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    电压 控制系统
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    摘要
    申请专利号:

    CN201110052244.0

    申请日:

    2011.03.02

    公开号:

    CN102193573A

    公开日:

    2011.09.21

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20110302|||公开
    IPC分类号: G05F1/56 主分类号: G05F1/56
    申请人: 株式会社电装
    发明人: 金森贤树
    地址: 日本爱知县
    优先权: 2010.03.02 JP 045708/2010
    专利代理机构: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110052244.0

    授权公告号:

    102193573B||||||

    法律状态公告日:

    2013.12.25|||2011.11.23|||2011.09.21

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种电压控制系统(1,2,3,4),所述电压控制系统(1,2,3,4)配置有恒压电路(10,10a,10b,10c)、半导体封装(20,20a,20b,20c)以及电源封装(30)。所述电源封装(30)的电源芯片(31,31a,31b,31c)被配置成基于供应到所述半导体封装(20,20a,20b,20c)的输入电压(FB1)和半导体器件(21,21a,21b,21c)的操作电压(FB2)来控制所述恒压电路(10,10a,10b,10c),使得所述输入电压(FB1)随着所述输入电压(FB?1)和所述操作电压(FB2)之间的电压差的增加而降低。

    权利要求书

    1.一种电压控制系统,包括:恒压电路(10,10a,10b);半导体封装(20,20a,20b,20c),包括半导体器件的半导体芯片(21,21a,21b,21c)集成在所述半导体封装(20,20a,20b,20c)中;以及电压控制电路(31,31a,31b,31c),所述电压控制电路(31,31a,31b,31c)被配置成基于输入电压和所述半导体器件的操作电压来控制所述恒压电路,所述输入电压从所述恒压电路供应到所述半导体封装,所述操作电压与所述半导体封装的泄漏电流和操作电流相对应。其特征在于配置所述电压控制电路(31,31a,31b,31c),使得从所述恒压电路供应到所述半导体封装的所述输入电压随着所述输入电压与所述操作电压之间的电压差的增加而降低。2.根据权利要求1所述的电压控制系统,其中:所述电压控制电路(31,31a,31b,31c)包括第一运算放大器(311)和第二运算放大器(312);所述第一运算放大器(311)被配置成接收所述输入电压和所述操作电压,并且输出与所述输入电压和所述操作电压之间的所述电压差相对应的差分电压;并且所述第二运算放大器(312)被配置成接收所述操作电压以及随着所述差分电压变化的电压,并且基于所接收的电压来导通和关断所述恒压电路。3.根据权利要求1所述的电压控制系统,其中:所述电压控制电路(31,31a,31b,31c)包括第一运算放大器(311)和第二运算放大器(312);所述第一运算放大器(311)被配置成接收所述输入电压和所述操作电压,并且输出与所述输入电压和所述操作电压之间的电压差相对应的差分电压;并且所述第二运算放大器(312)被配置成接收所述输入电压以及随着所述差分电压变化的电压,并且基于所接收的电压来导通和关断所述恒压电路。4.根据权利要求1到3中任一项所述的电压控制系统,其中:所述电压控制电路(31,31a,31b,31c)形成在集成在电源封装(30)中的电源芯片(31,31a,31b,31c)中;所述半导体封装(20,20a,20b,20c)包括用于接收和监测所述半导体器件的所述操作电压的操作电压监测端子(23);并且所述电源封装(30)包括用于接收和监测供应到所述半导体封装的所述输入电压的输入电压监测端子(32)。5.根据权利要求1到3中任一项所述的电压控制系统,其中:所述电压控制电路(31,31a,31b,31c)形成在电源芯片(31a,31b,31c)中;所述半导体封装(20,20a,20b,20c)包括都集成在单个封装中的所述半导体芯片(21,21a,21b,21c)、所述电源芯片(31a,31b,31c)以及插入体(24,24a,24b),所述插入体连接所述半导体芯片和所述电源芯片;所述半导体封装(20,20a,20b,20c)包括用于接收和监测所述半导体器件的所述输入电压的输入电压监测端子(32);并且所述电源芯片(31,31a,31b,31c)被配置成通过所述插入体来接收所述半导体器件的所述操作电压,并且通过所述输入电压监测端子来接收供应到所述半导体封装的所述输入电压。6.根据权利要求1到3中任一项所述的电压控制系统,其中:所述电压控制电路(31,31a,31b,31c)形成在电源芯片(31a,31b,31c)中;所述半导体封装(20,20a,20b,20c)包括都集成在单个封装中的半导体芯片(21,21a,21b,21c)、电源芯片(31a,31b,31c)以及插入体(24,24a,24b),所述插入体连接所述半导体芯片和所述电源芯片;并且所述电源芯片(31a,31b,31c)被配置成通过所述插入体来接收所述半导体器件的所述操作电压以及所述半导体封装的所述输入电压二者。

