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    重庆时时彩定位胆心得: 光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法.pdf

    关 键 词:
    光刻 设备 使用 制造 器件 方法
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    摘要
    申请专利号:

    CN201110052100.5

    申请日:

    2011.03.02

    公开号:

    CN102193328A

    公开日:

    2011.09.21

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20110302|||公开
    IPC分类号: G03F7/20 主分类号: G03F7/20
    申请人: ASML荷兰有限公司
    发明人: R·W·L·拉法瑞; M·瑞鹏; R·H·M·考蒂; R·J·梅杰尔斯; F·伊凡吉里斯塔
    地址: 荷兰维德霍温
    优先权: 2010.03.04 US 61/310,432
    专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110052100.5

    授权公告号:

    102193328B||||||

    法律状态公告日:

    2014.04.09|||2011.11.23|||2011.09.21

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法。一种用于光刻设备的液体处理结构包括:液滴控制器,配置成允许浸没液体的液滴从所述结构损失且防止所述液滴与所限制的浸没液体的弯液面碰撞。液滴控制器可以包括气刀,所述气刀布置成交叠以阻挡进入的液滴??梢陨柚糜杏胗糜诔槿〈┕湎兜囊禾宓钠吨涞募湎抖云氲某槿】?。允许液滴穿过间隙逸出。

    权利要求书

    1.一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者;和液滴控制器,所述液滴控制器在所述空间的径向向外位置上,配置成允许浸没液体的液滴从所述液滴控制器的径向向内位置穿过至所述液滴控制器的径向向外位置,和防止液滴从所述液滴控制器的径向向外位置到达所述液滴控制器的径向向内位置。2.根据权利要求1所述的浸没式光刻设备,其中所述液滴控制器包括多个细长气体出口开口,所述细长气体出口开口配置成朝向所述正对表面引导气流。3.一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者;和多个细长气体出口开口,所述多个细长气体出口开口在所述空间的径向向外位置上,配置成朝向所述正对表面引导气流,其中在沿着所述正对表面的扫描方向观看时和/或在沿着垂直于所述扫描方向的方向观看时,所述细长气体出口开口中的相邻的一对细长气体出口开口交叠。4.根据权利要求2或3所述的浸没式光刻设备,还包括液体抽取开口,在从所述正对表面的扫描方向观看时,所述液体抽取开口与相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。5.一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者;和液滴控制器,所述液滴控制器在所述空间的径向向外位置上,所述液滴控制器包括:多个细长气体出口开口,所述多个细长气体出口开口配置成朝向所述正对表面引导气流;和多个液体抽取开口,每个液体抽取开口相对于正对结构的扫描方向和/或步进方向与相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。6.根据权利要求4或5所述的浸没式光刻设备,其中所述多个液体抽取开口中的至少一个设置在所限制的浸没液体的弯液面和所述细长气体出口开口之间。7.根据权利要求2至6中任一项所述的浸没式光刻设备,还包括俘获式气体出口开口,所述俘获式气体出口开口以在垂直于所述正对表面的扫描方向的方向和各自的细长气体出口开口的延伸方向之间的一角度从所述各自的细长气体出口开口的径向向内的一端延伸。8.根据权利要求2至7中任一项所述的浸没式光刻设备,其中所述细长气体出口开口布置在所述空间的径向向外位置上的有角的形状的线上,其中在所述形状的角处,液体抽取开口定位在V形气体出口开口的径向向内位置上,且所述V形气体出口开口的尖端指向径向向外的方向。9.根据权利要求2至8中任一项所述的浸没式光刻设备,其中所述细长气体出口开口配置成以相对于所述正对表面的法线的锐角引导气流。10.根据权利要求2至9中任一项所述的浸没式光刻设备,其中所述液体处理结构包括成封闭图形形式的连续气体出口开口,所述连续气体出口开口配置成朝向所述空间的径向向外位置上的所述正对表面引导气流。11.一种使用光刻设备制造器件的方法,所述方法包括步骤:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底两者的正对表面之间的空间中;沿扫描方向相对于所述投影系统移动所述正对表面;和通过以下方式来操纵浸没液体的液滴:允许所述液滴从液滴控制器的径向向内位置穿过至所述液滴控制器的径向向外位置,其中所述液滴控制器在所述空间的径向向外位置上,和防止所述液滴从所述液滴控制器的径向向外位置穿过至所述液滴控制器的径向向内位置。12.一种使用光刻设备制造器件的方法,所述方法包括步骤:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底两者的正对表面之间的空间中;沿扫描方向相对于所述投影系统移动所述正对表面;和朝向所述正对表面引导气流通过所述空间的径向向外位置上的多个细长气体出口开口,其中在沿着所述正对表面的扫描方向观看时和/或在沿着垂直于所述扫描方向的方向观看时,所述细长气体出口开口中的相邻的一对细长气体出口开口交叠。13.一种液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者,所述液体处理结构包括在所述空间的径向向外位置上的液滴控制器,所述液滴控制器配置成允许浸没液体的液滴从所述液滴控制器的径向向内位置穿过至所述液滴控制器的径向向外位置和防止液滴从所述液滴控制器的径向向外位置穿过至所述液滴控制器的径向向内位置。14.一种液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者,所述液体处理结构包括在所述空间的径向向外位置上的多个细长气体出口开口,所述细长气体出口开口配置成朝向所述正对表面引导气流,其中在沿着所述正对表面的扫描方向观看时和/或沿着垂直于所述扫描方向的方向观看时,所述细长气体出口开口中的相邻的一对细长气体出口开口交叠。15.一种液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者,所述液体处理结构包括在所述空间的径向向外位置上的液滴控制器,所述液滴控制器包括:多个细长气体出口开口,所述多个细长气体出口开口配置成朝向所述正对表面引导气流;和多个液体抽取开口,每一液体抽取开口相对于所述正对表面的扫描方向和/或步进方向与相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。

    说明书

    光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法

    技术领域

    本发明涉及一种光刻设备和使用光刻设备制造器件的方法。

    背景技术

    光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩?;蜓谀0娴耐及感纬勺爸糜糜谏纱纬稍谒鯥C的单层上的电路图案??梢越猛及缸频匠牡?例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地,经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常,单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓步进机,在所述步进机中,通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓扫描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分?;箍梢酝ü鐾及秆褂〉剿龀牡咨?,而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

    已提出将光刻投影设备中的衬底浸没在具有相对高的折射率的液体(例如,水)中,以填充介于投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施例中,所述液体是蒸馏水,但是也可使用另一种液体。将参考液体对本发明的实施例进行描述。然而,另一种流体也可能是适合的,特别是润湿性流体、不可压缩的流体和/或其折射率比空气的折射率更高的流体,期望地是其折射率比水的折射率更高的流体。尤其期望是除气体之外的流体。由于曝光辐射在所述液体中具有更短的波长,所以上述做法的目的在于能够使更小的特征成像。(所述液体的作用还可以看作是增加了系统的有效的数值孔径(NA)并且增大焦深)?;固岢隽似渌灰禾?,包括其中悬浮有固体微粒(例如,石英)的水,或具有纳米颗粒的悬浮物(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。所述悬浮的颗??赡芫哂谢蚩赡懿痪哂杏胨切∷诘囊禾逑嗨苹蛳嗤恼凵渎?。包括烃(例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液)的其它液体可能也是适合的。

    将衬底或者衬底和衬底台浸没在液体浴器中(例如,见美国专利No.4,509,852)意味着在扫描曝光过程中必须要加速大体积的液体。这需要另外的或者更大功率的电动机,并且液体中的湍流可能导致不期望的或者不可预料的影响。

    在浸没式设备中,由液体处理系统、装置、结构或设备来处理浸没流体。在一实施例中,液体处理结构可以供给浸没流体,因此可以是流体供给系统。在一实施例中,液体处理结构可以至少部分地限制浸没流体,由此可以是流体限制系统。在一实施例中,液体处理结构可以给浸没流体提供阻挡件,由此是阻挡构件,例如流体限制结构。在一实施例中,液体处理结构可以产生或使用气体流,例如帮助控制浸没流体的流量和/或位置。气体流可以形成限制浸没流体的密封,因此液体处理结构可以称为密封构件;这样的密封构件可以是流体限制结构。在一实施例中,浸没液体被用作浸没流体。参考上述的描述,对关于流体进行定义的特征的在本段落中的表示可以理解成包括关于液体进行定义的特征。

