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    重庆时时彩后三组六包九码稳赚吗: 利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201510965273.4

    申请日:

    2015.12.21

    公开号:

    CN105606332A

    公开日:

    2016.05.25

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G01M 9/02申请日:20151221|||公开
    IPC分类号: G01M9/02; G01K7/18 主分类号: G01M9/02
    申请人: 中国航天空气动力技术研究院
    发明人: 王丹; 陈星; 卢洪波; 林键
    地址: 100074 北京市丰台区云岗西路17号
    优先权:
    专利代理机构: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 史霞
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510965273.4

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2016.06.22|||2016.05.25

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法,包括:按照传统的方法加工玻璃基底,对所述玻璃基底的镀膜面进行抛光;将得到的抛光的玻璃基底的镀膜面进行镀铂膜,并进行热处理;将得到的镀铂膜的玻璃基底卡设在可转动卡具上,利用激光直写技术扫描镀铂膜面的玻璃基底以得到具有预设图案以及特定宽度的铂电阻;对所述铂电阻进行银浆描涂引线操作,并经过热处理使银浆浆料烘干和固结。本发明方法制造整体式薄膜铂电阻传感器加工周期短、成品率高、大幅度提高了产品的生产效率和质量。

    权利要求书

    1.一种利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法,包括以
    下步骤:
    步骤一、按照传统的方法加工玻璃基底,对所述玻璃基底的镀膜面进行
    抛光;
    步骤二、将所述步骤一得到的抛光的玻璃基底的镀膜面进行镀铂膜,并
    进行热处理;
    步骤三、将所述步骤二得到的镀铂膜的玻璃基底卡设在可转动卡具上,
    利用激光直写技术扫描镀铂膜面的玻璃基底以得到具有预设图案以及特定宽
    度的铂电阻;
    步骤四、对所述铂电阻进行银浆描涂引线操作,并经过热处理使银浆浆
    料烘干和固结。
    2.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,所述步骤三中,所述扫描包括:利用计算机控制激光打标机,
    调整合适的激光打标机参数,根据计算机上绘制的扫描路径来扫描镀铂膜面,
    使扫描区域的镀铂膜面在激光高能量的作用下脱去铂层,而未经扫描的区域
    留下镀铂膜层,即得到具有预设图案的铂电阻。
    3.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,在所述步骤三中,在得到具有预设图案的铂电阻之后还包括
    步骤:对得到的铂电阻进行阻值测量,并按照阻值进行判定,当阻值在60~80
    欧姆之间时,进入所述步骤四,而如果阻值不在上述区间,则视为不合格品,
    再次利用激光直写技术去除铂电阻层,再次进入所述步骤二。
    4.如权利要求2所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,所述激光打标机采用的是HR-YDP-50L半导体激光打标机,
    所述激光打标机采用的激光重复频率大于3kHz。
    5.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,在所述步骤二中,热处理具体包括:首先,充入氩气,当温
    度升高到600℃时,保持温度4个小时,然后,停止保温,开始冷却,当镀
    膜冷却到160℃时,保持温度持续24小时,最后,停止保温并自然冷却至室
    温后取出。
    6.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,在所述步骤二中,采用真空粒子溅射镀膜机对抛光的玻璃基
    底的镀膜面进行镀铂膜。
    7.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,在所述步骤一中,采用机械抛光方法将所述玻璃基底的镀膜
    面抛光至表面粗糙度Ra0.012μm。
    8.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,在所述步骤三中,根据公式R=ρl/s对所述特定宽度进行估算,
    其中,ρ为电阻率,l为铂电阻的长度,s为铂电阻横截面积。
    9.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器
    的方法,其中,在所述步骤四中,经过热处理使银浆浆料烘干和固结步骤具
    体包括:烘干温度保持在150℃,烘干时间为15分钟;固结温度为550℃,
    时间保持15分钟。
    10.如权利要求1所述的利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感
    器的方法,其中,在所述步骤四之后还包括步骤:进行焊线与标定操作完成
    传感器的制造。

    关 键 词:
    利用 激光 技术 制造 整体 薄膜 铂电阻 传感器 方法
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