    说明书

    电压控制系统

    技术领域

    本发明涉及一种具有用于控制恒压电路的电压控制电路的电压控制系统,所述恒压电路向其间集成有半导体器件的半导体芯片的半导体封装供应电功率。

    背景技术

    已知,在通过具有小于90nm设计规则的先进半导体工艺制造的半导体芯片中,半导体器件的功率消耗与操作功率和泄漏功率的总和相对应。

    操作功率取决于到半导体芯片的输入电压的大小并且在取决于半导体制造工艺中的变化的半导体芯片之间很少变化。操作功率以及半导体器件的功率消耗随着该相同半导体器件的输入电压增加而增加。

    泄露功率取决于半导体芯片的电流特性,即取决于晶体管的阈值电压的大小。因此泄露功率在取决于半导体制造工艺中的变化的半导体芯片之间变化。由于泄露电流随着阈值电压降低而增加,因此与具有较小泄露功率的半导体芯片相比较,具有较大泄露功率的半导体芯片具有更好的开关特性。

    因此,通过将具有较大泄露功率的半导体芯片的输入电压降低到小于具有较小泄露功率的半导体芯片的输入电压,能够降低半导体芯片的功率消耗并且维持半导体芯片的开关频率基本不变。

    参考图9对此进行更详细的描述。在图9中,图9(a)和图9(b)示意性示出了分别相对于两个半导体芯片样品A和B作为操作功率Po和泄露功率P1总和的功率消耗Pc的细节。假设样品A和B通过相同的制造工艺制造,假设样品A和B的泄露功率P1分别为小和大,并且将相同的输入电压施加到样品A和B。

    如从图9(a)和图9(b)所理解的,操作功率Po在样品A和B之间通常相同,但是样品B比样品A具有更大的泄露功率Pl。因此,样品B的阈值电压Vth低于样品A的阈值电压,并且样品B的操作频率(即可操作的开关频率)的极限值高于样品A的极限值。

    因此,提出降低到样品B的输入电压,以使得如图8(c)所示,在将其操作频率维持在通常与样品A的操作频率的相同极限值处的同时,将其功率消耗Pc从功率等级Pb降低到样品A的功率等级Pa。

    在下面的非专利文献中公开了使用上述芯片特性的该技术(VID:动态电压识别)。

    Intel公司,“Voltage?Regulator-Down(VRD)11.0”第27-28页,2006年11月

    根据该VID技术,如图10所示,电压控制系统100配置有半导体封装110和电源LSI(PS-LSI)120。半导体封装110包括CPU?111和非易失性存储器112,并且使用专用标准产品(ASSP)进行集成。CPU?111和非易失性存储器112与半导体芯片相对应。电源LSI?120包括DC-DC转换器121。连接半导体封装110和电源LSI?120以执行串行通信,并且将来自电源LSI120(特别是DC-DC转换器121)的电功率供应到半导体封装110。

    在电压控制系统100中,在制造之后测试半导体封装110的操作功率以及操作频率的极限值。以测试结果为基础确定电压值(VID)并且将该电压值存储在非易失性存储器112中。配置电源LSI?120的DC-DC转换器121以利用串行通信从半导体封装110获取VID,并且根据所获取的VID来设置到半导体封装110的输入电压。因而,电压控制系统100节约半导体封装110的功率消耗。

    然而,根据传统技术,需要在半导体芯片测试工艺中在每一个半导体芯片中存储电压值(VID)。结果,半导体芯片测试工艺复杂并且增加成本。在集成多个半导体芯片(Sip:系统级封装)的情况下,半导体芯片测试工艺更加复杂。

    发明内容

    因此,本发明的目的在于提供一种电压控制系统电路,其能够在不具有复杂测试工艺的情况下降低半导体芯片的电功率消耗。

    根据本发明,一种电压控制系统配置有恒压电路、半导体封装以及电压控制电路。所述半导体封装被配置成包括其中集成有半导体器件的半导体芯片。所述电压控制电路被配置成基于从所述恒压电路供应到所述半导体封装的输入电压以及与所述半导体封装的泄露电流和操作电流相对应的所述半导体器件的操作电压来控制所述恒压电路。配置所述电压控制电路,使得从所述恒压电路供应到所述半导体封装的所述输入电压随着所述输入电压和所述操作电压之间的电压差的增加而降低。