    发明内容

    在浸没光刻术中,一些液体可能从空间流失到被曝光的衬底或支撑衬底的衬底台上。流失的液体可能引起缺陷风险。例如,在表面(例如衬底或衬底台的表面)上出现的液体的液滴,其之后与空间中的液体(例如液体的弯液面)碰撞,可能引起气体体积的形成,诸如空间中的气泡。气泡可能干扰被朝向衬底的目标部分引导的成像辐射,以至于影响了衬底上的成像图案。

    例如期望减小或消除这样的或其它的成像缺陷的风险??赡芷谕3只蛏踔猎黾由?。

    根据一个方面,提供了一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者的表面;和液滴控制器,所述液滴控制器在所述空间的径向向外位置上,配置成允许浸没液体的液滴从所述液滴控制器的径向向内位置穿过至所述液滴控制器的径向向外位置,和防止液滴从所述液滴控制器的径向向外位置到达所述液滴控制器的径向向内位置。

    根据一个方面,提供了一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者的表面;和多个细长的气体出口开口,所述多个细长的气体出口开口在所述空间的径向向外位置上,配置成朝向所述正对表面引导气流,其中在沿着所述正对表面的扫描方向观看时和/或在沿着垂直于所述扫描方向的方向观看时,相邻的一对所述细长气体出口开口交叠。

    根据一个方面,提供了一种浸没式光刻设备,所述浸没式光刻设备包括:液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者的表面;和液滴控制器,所述液滴控制器在所述空间的径向向外位置上,所述液滴控制器包括:多个细长气体出口开口,所述多个细长气体出口开口配置成朝向所述正对表面引导气流;和多个液体抽取开口,每个液体抽取开口相对于相对结构的扫描方向和/或步进方向与相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。

    根据一个方面,提供了一种使用光刻设备制造器件的方法,所述方法包括:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底两者的正对表面之间的空间中;沿扫描方向相对于所述投影系统移动所述正对表面;和通过以下方式来操纵浸没液体的液滴:允许所述液滴从液滴控制器的径向向内位置穿过至所述液滴控制器的径向向外位置,其中所述液滴控制器在所述空间的径向向外位置上,和防止所述液滴从所述液滴控制器的径向向外位置穿过至所述液滴控制器的径向向内位置。

    根据一个方面,提供了一种使用光刻设备制造器件的方法,所述方法包括:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底两者的正对表面之间的空间中;沿扫描方向相对于所述投影系统移动所述正对表面;和朝向所述正对表面引导气流通过所述空间的径向向外位置上的多个细长气体出口开口,其中在沿着所述正对表面的扫描方向观看时和/或在沿着垂直于所述扫描方向的方向观看时,所述细长气体出口开口中的相邻的一对细长气体出口开口交叠。

    根据一个方面,提供了一种使用光刻设备制造器件的方法,所述方法包括:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底两者的正对表面之间的空间中;沿扫描方向相对于投影系统移动正对表面;通过以下方式来操纵浸没液体的液滴:朝向所述正对表面从多个细长气体出口开口引导气流,所述多个细长气体出口开口在它们之间具有间隙;和抽取至少一部分所述液滴通过多个液体抽取开口,每一液体抽取开口相对于扫描方向与相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。

    根据一个方面,提供了一种用于浸没式光刻设备的流体处理结构。所述流体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者的表面,所述液体形成所述流体处理结构的表面和所述正对表面之间的弯液面,流体处理结构包括液滴控制器,用于防止所述正对表面上的液体到达弯液面。

    附图说明

    现在参照随附的示意性附图,仅以举例的方式,描述本发明的实施例,其中,在附图中相应的附图标记表示相应的部件,且其中:

    图1描述根据本发明的一个实施例的光刻设备;

    图2和3描述用于光刻投影设备中的液体供给系统;

    图4描述用于光刻投影设备中的另一种液体供给系统;

    图5描述用在光刻投影设备中的另一种液体供给系统;

    图6描述根据本发明的实施例的液体处理结构的平面视图;

    图7描述根据本发明的实施例的液体处理结构的平面视图;

    图8描述根据本发明的实施例的液体处理结构的平面视图;

    图9描述根据本发明的实施例的液体处理结构的平面视图;

    图10描述根据本发明的实施例的液体处理结构的一部分的平面视图;

    图11描述根据本发明的实施例的液体处理结构的平面视图;和

    图12描述根据本发明的实施例的液体处理结构的平面视图。

    具体实施方式

    图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述设备包括:

    -照射系统(照射器)IL,配置用于调节辐射束B(例如,紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射);

    -支撑结构(例如掩模台)MT,构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连;

    -衬底台(例如晶片台)WT,构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连;和

    -投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS,所述投影系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

    所述照射系统IL可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合,以引导、成形、或控制辐射。

    所述支撑结构MT保持所述图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台,例如,其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩?!倍伎梢匀衔敫衔坏氖跤铩巴及感纬勺爸谩蓖?。

    这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意,被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常,被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应,例如集成电路。

    图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的,并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型??杀喑谭瓷渚嫡罅械氖纠捎眯》瓷渚档木卣蟛贾?,每一个小反射镜可以独立地倾斜,以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

    这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统,包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合,如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

    如这里所示的,所述设备是透射型的(例如,采用透射式掩模)。替代地,所述设备可以是反射型的(例如,采用如上所述类型的可编程反射镜阵列,或采用反射式掩模)。

    所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中,可以并行地使用附加的台,或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时,将一个或更多个其它台用于曝光。

    参照图1,所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下,不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分,并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助,将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下,所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)??梢越鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

    所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常,可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外,所述照射器IL可以包括各种其它部件,例如积分器IN和聚光器CO??梢越稣丈淦鱅L用于调节所述辐射束,以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。类似于源SO,照射器IL可以或可以不被考虑成形成光刻设备的一部分。例如,照射器IL可以是光刻设备的组成部分或可以是与光刻设备分立的实体。在后者的情形中,光刻设备可以被配置成允许照射器IL安装到其上??裳〉?,照射器IL是可拆卸的且可以被独立地(例如通过光刻设备制造商或另一供应商)提供。

    所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如,掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如,掩模)MA上,并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后,所述辐射束B通过投影系统PS,所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如,干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助,可以精确地移动所述衬底台WT,例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地,例如在从掩??獾幕祷袢≈?,或在扫描期间,可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常,可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程???粗定位)和短行程???精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地,可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程??楹投绦谐棠?槔词迪炙龀牡滋╓T的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反),所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连,或可以是固定的??梢允褂猛及感纬勺爸枚宰急昙荕1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分,但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地,在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下,所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。

    可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中:

    1.在步进模式中,在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时,将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即,单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动,使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中,曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

    2.在扫描模式中,在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时,将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即,单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中,曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向),而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。

    3.在另一种模式中,将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止,并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时,将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中,通常采用脉冲辐射源,并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间,根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如,如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

    也可以采用上述使用模式的组合和/或实施例,或完全不同的使用模式。

    可把用于在投影系统的最终元件和衬底之间提供液体的布置分成至少两个主要类别。这是浴器型布置和所谓局部浸没系统。在所述浴器型布置中,基本上整个衬底W和任选地衬底台的一部分被浸没在液体浴器中。所述局部浸没系统使用液体供给系统,且在所述液体供给系统中,液体仅提供至衬底的局部区域上。在后一种类别中,由液体填充的空间在平面图中比衬底的顶表面小,且在用液体填充的所述区域相对于投影系统基本保持静止的同时,衬底在所述区域的下面移动。在图2-5中显示出四种不同类型的局部液体供给系统。

