter的计数值,并输出该计数值;该计数值表 征发光元件的工作电压。
    该步骤中,由于斜坡电压Vramp由一个电流源对第一电容充 电形成,因此斜坡电压Vramp与充电时间是成正比的。在斜坡电 压Vramp开始上升时,由10位计数器Counter开始计时,当比 较放大器的比较结果Comparator由高变低时,将计数器Counter 的计数值存入寄存器Register。该计数值表征发光元件的工作 电压。
    至此,发光元件的工作电压检测完毕。
    在检测发光元件的工作电压时,对采集线的线电容进行校准 的步骤和对斜坡电压发生??橹械谝环糯笃骱偷诙糯笃鞯恼?输入端和负输入端之间的电压偏差进行校准的步骤均与驱动管 的阈值电压检测时完全相同,此处不再赘述。
    需要说明的是,该检测方法也可以只对驱动管的阈值电压或 发光元件的工作电压进行检测。
    实施例3:
    本实施例提供一种驱动系统,用于对像素电路进行驱动,包 括实施例1中的检测电路。
    通过采用实施例1中的检测电路,使该驱动系统不仅能够对 像素电路进行驱动,还能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件 内部像素显示亮度的不均匀性,进而使外部补偿电路能够根据检 测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿,提高有源矩阵有机电 致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
    可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理 而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领 域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况 下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的 ?;し段?。

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