    附图说明

    通过下面参考附图进行的详细描述,本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得更显而易见。在附图中:

    图1是示出了根据本发明的电压控制系统的第一实施例的电路图;

    图2是详细示出了被制造为第一实施例的电源芯片的电压控制电路的电路图;

    图3是示出了在第一实施例中通过电压控制电路设置并且施加到半导体封装的输入电压的示例的表;

    图4是示出了根据本发明的电压控制系统的第二实施例的电路图;

    图5是示出了根据本发明的电压控制系统的第三实施例的电路图;

    图6是示出了根据本发明的电压控制系统的第四实施例的电路图;

    图7是示出了在第四实施例中通过电压控制电路设置并且施加到半导体封装的输入电压的示例的表;

    图8是示出了作为本发明第四实施例的变型的电压控制电路的一部分的电路图;

    图9是示出了通过相同半导体制造工艺制造的不同样品的功率消耗的示意图;以及

    图10是示意性示出了传统电压控制系统的方框图。

    具体实施方式

    (第一实施例)

    首先参考图1,电压控制系统1包括恒压电路10、半导体封装20以及电源封装LSI(PS-LSI)30。

    恒压电路10包括恒压源11、开关元件12、二极管13、电感器14以及电容器15。源11是生成并且向开关元件12供应恒定电压的传统电压调节器源??卦?2是传统晶体管并且由从电源封装30施加到其栅极的控制电压进行控制以导通和截止。在开关元件12导通时,将由恒压源11生成的恒定电压通过开关元件12等供应到恒压电路10的外部部件。在开关元件12截止时,不将由恒压源11生成的恒定电压供应到恒压电路10的外部部件。根据开关元件12的导通-截止操作控制并且通过二极管13、电感器14和电容器15平滑由恒压源11生成的恒定电压的大小。然后将经平滑的电压从恒压电路10外部供应到半导体封装20。恒压电路10被配置成能够将其输出电压设置在0.0[V]到2.0[V]的范围内,所述输出电压为到半导体封装20的输入电压。

    半导体封装20是通用LSI,其功能限于在特定领域中使用,并且由专用标准产品(ASSP)来制造。在半导体封装20中,集成其中制造有半导体器件的半导体芯片21。半导体器件包括逻辑电路,所述逻辑电路例如包括CPU、非易失性存储器等等。半导体器件具有三个电源端子22和操作电压监测端子23。提供电源端子22以将来自恒压电路10的电功率供应到半导体器件,例如半导体芯片21等等。提供操作电压监测终端23以监测半导体器件操作的操作电压。

    由于泄露电流从恒压电路10流入半导体芯片21,从恒压电路10供应到电源端子22的输入电压下降。结果,在供应到半导体封装20的输入电压与半导体器件的操作电压之间存在差异。在第一实施例中,半导体器件的操作电压为1.1[V]。

    将端子23连接到电源封装30的操作电压监测端子33并且然后连接到第一运算放大器311的反相输入端子以及第二运算放大器312的同相输入端子。因而将器件连接到电源封装30。由于第一运算放大器311和第二运算放大器312具有各自的高输入阻抗,因此在半导体封装20和电源封装30之间通常没有电流流动。

    将电源封装30制造为电源LSI并且作为与封装20分离的封装。在电源封装30中存在制造电压控制电路的电源芯片31。因而,电源芯片31通常与电压控制电路相对应。封装30具有输入电压监测端子32、操作电压监测端子33以及栅极驱动器端子34。提供端子32以监测供应到半导体封装20的输入电压。提供操作电压监测端子33以监测在半导体芯片21中制造的半导体器件操作的操作电压。提供栅极驱动器端子34以向开关元件12的栅极电极输出控制电压。

    电压控制电路以半导体封装20的输入电压FB1以及半导体器件的操作电压FB2为基础来控制恒压电路10,其中操作电压FB2比输入电压FB1小与半导体芯片21的泄露电流和操作电流相对应的电压降。即,供应到半导体封装20的输入电压FB1随着输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差的增加和降低而分别降低和增加。

    除了第一运算放大器311和第二运算放大器312,电压控制电路还配置有固定电阻器313和可变电阻器314。图1中示出了仅具有一个可变电阻器314的电压控制电路。然而如图2所示,可以配置为具有A-D转换器(ADC)314a、解码器314b、固定电阻器314c到314e和开关元件314f到314h作为可变电阻器314。