    提出来的一种布置是液体供给系统通过使用液体限制系统只将液体提供在衬底的局部区域上以及投影系统的最终元件和衬底之间(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)。已经提出的一种用于布置上述设备的方法在PCT专利申请WO99/49504中公开了。如图2和图3所示,液体期望地沿着衬底相对于所述最终元件的移动方向,通过至少一个入口供给到衬底上,在已经在投影系统下面通过后,所述液体通过至少一个出口去除。也就是说,当衬底在所述元件下面沿着-X方向被扫描时,液体在所述元件的+X一侧供给并且在-X一侧去除。图2是所述布置的示意图,其中液体通过入口供给,并在所述元件的另一侧通过出口去除,所述出口与低压源相连。衬底W上方的箭头显示了液体流动的方向,衬底W下面的箭头显示了衬底台移动的方向。在图2的显示中,液体沿着衬底相对于所述最终元件的移动方向供给,但这不是必需的??梢栽谒鲎钪赵芪柚酶髦址较蚝褪康娜肟诤统隹?,图3示出了一个实例,其中在所述最终元件的周围在每一侧以规则的重复方式设置了四个入口和出口。液体供给和液体回收装置中的箭头表示液体流动的方向。

    在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没式光刻方案。液体由位于投影系统PS每一侧上的两个槽状入口供给,由布置在入口沿径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口和出口可以布置在板上,所述板在其中心有孔,投影束通过该孔投影。液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口提供,由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的出口去除,这造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合可能依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。在图4的横截面视图中,箭头显示液体流入入口和流出出口的方向。

    在公开号为EP1420300的欧洲专利申请和公开号为US2004-0136494的美国专利申请中公开了成对或者双台浸没式光刻设备的方案,在此处通过引用将它们整体并入本文中。这样的设备设置有用于支撑衬底的两个工作台。调平(levelling)测量在没有浸没液体的工作台的第一位置进行,曝光在存在浸没液体的工作台的第二位置进行??商婊坏?,所述设备只有一个工作台。

    公开号为WO?2005/064405的PCT专利申请公开了浸没液体不受限制的全润湿布置。在这样的系统中,衬底的整个顶表面被覆盖在液体中。这可能是有利的,因为之后所述衬底的整个顶表面被暴露于大致相同的条件。这有利于衬底的温度控制和加工。在WO?2005/064405中,液体供给系统提供液体至投影系统的最终元件和衬底之间的区域中。所述液体被允许泄漏到(或流到)衬底的其余部分上。在衬底台的边缘处的阻挡件防止液体流走,使得可以以一种可控制的方式从衬底台的所述顶表面移除液体。虽然这样的系统改善了对衬底的温度控制和处理,但是仍然可能发生浸没液体的蒸发。在美国专利申请公开出版物No.US2006/0119809中描述了帮助消除这样的问题的一种方法。设置了一种构件,所述构件在所有位置覆盖衬底且被布置成使得浸没液体在它同衬底和/或保持衬底的衬底台的顶表面之间延伸。

    已经提出的另一布置提供具有流体限制结构的液体供给系统。所述流体限制结构可以沿投影系统的最终元件和衬底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。在图5中显示这样的布置。尽管可以在Z方向(在光轴的方向)上存在一些相对移动,但是所述流体限制结构在XY平面内相对于投影系统PS基本上是静止的。在流体限制结构和衬底的表面之间形成密封。在一个实施例中,在流体限制结构和衬底的表面之间形成密封,且可以是无接触密封(例如气体密封)。在美国专利申请公开出版物No.US2004-0207824中公开这样的系统。在另一实施例中,流体限制结构具有非气体密封的密封,因此可以称为液体限制结构。

    图5示意性描述液体局部供给系统或液体处理结构12或具有形成阻挡构件或流体限制结构的主体的装置,其沿投影系统PS的最终元件和衬底台WT或衬底W之间的空间11的边界的至少一部分延伸。(请注意,在下文中提及衬底W的表面也另外地或可替换地表示衬底台WT的表面,除非特别指出。)尽管可以在Z方向上存在一些相对移动(在光轴的方向上),但是液体处理结构在XY平面内相对于投影系统PS基本上是静止的。在一个实施例中,在液体处理结构12和衬底W的表面之间形成无接触密封,例如气体密封或流体密封。

    液体处理结构12至少部分地将液体保持在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中。对衬底W的无接触密封(诸如气体密封)16可围绕投影系统PS的像场形成,使得液体被限制在衬底W的表面和投影系统PS的最终元件之间的空间11内。所述空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件下方且围绕投影系统PS的所述最终元件的液体处理结构12形成。经液体入口13使液体进入到在投影系统PS下面且在液体处理结构12内的空间11中??赏ü禾宄隹?3移除所述液体。所述液体处理结构12可延伸到略微高于投影系统PS的最终元件的位置上。液面升高至所述最终元件的上方,使得提供了液体的缓冲。在一个实施例中,所述液体处理结构12具有内周,所述内周在上端部处与投影系统PS或其最终元件的形状紧密地一致,且例如可以是圆的。在底部处,所述内周与像场的形状紧密地一致(例如是矩形的),但这不是必需的。内周可以是任意形状,例如内周可以与投影系统的最终元件的形状一致。内周可以是圆形的。

    液体被气体密封16保持在空间11中,在使用中,所述气体密封16形成于液体处理结构12的底部和衬底W的表面之间。所述气体密封16由气体(例如空气或者合成空气,但在一实施例中,是N2或者其他惰性气体)形成。在气体密封16中的所述气体经由入口15在压力作用下被提供到介于液体处理结构12和衬底W之间的区域。所述气体通过出口14被抽取。设置气体入口15上的过压、出口14上的真空水平以及所述区域的几何形状,以使得形成限制所述液体的向内的高速气流。气体作用于液体处理结构12和衬底W之间的液体上的力将液体保持在空间11中。所述入口/出口可以是围绕空间11的环形槽。所述环形槽可以是连续的或不连续的。气流能够有效地将液体保持在空间11中。已经在公开号为US2004-0207824的美国专利申请中公开了这样的系统。

    图5的例子是所谓的局部区域布置,其中仅将液体在任一次提供至衬底W的顶表面的局部区域上。其它的布置是可行的,包括利用如例如在美国专利申请公开出版物No.US?2006-0038968中公开的单相抽取器或两相抽取器的液体处理结构。在一实施例中,单相或两相抽取器可以包括入口,该入口被覆盖在多孔材料中。在单相抽取器的一实施例中,用多孔材料分离液体与气体,使得能够进行单相液体抽取。在多孔材料下游的腔保持在小的负压下,且填充有液体。腔中的负压使得在多孔材料的孔中形成的弯液面防止周围环境气体被吸入到腔中。然而,在多孔表面接触液体时,没有限制流动的弯液面,且液体可以自由地流入腔中。多孔材料具有大量的小的孔,例如孔的直径在5-300μm的范围内,期望地在5至50μm的范围内。在一实施例中,多孔材料是至少略微亲液的(例如亲水的),即具有与浸没液体(例如水)的小于90°的接触角。

    许多其它类型的液体供给系统是可行的。本发明不限于任何特定类型的液体供给系统。本发明与限制浸没系统一起使用可能是有利的,在所述限制浸没系统中,液体被限制在投影系统的最终元件和衬底之间,例如在优化使用时。然而,本发明可以与任何其它类型的液体供给系统一起使用。

    图6显示根据本发明的实施例的弯液面钉扎装置,其可以例如替代图5中的密封布置14,15,16。图6中的弯液面钉扎装置包括多个(抽取)开口50。每个开口是分离的。每一开口50被显示为圆形的,尽管这不是必须的。当然,一个或更多的开口50的形状可以是从方形、圆形、直线多边形状、矩形、长圆形、三角形、细长形状(诸如狭缝)等中选出的一种或更多种。每一开口50在平面视图中具有大的最大横截面尺寸(例如直径),可能具有大于0.5mm的最大尺寸,期望地大于1mm。期望地,开口50不可能受污染物的影响太大。

    图6的弯液面钉扎装置中的每一开口50可以连接至独立的负压源??商娲鼗蛄硗獾?,每一开口或多个开口50可以连接至公共的腔(其可能是环形的),该腔自身被保持处于负压。这样,可以在每一开口或多个开口50处实现均一的负压???0可以连接至真空源,和/或可以增加围绕液体供给系统的周围气体环境的压力用于产生负压。

    每一开口50设计成抽取液体和气体的混合物,例如成两相流。从空间11抽取液体,而从在开口50的另一侧上的周围气体环境将气体抽取至液体。这产生由箭头16显示的气体流动。这种气体流动有效地将弯液面90钉扎在如图6显示的基本上适合的位置的开口50之间,例如在邻近的开口50之间。气体流动通过气体流动引起的压力梯度和/或通过对液体上的气体流动的拖曳(剪切)来帮助保持由动量阻挡限制的液体。

    如图6所见,开口50被定位,以便形成在平面视图中的多边形形状。在图6的情形中,这成菱形的形状,且主轴110、120与衬底W在投影系统PS下面的主要行进方向对准。这帮助确保最大扫描速度比开口50布置成圆形形状的情形快。这是因为两个开口50之间的弯液面上的力以系数cosθ减小,其中θ是连接两个开口50相对于衬底W移动的方向的线的角度。因此,可以通过使得开口50的形状的主轴110与衬底的主要行进方向(通常是扫描方向)对准且使得第二轴线120与衬底的另一主要行进方向(通常是步进方向)对准,来优化生产率。最大扫描速度是弯液面90保持其稳定性情况下的液体处理结构12相对于衬底W的最大速度。在扫描速度高于最大扫描速度时,弯液面不再是稳定的,且可能造成大量的液体损失。图11显示具有另外的外部气(例如空气)刀111的布置。这一气刀帮助防止液体损失。同理,图11中显示的布置可以在比最大扫描速度更大的速度下使用。

    可以在美国专利申请公开出版物Nos.US?2008/0212046,US?2009-0279060和US?2009-0279062中发现开口50和液体处理结构12的另外的细节,在此处通过参考将其全部内容并入本文中。

    在一实施例中,另外的开口70形成在底表面40中。所述另外的开口70在使用中被布置成从液体处理结构12供给液体。所述另外的开口70可以被考虑成从液体处理结构12供给液体(浸没液体)的出口。所述另外的开口70可以被称为用于供给液体到空间11中的入口。所述另外的开口70相对于投影系统PS的光轴位于相对于抽取开口50径向向内的位置。从液体处理结构12的所述另外的开口70流出的液体被朝向衬底W引导。这一类型的另外的开口70被设置用于减少在浸没液体中产生的气泡的机会。气体可以在衬底W的边缘和衬底台WT之间的区域中被捕获。在液体处理结构12相对于衬底/衬底台的底表面的前进部分上,可以以相对于液体处理结构12足够快地移动衬底W和/或衬底台WT的正对表面,使得液体不能够从空间11流动到开口50。液体处理结构12的底表面的一部分可能被去湿,从而影响了开口50的弯液面钉扎的效率。供给液体通过所述另外的开口70(期望地在开口50附近),由此降低了气泡夹杂和去湿化的风险。

    所述另外的开口70的几何构型对液体处理结构12的保持液体的效率产生影响。期望所述另外的开口70在平面视图中具有有角的形状,例如在平面视图中的开口50的形状。实际上,所述另外的开口70和开口50的有角的形状期望地是大致类似的。在一实施例中,每一形状在每一角的顶点处具有另外的开口70或开口50。期望地,在一实施例中,所述另外的开口70在与开口50距离10mm的范围内,期望地在与开口50距离5mm的范围内。也就是,由开口50制成的形状的所有部分在与由所述另外的开口70制成的形状的一部分距离10mm的范围内。在一实施例中,另外的开口70包括多个另外的开口70。

    可以在美国专利申请公开出版物No.US?2009-0279060中发现关于抽取开口50和另外的开口70的进一步的细节,通过引用将其并入本文中。

    一些液体可能从空间11流失到被曝光的衬底W上和/或支撑衬底的衬底台WT上。液体处理结构12和衬底台(和因此衬底W)之间有相对移动。因此,液滴在衬底W或衬底台WT上的位置可以在液体处理结构12(液体限制结构)下面通过。由于限制液体的弯液面90在液体处理结构12和衬底W或衬底台WT之间,所以液滴可能与弯液面90碰撞。由于碰撞,气泡可能形成在浸没空间11中,从而引起缺陷问题。

    例如,在限制浸没系统中,所述液滴可能与液体弯液面90碰撞,该液体弯液面90在液体限制结构12和衬底W之间延伸。这样的碰撞可能使得液体包裹气体(例如空气)形成气泡,该气泡可能例如直径为5-10μm,但是直径可以为1-500μm。气泡可以移动通过浸没液体到达投影系统PS和衬底W之间的空间11中,或气泡可以在衬底W上是静止的且通过衬底W和空间11之间的相对移动而移动到空间11中。在这一位置出现的气泡可能影响成像,即气泡可能暴露至抗蚀剂,引起成像缺陷。气泡一旦产生,保持相对于衬底W或衬底台WT基本静止。因此,在投影系统PS将束B投影到气泡上时,引起缺陷。

    具体地,当液体处理结构12和衬底W或衬底台WT之间的相对移动高于临界扫描速度时,和/或当液体处理结构12在液体处理结构12和衬底W/衬底台WT之间具有相对移动的同时位于衬底W和衬底台WT之间的位置上时,可能损失液体液滴。在这一液滴与限制浸没液体的弯液面90碰撞时,可以在衬底W或衬底台WT的表面处产生气泡。气泡在它跨过曝光区域64时可能引起缺陷,投影系统PS将辐射束B引导到所述曝光区域64上。

    在一实施例中,在开口50的径向向外的位置上设置有连续的气刀。连续的气刀与液滴控制器的气刀布置的不同之处在于,连续的气刀阻止在两个方向(即径向向内和径向向外)上行进的液滴相遇。相反,液滴控制器的气刀布置是不连续的。这种不连续允许液滴在一个方向(即径向向外)上通过气刀布置的气流。连续的气刀包括在液体处理结构12的底表面中的孔。所述孔连接至过压源。连续的气刀可以成封闭图形的形式。在操作期间,气流被供给通过连续的气刀。这一连续的气刀的目的是帮助防止液滴从液体处理结构12损失掉。关于图11中显示的布置描述了关于设置连续的气刀的进一步的特征。这些特征可以应用至图6显示的布置,该布置被修改以具有连续的气刀。

    在具有这样的气刀的液体处理结构12的实施例中,可以在开口50和气刀111、61或73之间的区域中收集浸没液体。这尤其是在液体处理结构12位于衬底W和衬底台WT之间的位置上的同时在液体处理结构12和衬底W/衬底台WT之间具有相对移动时的情形。在衬底W/衬底台WT沿步进方向(例如相对于液体处理结构12的表面)移动时,这种被收集的浸没液体可能之后与弯液面90碰撞。在这种情形,大的气泡可能在步进移动期间产生。

    在没有成封闭图形的形式的气刀的实施例中,由液体处理结构12损失掉浸没液体的液滴。这一液滴保持在衬底W、衬底台WT或其它表面上。因此,在衬底W/衬底台WT的扫描方向被反转时,损失的液滴可以与弯液面90碰撞,由此产生气泡。

    本发明的一实施例的目的是通过防止弯液面90和损失的浸没液体的液滴之间的碰撞来至少部分地解决这一问题。在一实施例中,这通过提供具有液滴控制器60的液体处理结构12来实现。液滴控制器60定位在空间11的径向向外的位置上,在所述空间11中限制了浸没液体。

    液滴控制器60配置成允许浸没液体的液滴从液滴控制器60的径向向内位置穿过至液滴控制器60的径向向外位置。从弯液面90逸出的浸没液体的液滴被允许通过气流从液滴控制器60逸出。液滴控制器60被进一步配置成防止液滴从液滴控制器60的径向向外位置穿过至液滴控制器60的径向向内位置。液滴控制器60配置成允许定位在衬底或衬底台上的液滴(用衬底或衬底台)移动远离弯液面90和/或弯液面钉扎开口50的线。液滴控制器配置成防止液滴接近(和到达)弯液面90。