    第一运算放大器311的同相输入端子、反相输入端子和输出端子分别连接到端子32、操作电压监测端子33和ADC?314a。解码器314b在其前级(输入侧)连接到ADC?314a并且在其后级(输出侧)连接到开关元件314f到314h。固定电阻器313、314c到314e串联连接到内部恒压源315。第二运算放大器312的同相输入端子和输出端子分别连接到操作电压监测端子33和栅极驱动器端子34。第二运算放大器312的反相输入端子分别经过开关元件314f连接到位于固定电阻器313和314c之间的结,经过开关元件314g连接到位于固定电阻器314c和314d之间的结,并且经过开关元件314h连接到固定电阻器314d和314e之间的结。

    第一运算放大器311向可变电阻器314输出与半导体封装20的输入电压FB1和半导体器件的操作电压FB2之间的电压差(FB1-FB2)相对应的输出电压。将输入电压FB1和操作电压FB2分别输入到输入电压端子32和操作电压监测端子33。

    更具体而言,第一运算放大器311向ADC?314a输出与电压差(FB1-FB2)相对应的输出电压,并且ADC?314a将第一运算放大器311的输出电压转换为相对应的数字值,即离散值(离散电压)。解码器314b根据从ADC?314a输入的ADC?314a的离散电压导通或者截止开关元件314f到314h。

    在开关元件314f到314h中的开关元件314f导通时,将第一分压输入到第二运算放大器312的反相输入端子。通过由固定电阻器313和固定电阻器314c到314e划分内部恒压源315的恒定电压来产生第一分压。在开关元件314f到314h中的开关元件314g导通时,将第二分压输入到第二运算放大器312的反相输入端子。通过由固定电阻器313和314c以及固定电阻器314d和314e划分内部恒压源315的恒定电压来产生第二分压,并且因而低于第一分压。在开关元件314f到314h中的开关元件314h导通时,将第三分压输入到第二运算放大器312的反相输入端子。通过由固定电阻器313、314c和314d以及固定电阻器314e划分内部恒压源315的恒定电压来产生第三分压,并且因而低于第二分压。

    第一运算放大器311的输出电压随着输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差增加而增加。随着第一运算放大器311的输出电压增加,在第二运算放大器312的反相输入端子处的分压成比例地增加。随着在第二运算放大器312的反相输入端子处的分压增加并且接近操作电压FB2,即随着操作电压FB2与分压之间的电压差降低,与用于开关元件12的控制电压相对应的第二运算放大器312的输出电压降低。在开关元件12由于控制电压的降低而截止时,输入电压FB1下降。

    随着输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差降低,第一运算放大器311的输出电压降低。随着第一运算放大器311的输出电压降低,在第二运算放大器312的反相输入端子处的分压成比例地降低。随着在第二运算放大器312的反相输入端子处的分压降低并且偏离操作电压FB2,即,随着操作电压FB2和分压之间的电压差增加,与用于开关元件12的控制电压相对应的第二运算放大器312的输出电压增加。在开关元件12由于控制电压的增加而导通时,输入电压FB1升高。

    根据第一实施例,如图3所示,电压控制电路控制开关元件12。即,在输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差例如大至0.1[V]时,控制开关元件12以将操作电压FB2降低到1.0[V]。在输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差例如为0.05[V]小时,控制开关元件12以将操作电压FB2升高到1.2[V]。

    如上所述,输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差由电压降升高,所述电压降随着半导体芯片21的泄露电流和操作电流的大小变化。然而,操作电流很少取决于半导体制造工艺中的变化而变化。因此,电压差通常与泄露电流的大小,即泄露功率的大小相对应??刂坪阊沟缏?0以使得输入电压FB1随着电压差的增加和降低而分别降低和增加。因而,电压控制电路随着半导体封装20具有较大泄露功率和较小泄露功率而分别降低和增加输入电压FB1。结果,即使半导体封装20具有大的泄露功率,也能够在半导体封装具有小泄露功率时维持操作频率的通常相同的极限值的同时降低其功率消耗。

    因而,与传统技术相反,电压控制电路不需要在测试工艺中提供设置的电压值(VID)。结果,用于半导体封装20的测试工艺不复杂。

    (第二实施例)

    根据第二实施例,如图4所示,以与电压控制系统1类似的方式来配置电压控制系统2。然而,电压控制系统2与电压控制系统1的不同之处在于下面几点。

    在电压控制系统1中,包括电压控制电路的电源芯片31以及包括半导体器件的半导体芯片21分别集成在单独的电源封装30和半导体封装20中。然而,在电压控制系统2中,在电源芯片31a中提供电压控制电路,并且电源芯片31a与半导体芯片21a集成在相同的单个半导体封装20a中,因而形成Sip(系统级封装)。