    定位在液滴控制器60的径向向外位置上的正对表面上的液滴被防止与弯液面90碰撞。在扫描方向反转时或在步进移动期间,液体与弯液面90碰撞的可能性被减小。液滴控制器60用作“二极管”型气刀,浸没液体的液滴可以仅沿一个方向从径向向内位置至径向向外位置穿过气刀。通过气刀61、62的布置,液滴控制器60帮助防止液体与弯液面90碰撞。气刀61、62被布置成允许液体逸出。这防止液体聚积,该液体可以之后在例如扫描方向反转时与弯液面90碰撞。气刀被布置以帮助阻止进入的液滴(相对于弯液面)到达弯液面90。

    如图6所示,液滴控制器60可以包括在空间11的径向向外位置上的多个细长的气体出口开口61、62。细长的气体出口开口61、62配置成朝向正对表面引导气流。细长气体出口开口61、62中的每一个形成气刀开口。

    在沿着液体处理结构的步进方向120和/或扫描方向110观察时,相邻的一对的细长气体出口开口61、62交叠。扫描方向可以垂直于步进方向。交叠的目的是防止气泡在曝光区域64中形成。交叠的结果是沿步进方向120行进的液滴被细长的气体出口开口61、62中的至少一个阻挡。防止所述液滴到达弯液面90。避免了气泡形成的碰撞。液滴被转向至衬底W的没有被曝光区域64占据的一部分。

    细长气体出口开口61、62可以布置在空间11的径向向外位置上的形状和弯液面钉扎开口50的线上。由细长的气体出口开口61、62所遵循的形状可以与弯液面钉扎开口50所遵循的形状相同。所述形状可以是有角的,例如菱形。所述形状可以是没有角的圆形或椭圆形。细长气体出口开口包括外开口62和内开口61。在液滴控制器60的气刀布置的截面上,间隙63设置在两个内开口61之间。外开口62设置在两个内开口61的径向向外的位置上。外开口62设置在间隙63的径向向外的位置上。在分别沿着扫描方向110或步进方向120观察时,外开口62与两个内开口61交叠,依赖于所述截面是否分别从曝光区域64沿着步进或扫描方向。在图6显示的布置中,由液滴控制器60所遵循的形状是有角的形状。所述角布置成相对于曝光区域64沿扫描和步进方向110、120对准。外开口62和间隙63可以设置在所述形状的角处。外开口和两个内开口与交叠布置的组合可以被称为“角二极管(corner?diode)”。间隙63和外开口62在内开口62的径向向外的位置上的事实导致了由细长气体出口开口61、62的布置所限定的形状区别于弯液面90的形状。

    交叠的目的是沿着扫描或步进方向接近液体处理结构12的液滴被细长气体出口开口61、62中的一个阻挡。这帮助防止液滴和弯液面90之间的碰撞,由此防止产生可能引起缺陷的气泡。在发生碰撞时,可能形成气泡。气泡相对于衬底表面保持静止。由于衬底W继续相对于液体处理结构12移动,所以气泡可以进入曝光区域64。这可能引起缺陷。间隙63的目的允许液滴从液滴控制器60的径向向内的区域逸出到液滴控制器60的径向向外的区域。这帮助防止液滴的聚积,其可能之后在液体处理结构12相对于正对表面的移动方向被改变时与弯液面90碰撞。

    细长气体出口开口61、62期望连接至同一过压源??商娲?,气体出口开口61、62可以连接至独立的过压源。这将需要比使用单一过压源更加复杂的结构。然而,它具有气流的参数可以从气体出口开口至气体出口开口独立地改变的优点。例如,可以改变气体流量或气体速度。

    在一种布置中,外开口62倾斜远离液体处理结构12的扫描和步进方向。这一目的是进入的液滴可以借助于将比液滴沿着垂直于外开口62的方向接近外开口62的情形低的气体作用力而通过外开口62偏转。外开口62可以相对于扫描或步进方向沿着顺时针或逆时针方向倾斜(偏斜)。在图6中,在图的顶部外开口62被相对于扫描方向110沿着顺时针的旋转方向倾斜。每一外开口62具有两个可能的偏斜方向。对应于用于每一外开口62的偏斜方向的每一种排布的各种布置是可行的。在具有四个外开口的布置中,具有16种可能的变形,每一变形具有外开口62的偏斜方向的不同的组合。

    倾斜的(或更加准确地是偏斜的)外开口62帮助引导液滴远离在两个相邻的内开口61之间的间隙63。液滴被沿着具有垂直于液体处理结构12和正对表面(例如衬底W/衬底台WT)之间的相对运动的分量的方向引导。因此,在液滴相对地使得弯液面接近浸没空间11时,它朝向由外开口62形成的气刀移动。因为外开口62被倾斜,故它不与扫描方向或步进方向对准,所以液滴沿着气刀的长度移动。沿着垂直于移动方向的方向(例如扫描方向)观看,液滴在垂直于移动方向的方向(即在之前的例子中如由箭头120显示的步进方向)上移动。以外开口62被偏斜的类似的方式,内开口61中的一个或更多个可以被偏斜。

    如图7所示,作为对细长的气体出口开口61之间的不连续的间隙63的替代,液滴控制器72可以替代地或另外地具有连续的气体出口开口73、74的穿过部74。在这种情形中,穿过部74使得与液滴通过连续的气体出口开口的其它阻挡部73的气流相比,液滴更加可能通过穿过部74的气流。因此,液滴可以逸出通过穿过部74的气流,但是将通过阻挡部73阻止到达弯液面90。在一种布置中,液滴控制器的一个部分可以包括间隙63,液滴控制器的另一部分可以包括穿过部74。

    在一种布置中,穿过部74由气体出口开口实现,该气体出口开口配置成以相对于正对表面的法线的锐角引导气流。气流被引导朝向所述正对表面,且被径向向外倾斜引导。径向向内行进的液滴被气流阻挡。径向向外行进的液滴可以在气流开口下面穿过。提供倾斜的气流的气刀允许液滴仅沿一个方向通过。

    穿过部74可以例如通过配置连续的气体出口开口引导具有与阻挡部73相比更低的流量或更低的气体速度的气流通过穿过部74的气流来实现。在这一情形中,控制器71配置成控制通过连续的气体出口开口(即气刀)73、74的气流的气流,使得通过气刀的阻挡部73的气流的流量和/或气体速度大于通过穿过部74的气流的流量和/或气体速度。在图7中显示的实施例中的其它特征如在上文关于图6中显示的实施例进行描述。

    图8描述了本发明的另一实施例。图8中显示的实施例可以包括关于图6和7中显示的实施例在上文描述的特征中的每一个。除了在液滴控制器80的形状的角(或其它位置)定位的“角二极管”气刀之外或替代地,图8中显示的实施例包括如下文描述的“侧二极管(side?diode)”气刀配置?!安喽堋逼犊梢杂搿敖嵌堋逼兑黄鹗褂没蜃魑敖嵌堋逼兜奶娲??!敖嵌堋痹谝禾宕斫峁?2与衬底W和/或衬底台WT之间的线性相对移动期间有效地控制液滴。在衬底W和/或衬底台WT相对于液体处理结构12转动时以及在线性移动期间,“侧二极管”有效地控制液滴。

    如图8所示,液滴控制器80可以采用多个细长气体出口开口61、62、81的形式,其被布置成弯液面90的径向向外位置上的形状。所述形状可以例如是有角的或圆形的??梢员怀莆枥故娇?block?opening)81的一系列的细长气体出口开口被沿着对应于所述形状的一侧的线布置。在沿着液体处理结构12的步进方向观察时,相邻对的阻拦式开口81交叠。

    阻拦式开口81相对步进方向交叠。这意味着:如果液滴沿着步进方向接近液滴控制器80,则它可能遇到阻拦式开口81中的一个。这是因为在步进方向上延伸的线跨过在液滴控制器80处的阻拦式开口81中的至少一个。没有液滴可以穿过而不遇到一个阻拦式开口81的间隙。液体处理结构与衬底/衬底台之间的相对移动可以不限于两个正交的方向。当液体处理结构到达扫描的尽头时,它可以在扫描方向被反转之前例如在弯曲的路径上转动。角二极管和侧二极管布置可以被布置成帮助防止在转动操作期间接近弯液面的液滴到达弯液面90。

    如上文所述的液滴控制器的功能帮助防止液滴控制器80的径向向外位置上的液滴到达弯液面90。为了帮助实现液滴控制器的功能,除了上文所述的特征之外,阻拦式开口81还具有各自的延伸方向,该延伸方向被相对于朝向扫描方向的线(即形状的侧面)的切线倾斜。

    图8中显示的液体处理结构12的左上象限(即在图中的顶部显示的角与在图的左侧显示的角之间的象限)中的阻拦式开口81被相对于图6和7中的气体出口开口的对应的部分逆时针旋转。右上象限具有与左上象限基本上关于沿方向110的穿过液体处理结构的中心的垂线的对称线对称的布置。这意味着在图8显示的液体处理结构12的右上象限中,形成“侧二极管”气刀的阻拦式开口81被相对于所述线的切线顺时针转动。下一半具有与上一半关于沿着方向120水平地通过图的中心的对称线基本上对称的布置。

    阻拦式开口81不必是单个直的线。如图8所示,阻拦式开口81可以包括它们之间成一角度的至少两个部分。阻拦式开口81可以具有弯曲的形状。

    通过将阻拦式开口81相对于步进方向120交叠,沿步进方向120接近阻拦式开口81的液滴被阻止到达弯液面90。在沿着扫描方向120观察时,期望地,阻拦式开口81被布置成交叠的。这样的目的是帮助防止从扫描方向接近的液滴穿过相邻的阻拦式开口81之间的间隙。

    如果浸没液体的液滴从图的上方接近图8中显示的液滴控制器80的阻拦式开口81中的一个,那么阻拦式开口81将使液滴偏转远离通过图的中心线(即远离液体处理结构12的中心)。然而,液滴将穿过相邻的阻拦式开口81的径向向内的位置。因此,由于阻拦式开口81的倾斜方向,液滴可以在相邻的阻拦式开口81之间穿过。

    为了帮助防止液滴到达弯液面90,提供分离的部件81或可替代地提供分离的气体出口开口82。这种气体出口开口82可以被用术语称为“俘获式开口(trap?opening)”82。俘获式开口82从各自的阻拦式开口81的径向向内端以一角度延伸。这一角度(或方向)期望地在液体处理结构12的步进方向和各自的阻拦式开口81的主延伸方向之间。俘获式开口82提供气流,该气流是用于沿着阻拦式开口81移动的液滴的阻挡件。结果,液滴被聚积在阻拦式开口81和俘获式开口82之间的汇合处。

    在一实施例中,抽取器83被定位在阻拦式开口81和俘获式开口82之间的交叉处(汇合处)的内侧。该抽取器83配置成抽取在交叉处收集的液体液滴的至少一部分。这帮助防止从交叉处溢出,其可能另外地导致到达液滴控制器80的径向向内位置上且与弯液面90碰撞的液体的溢出。

    阻拦式开口81不必相对于扫描方向110和步进方向120都交叠。在沿着扫描方向110或步进方向120在阻拦式开口81之间存在间隙的情况下,期望地,液滴控制器80包括相对于扫描方向或步进方向与各自的间隙对齐的抽取开口(未在图8中显示)。这样的目的是穿过液滴控制器80的阻拦式开口81之间的间隙的任意液体液滴在到达弯液面90之前被抽取。在沿着扫描方向110和步进方向120之间的中间方向观察时,阻拦式开口81可以交叠。这样布置的目的是阻止任意液滴沿着在扫描和步进方向之间的方向接近。这有效地帮助防止液滴在转动操作期间到达弯液面90,在该期间液体处理结构和衬底/衬底台之间的相对移动可以是沿着在扫描和步进方向110、120之间的方向。

    图9描述了以在气刀91、92和抽取器93的阻挡部之间的上文描述的间隙为特征的本发明的一实施例。这一实施例所依据的思想在于,通过在碰撞之前抽取尽可能多的液滴来降低由于液滴和弯液面90之间的碰撞产生气泡的可能性。

    在图9显示的实施例中,在空间11的径向向外位置上的液滴控制器95包括多个细长的气体出口开口91、92和多个液体抽取开口93。液滴控制器95被定位在弯液面90的径向向外位置上。液体抽取开口93相对于液体处理结构的扫描方向与在相邻的细长气体出口开口91、92之间的各自的间隙对齐。另外地或可替代地,液体抽取开口93可以相对于液体处理结构12的步进方向与间隙对齐。液体抽取开口93连接至负压源???3可以连接至同一负压源,或独立的负压源。

    在图9显示的实施例中,液体抽取开口93定位在细长气体出口开口91、92的径向向内位置上。在一实施例中,液体抽取开口可替代地或另外地定位在细长气体出口开口91、92的径向向外位置上。径向向外的液体抽取开口对于液体处理结构12的退出侧是尤其有利的。也就是,在液滴控制器95的径向向内的液滴沿着径向向外的方向移动时,它被细长气体出口开口91、92中的一个阻挡。结果,所述液滴被引导朝向细长气体出口开口91、92之间的间隙中的一个。在这种情况下,期望存在相对于液体处理结构12的移动方向(即扫描方向或步进方向)与间隙对齐的液体抽取开口93。这允许至少一部分液滴被通过液滴抽取开口抽取,由此在正对表面上不留下液滴或留下较小的液滴。

    在一实施例中,液滴抽取开口93定位在细长气体出口开口91、92的径向向内位置上和径向向外位置上。

    在一实施例中,除了弯液面钉扎开口50之外,没有设置液体抽取开口93。在这一实施例中,弯液面钉扎开口50相对于液体处理结构12和正对表面之间的相对移动方向与相邻的细长气体出口开口91、92之间的间隙对齐。这样的目的是如果液滴在弯液面钉扎开口50处与弯液面90碰撞,那么与液滴与在弯液面钉扎开口50之间的弯液面90碰撞的情形相比,气泡产生的可能性被减小。在这一实施例中,弯液面钉扎开口50的径向外边缘被包含在液滴控制器95中。在一实施例中,弯液面钉扎开口50是液滴控制器95的一部分。

    期望地,细长气体出口开口91、92被布置成空间11的径向向外位置上的有角的形状。在一实施例中,在有角的形状的角处,设置了气体出口开口92的连续的阻挡部,使得在所述角处没有间隙?;蛘咚?,在所述形状的角处,液体抽取开口定位在V形的气体出口开口的径向向内位置上,且V形的气体出口开口的尖端沿径向向外指向。

    在该实施例中,在液滴控制器95的径向向内位置上的液滴可以被朝向有角形状的所述角引导。期望地,与受限的浸没液体的弯液面接触的液体抽取开口相对于液体处理结构的扫描方向与V形气体出口开口的尖端在一直线上。液体抽取开口94配置成抽取在角处收集的一液体液滴或多个液滴中的至少一部分。

    期望地,所述有角的形状的角相对于扫描或步进方向与弯液面钉扎抽取开口50对准。如果在液体处理结构12和正对表面之间的相对移动方向反转,那么在所述角处收集的其余液体在所述弯液面钉扎抽取开口50处与弯液面90碰撞。结果,减小了气泡产生的可能性。

    图10描述了在图9描述的改进型实施例的一部分。在图10中,提供了一系列转向气体出口开口101。这些转向气体出口开口101布置成使得在沿着液体处理结构的扫描方向110观看时,所述系列内的相邻对的转向气体出口开口交叠。在一实施例中,在沿着步进方向110观看时,转向气体出口开口101中相邻对的转向气体出口开口交叠。转向气体出口开口101偏转任何残留的液滴,该液滴已经穿过在细长气体出口开口91、92之间的间隙,且没有被液滴抽取开口93完全抽取远离空间11内的关键区域。这一关键区域是被从投影系统PS引导的辐射曝光的区域。这一区域是关键的,这是因为在与弯液面90碰撞的液滴产生的气泡被辐射曝光时,所述缺陷出现。