    在电压控制系统2中,电压控制电路形成在电源芯片31a中。在半导体封装20a中,半导体芯片21a、电源芯片31a以及插入体(interposer)24集成为单体。插入体24电连接半导体芯片21a和电源芯片31a。封装20a具有用于监测供应到半导体封装20a的输入电压FB1的输入电压监测端子32。电源芯片31a通过插入体24来接收半导体器件的操作电压FB2,并且还通过端子32来接收半导体封装20a的输入电压FB1。

    根据第二实施例,半导体芯片21a和电源芯片31a在相同的封装20a中通过插入体24电连接,并且因此能够去除在第一实施例中提供的端子22和操作电压监测端子33。

    (第三实施例)

    根据第三实施例,如图5所示,以与电压控制系统1类似的方式来配置电压控制系统3。然而,电压控制系统3与电压控制系统1的不同之处在于下面几点。

    在电压控制系统1中,包括电压控制电路的电源芯片31以及包括半导体器件的半导体芯片21分别集成在单独的电源封装30和半导体封装20中。然而,在电压控制系统3中,在电源芯片31a中提供电压控制电路,并且电源芯片31a与半导体芯片21a集成在相同的单个半导体封装20b中,因而以与电压控制系统2类似的方式形成Sip(系统级封装)。

    在电压控制系统3中,在电源芯片31a中形成电压控制电路。在半导体封装20b中,将半导体芯片21a、电源芯片31a以及插入体24a集成为单体。插入体24a电连接半导体芯片21a和电源芯片31a。芯片31a通过插入体24a来接收半导体器件的操作电压FB2以及半导体封装20b的输入电压FB1。

    根据第三实施例,半导体芯片21a和电源芯片31a通过插入体24a电连接,能够去除在第一实施例中提供的端子23、端子32以及操作电压监测端子33。

    (第四实施例)

    根据第四实施例,如图6和图7所示,以与电压控制系统3类似的方式来配置电压控制系统4。然而,电压控制系统4与电压控制系统3的不同之处在于下面几点。

    在电压控制系统3中,半导体芯片21a和电源芯片31a在半导体封装20b中形成为一组。然而,在电压控制系统4中,两个半导体芯片21b、21c和两个电源芯片31b、31c在单个半导体封装20c中形成为两组。也将两个恒压电路10a和10b设置为一组。在第四实施例中,半导体芯片21b和半导体芯片21c的操作电压分别为1.1[V]和1.75[V]。

    根据第四实施例,电源芯片31b控制恒压电路10b的开关元件12b。即,如图7中作为一个示例所表示的,在输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差例如大至0.1[V]时,控制开关元件12b以将输入电压FB1降低到1.0[V]。在输入电压FB1与操作电压FB2之间的电压差例如小至0.05[V]时,控制开关元件12b以将电压FB1升高到1.2[V]。

    此外,如图所示,电源芯片31c控制开关元件12c。即,如在图7中示例的,在输入电压FB3和操作电压FB4之间的电压差例如大至0.15[V]时,控制开关元件12c以将输入电压FB3降低到1.75[V]。在输入电压FB3与电压FB4之间的电压差例如小至0.05[V]时,控制开关元件12b以将电压FB3升高到1.9[V]。

    如果在相同半导体封装20c中形成多组半导体芯片和电源芯片,则测试工艺必定复杂并且使用传统VID变得不可能。然而,根据电压控制系统4,即使将半导体芯片21b、21c以及电源芯片31b、31c在相同封装20c中成对地设置,测试工艺也不复杂。在第四实施例中,半导体芯片和电源芯片成对的数量并不限于两个,而是可以多于两个。

    (其它实施例)

    电压控制系统并不限于第一到第四实施例的配置,而是可以进行不同的配置。例如,可以按照下述方式来修改实施例。

    在第一到第四实施例中,电源芯片31包括用于改变可变电阻器314的电阻的第一运算放大器311以及用于切换恒压电路10、10a和10b的导通-截止状态的第二运算放大器312??裳〉?,如图8所示,可以将第二运算放大器312配置成通过接收输入电压FB1和由固定电阻器313和可变电阻器314实现的分压并且以这些接收的电压为基础控制恒压电路10来切换恒压电路10、10a和10b的导通-截止状态。

    电源芯片31(包括其变型)不需要包括内部恒压源315、固定电阻器313和可变电阻器314??梢远缘缭葱酒?1进行不同配置,只要其控制恒压电路10,以使得供应到半导体封装20的输入电压FB1随着输入电压FB1和操作电压FB2之间的电压差增加而降低。

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