    期望地,该一系列转向气体出口开口101被沿着一条线布置,转向气体出口开口101的各自的延伸方向被相对于朝向垂直于扫描方向的方向120的线的切线倾斜。气体出口开口91、101期望地由两个部分102、103构成。第一部分102被相对于第二部分103倾斜。第二部分的目的是产生在沿着步进方向120观看时与相邻的气体出口开口的交叠。第一部分的目的是将进入的液体液滴转向至相邻的气体出口开口或转向至抽取孔,而不允许液体液滴到达弯液面。

    随着细长气体出口开口的长度的增加,遇到液滴将穿过细长气体出口开口的气流的可能性增加。为此,期望使用一系列转向气体出口开口101,而不是单个气体出口开口的连续的部分。

    如关于图6-10中显示的实施例在上文描述的,离散的气体出口开口(例如气刀)可以用于阻挡进入的液滴,同时允许流出的液滴通过间隙或穿过部逸出。另外地或可替代地,与离散的气体出口开口之间的间隙对齐的抽取开口可以用于抽取液滴(进入的或流出的液滴)??梢栽谌我馐凳├薪岷险饬礁鲈?。

    例如,气体出口开口可以布置成,使得相邻对的气体出口开口沿着扫描方向110或步进方向120交叠,且液体抽取开口相对于扫描方向或步进方向中的另一个与气体出口开口之间的间隙对齐。

    上文描述的实施例中的任一个可以通过包含成空间11的径向向外位置上的封闭的图形的形式的连续的气体出口开口而被修改。例如,图11描述了图8中描述的实施例的修改形式,具有这样的围绕的气体出口开口111。连续的气体出口开口111可以在细长的气体出口开口61、81的径向向内位置上??商娲鼗蛄硗獾?,如图11所示,连续的气体出口开口111可以在细长气体出口开口61、81的径向向外位置上。连续的气体出口开口111可以连接至相同的或不同的负压源,该负压源连接至细长气体出口开口61、81。

    液体从空间11穿过进入开口50中???0可以被设计成使得两相抽取(即气体和液体)以环形的流动模式发生。在环形的流动模式中,气体可以基本上流过开口50的中心,液体可以基本上沿着开口50的壁流动。导致了具有小的波动产生的平滑的流。

    在图11中,弯液面钉扎开口50布置成直线多边形。图12描述了弯液面钉扎开口50布置成圆形的布置。在这种情形下,液滴控制器的气体出口开口可以布置成在弯液面钉扎开口50的径向向外位置上和在空间11的径向向外位置上的圆形。在图12中,未显示液滴控制器122、123的单独的气体出口开口。液滴控制器包括侧二极管部122和角二极管部123。侧二极管122和角二极管123可以采用关于另外的实施例中任一个在上文描述的形式。在一实施例中,液滴控制器可以包括仅侧二极管122、仅角二极管123或者侧二极管122和角二极管123的组合??赡芫哂兄辽倭礁霾喽懿亢?或角二极管部。在图12中,具有四个侧二极管122和四个角二极管123。

    如图12所示,外气体出口开口111可以采用圆形的形式。期望地,存在多个外抽取器121用于抽取位于液滴控制器的气体出口开口和外气体出口开口111之间的液体。外抽取器121可以是抽取液体和气体的两相抽取器。外抽取器121可以布置成圆形。外抽取器121可以抽取至少一些液体液滴,该液体液滴位于液滴控制器122、123的径向向外位置上和外气体出口开口111的径向向内位置上。这样的液滴可以被允许从液滴控制器122、123的径向向内位置上逸出且被外气体出口开口111捕获。通过至少部分地抽取液滴,在例如改变扫描方向时,减小了液滴与弯液面碰撞的可能性。

    上述的实施例可以在所谓的双平台光刻设备上实施。在一些双平台光刻设备中,浸没液体的一液滴或多个液滴可以通过周围的气刀收集(其是要防止液体损失)。所收集的液滴可以之后与弯液面90碰撞。根据本发明的一实施例,这样的液滴允许以受控制的方式从液体处理结构12的下面逸出,和/或经由液体抽取开口93抽取。例如,在图6中,倾斜的气刀62定位在两个另外的气刀61之间的间隙的径向向外的位置上,以阻挡进入的液滴。在上文描述的这样的气体出口开口(或气刀)中,需要相对大的过压用于阻止浸没液体的液滴。

    本发明的任意实施例可以包括控制器,用于控制通过液体处理结构12的气体出口开口的气流。这样的控制器112显示在图11中??刂破骺梢耘渲贸苫谡员砻嫦喽杂谝禾宕斫峁?2的位置来控制从细长气体出口开口61、81朝向正对表面的气流。另外地或可替代地,控制器112可以基于液体处理结构12和正对表面之间的相对移动的方向或速度控制气流。

    具体地,控制器112可以配置成控制气体出口开口,使得在各自的气体出口开口定位在衬底W和衬底台WT之间的位置上时气流被从气体出口开口引导。在气体出口开口没有设置在衬底W和衬底台WT之间时,它可能被控制器112关断。这样的目的是在液体处理结构定位在衬底W和衬底台WT之间的位置上时尤其有可能造成浸没液体从弯液面90的损失。因此,对应于从衬底W至衬底台WT或反之从衬底台WT至衬底W跨过的时间周期可能对于防止液滴与弯液面90碰撞是重要的。

    在一实施例中,提供了浸没式光刻设备,包括液体处理结构和液滴控制器。液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至在投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台或由所述台支撑的衬底、或台和衬底两者。液滴控制器位于所述空间的径向向外位置上,配置成允许浸没液体的液滴从液滴控制器的径向向内位置穿过至液滴控制器的径向向外位置。液滴控制器还防止液滴从液滴控制器的径向向外位置到达液滴控制器的径向向内位置。

    液滴控制器可以包括多个细长气体出口开口,其被配置成朝向所述正对表面引导气流。

    在一实施例中,提供了浸没式光刻设备,包括液体处理结构和多个细长的气体出口开口。液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至在投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台或由台支撑的衬底、或台和衬底两者。所述多个细长的气体出口开口在所述空间的径向向外位置上,配置成朝向所述正对表面引导气流。在沿着所述正对表面的扫描方向观看时和/或在沿着垂直于扫描方向的方向观看时,相邻的一对细长气体出口开口交叠。

    浸没式光刻设备还可以包括液体抽取开口,在从所述正对表面的扫描方向观看时,所述液体抽取开口与相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。

    在一实施例中,提供浸没式光刻设备,包括液体处理结构和液滴控制器。液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至在投影系统和正对表面之间的空间,所述正对表面包括台或由台支撑的衬底、或台和衬底两者。液滴控制器在空间的径向向外位置上,且包括多个细长的气体出口开口和多个液体抽取开口。所述多个细长的气体出口开口配置成朝向所述正对表面引导气流。所述多个液体抽取开口相对于正对结构的扫描方向和/或步进方向与相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。

    所述多个液体抽取开口中的至少一个可以位于受限制的浸没液体的弯液面和细长气体出口开口之间。所述多个液体抽取开口中的至少一个可以设置在细长气体出口开口的径向向外位置上。所述多个液体抽取开口中的至少一个可以布置成将浸没液体限制在所述空间中。

    在沿着所述正对表面的扫描方向观看时,相邻的一对细长气体出口开口可以交叠。

    细长的气体出口开口可以布置在一条线上,至少一个细长气体出口开口的延伸方向被相对于朝向正对表面的扫描方向的各自的细长气体出口开口处的线的切线倾斜。

    浸没式光刻设备还可以包括俘获式气体出口开口。所述开口可以以在垂直于正对表面的扫描方向的方向和各自的细长气体出口开口的延伸方向之间的一角度从各自的细长气体出口开口的径向向内的一端延伸。

    浸没式光刻设备还可以包括一系列转向气体出口开口,其被布置成使得在沿着垂直于正对表面的扫描方向的方向观看时,在一系列转向气体出口开口内的相邻的一对转向气体出口交叠。所述一系列转向气体出口开口可以沿着一条线布置。所述转向气体出口开口的各自的延伸方向可以相对于朝向垂直于扫描方向的方向的各自的转向气体出口开口处的线的切线倾斜。

    细长气体出口开口可以布置在所述空间的径向向外位置上的有角形状的一条线上。在所述形状的角处,液体抽取开口可以定位在V形气体出口开口的径向向内位置上,且V形气体出口开口的尖端指向径向向外方向。

    与受限的浸没液体的弯液面接触的液体抽取开口可以相对于正对表面的扫描方向与V形气体出口开口的尖端成一直线。

    细长气体出口开口可以布置在所述空间的径向向外位置上的有角形状的一条线上。在所述形状的角处,所述细长气体出口开口中的至少一个可以设置在细长气体出口开口中的两个之间的间隙的径向向外位置上。在沿着垂直于正对表面的扫描或步进方向的方向观看时,它可以与细长气体出口开口中的两个交叠。

    所述至少一个所述细长气体出口开口可以不垂直于扫描或步进方向。

    浸没式光刻设备还可以包括控制器,所述控制器配置成基于所述正对表面相对于液体处理结构的位置和/或移动来控制从细长气体出口开口朝向所述正对表面的气流。

    细长气体出口开口可以配置成以相对于所述正对表面的法线的锐角引导气流。

    液体处理结构可以包括成封闭图形形式的连续气体出口开口,配置成朝向所述空间的径向向外位置上的所述正对表面引导气流。

    连续的气体出口开口可以在细长气体出口开口的径向向内位置上。连续的气体出口开口可以在细长气体出口开口的径向向外位置上。

    在一实施例中,提供了使用光刻设备制造器件的方法。所述方法包括步骤:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底两者的正对表面之间的空间中。所述方法还包括步骤:沿扫描方向相对于投影系统移动所述正对表面。所述方法还包括步骤:通过允许所述液滴从液滴控制器的径向向内位置穿过至液滴控制器的径向向外位置,来操纵浸没液体的液滴。液滴控制器可以位于所述空间的径向向外位置上。所述方法还包括步骤:防止液滴从液滴控制器的径向向外位置穿过至液滴控制器的径向向内位置。

    在一实施例中,提供了一种使用光刻设备制造器件的方法。所述方法包括步骤:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底的正对表面之间的空间中。所述方法还包括步骤:沿扫描方向相对于投影系统移动正对表面。所述方法还包括步骤:朝向所述正对表面引导气流通过所述空间的径向向外位置上的多个细长气体出口开口。在沿着所述正对表面的扫描方向观看时和/或在沿着垂直于所述扫描方向的方向观看时,相邻的一对所述细长气体出口开口可以交叠。

    在一实施例中,提供了一种使用光刻设备制造器件的方法,所述方法包括步骤:使用限制结构将液体限制在投影系统与台、由所述台支撑的衬底、或所述台和衬底两者的正对表面之间的空间中。所述方法还包括步骤:沿扫描方向相对于投影系统移动正对表面。所述方法还包括步骤:通过从多个细长气体出口开口朝向所述正对表面引导气流来操纵浸没液体的液滴,所述多个细长气体出口在它们之间具有间隙。所述方法还包括步骤:通过多个液体抽取开口抽取所述液滴的至少一部分。每一液体抽取开口可以相对于扫描方向与在相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。

    在一实施例中,提供了一种液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至在投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者。所述液体处理结构包括在所述空间的径向向外位置上的液滴控制器,所述液滴控制器配置成允许浸没液体的液滴从所述液滴控制器的径向向内位置穿过至所述液滴控制器的径向向外位置和防止液滴从所述液滴控制器的径向向外位置穿过至所述液滴控制器的径向向内位置。

    在一实施例中,提供了一种液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至在投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者。所述液体处理结构包括在所述空间的径向向外位置上的多个细长气体出口开口,配置成朝向所述正对表面引导气流。在沿着正对表面的扫描方向观看时和/或沿着垂直于所述扫描方向的方向观看时,相邻的一对所述细长气体出口开口可以交叠。

    在一实施例中,提供了一种液体处理结构,所述液体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至在投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者。所述液体处理结构包括在所述空间的径向向外位置上的液滴控制器。所述液滴控制器可以包括多个细长气体出口开口和多个液体抽取开口。所述多个细长气体出口开口配置成朝向正对表面引导气流。每一液体抽取开口相对于所述正对表面的扫描方向和/或步进方向与所述相邻的细长气体出口开口之间的各自的间隙对齐。

    在一实施例中,提供了一种用于浸没式光刻设备的流体处理结构。所述流体处理结构配置成将浸没液体供给和限制至投影系统与正对表面之间的空间,所述正对表面包括台、或由所述台支撑的衬底、或所述台和所述衬底两者。所述液体可以形成在所述流体处理结构的表面和所述正对表面之间的弯液面。流体处理结构可以包括液滴控制器,用于防止所述正对表面上的液体到达弯液面。

    可以理解,上文描述的任意特征可以与任何其它特征一起使用,它不仅是覆盖在本申请中的被详细描述的这些组合。另外,本文对液滴的表示可以包括液体薄膜。

    尽管在本文中可以做出具体的参考,将所述光刻设备用于制造IC,但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用,例如,集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDs)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是,在这种替代应用的情况中,可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理,例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上,并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下,可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外,所述衬底可以处理一次以上,例如为了产生多层IC,使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

    这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射,包括:紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。在上下文允许的情况下,所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合,包括折射式和反射式的光学部件。在整个描述中,已经对步进方向和扫描方向作出参考。在描述中所提及的扫描和步进方向是正交的主轴。虽然在优选的实施例中,这些主轴可以与扫描和步进方向对准,但是在其它实施例中它们可以不依赖于扫描和步进方向。

    尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例,但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如,本发明的实施例可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式,或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如,半导体存储器、磁盘或光盘)。另外,机器可读指令v可嵌入到两个或更多个计算机程序中。所述两个或更多个计算机程序可被存储在一个或更多个不同的存储器和/或数据存储介质上。

    在一个或更多的计算机程序被位于光刻设备中的至少一个部件中的一个或更多的计算机处理器读取时,此处描述的控制器可每个单独操作或组合操作??刂破骺梢悦扛龅ザ赖鼗蜃楹系鼐哂腥魏问屎系呐渲?,用于接收、处理以及发送信号。一个或更多的处理器配置成与至少一个控制器通信。例如,每个控制器可包括一个或多个处理器,用于执行包括用于上面所描述的方法的机器可读执令的计算机程序。所述控制器可包括用于存储这样的计算机程序的数据存储介质,和/或用于容纳这样的介质的硬件。因此,控制器可以根据一个或更多的计算机程序中的机器可读指令操作。

    本发明的一个或更多个实施例可以用于任何浸没式光刻设备,尤其是(但不限于),上面提到的那些类型的浸没式光刻设备,而不论浸没液体是以浴器的形式提供,还是只应用到衬底的局部表面区域上,或不受限制。在不受限制的布置中,所述浸没液体可在衬底和/或衬底台的表面上流动,使得基本上衬底台和/或衬底的整个未覆盖的表面被润湿。在这样的不受限制的浸没系统中,所述液体供给系统可以不限制浸没液体或它可以提供一定比例的浸没液体限制,但基本上不完全限制所述浸没液体。

    在此处设计的液体供给系统应当被广义地理解。在某些实施例中,其可以是提供液体至介于投影系统与衬底和/或衬底台之间的空间的一种机构或者结构的组合。它可以包括一个或更多个结构和一个或更多的流体开口,所述一个或更多的流体开口包括一个或多个液体开口、一个或多个气体开口或者用于两相流动的一个或更多的开口。所述开口可以每个都是进入浸没空间的入口(或从液体处理结构出去的出口)或从浸没空间出去的出口(或进入液体处理结构的入口)。在一个实施例中,该空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分,或者该空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面,或者所述空间可以包围衬底和/或衬底台。所述液体供给系统还可以进一步可选地包括一个或多个元件,用于控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或者液体的其他任何特征。

    以上的描述是说明性的,而不是限制性的。因此,本领域的技术人员应当理解,在不背离所附的权利要求的?;し段У奶跫?,可以对本发明进行修改。

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