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    重庆时时彩五行: Y5V特性的多层陶瓷电容器.pdf

    关 键 词:
    Y5V 特性 多层 陶瓷 电容器
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    摘要
    申请专利号:

    CN201010555957.4

    申请日:

    2010.11.16

    公开号:

    CN102201284A

    公开日:

    2011.09.28

    当前法律状态:

    撤回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01G 4/30申请公布日:20110928|||实质审查的生效IPC(主分类):H01G 4/30申请日:20101116|||公开
    IPC分类号: H01G4/30; H01G4/008; H01G4/12 主分类号: H01G4/30
    申请人: 三星电机株式会社
    发明人: 郑贤哲; 李载浚; 金钟翰; 金俊熙
    地址: 韩国京畿道
    优先权: 2010.03.23 KR 10-2010-0025619
    专利代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李丙林;张英
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201010555957.4

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2013.08.21|||2011.11.23|||2011.09.28

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了一种Y5V特性的多层陶瓷电容器,包括具有多层介电层和形成在介电层之间的内部电极的陶瓷叠层,以及电连接至所述内部电极并设置在陶瓷叠层的外表面上的外部电极,其中所述介电层包括(Ba1-xCax)m(Ti1-zZrz)O3(其中,0.03≤x≤0.07mol%、0.05≤z≤0.15mol%、1≤m≤1.05mol%可以是满意的,BCTZ),并且其中所述内部电极由包括Ni-粉末、具有BaTiO3(BT)的陶瓷粉末、以及居里温度移动剂的导电糊形成。

    权利要求书

    1.一种Y5V特性的多层陶瓷电容器,包括陶瓷叠层和外部电极,所述陶瓷叠层具有多层介电层和形成在所述介电层之间的内部电极,所述外部电极电连接至所述内部电极并设置在所述陶瓷叠层的外表面上,其中所述介电层包括(Ba1-xCax)m(Ti1-zZrz)O3(BCTZ),其中,0.03≤x≤0.07mol%、0.05≤z≤0.15mol%、1≤m≤1.05mol%可以是满意的,并且其中,所述内部电极由包括Ni-粉末、具有BaTiO3(BT)的陶瓷粉末、以及居里温度移动剂的导电糊形成。2.根据权利要求1所述的Y5V特性的多层陶瓷电容器,其中,所述陶瓷粉末具有基于整个导电糊在5到20wt%范围内的含量。3.根据权利要求1所述的Y5V特性的多层陶瓷电容器,其中,所述居里温度移动剂包括Ba化合物、Mg化合物、以及稀土化合物中的至少一种。4.根据权利要求3所述的Y5V特性的多层陶瓷电容器,其中,所述稀土化合物包括Y、Dy、Ho、Er、以及Yb中的至少一种。5.根据权利要求1所述的Y5V特性的多层陶瓷电容器,其中,所述居里温度移动剂具有基于整个导电糊在0.1到10wt%范围内的含量。6.根据权利要求1所述的Y5V特性的多层陶瓷电容器,其中,所述Ni-粉末具有在200nm到400nm范围内的颗粒大小。7.根据权利要求1所述的Y5V特性的多层陶瓷电容器,其中,所述陶瓷粉末具有小于所述Ni-粉末的颗粒的0.4倍的颗粒大小。8.根据权利要求1所述的Y5V特性的多层陶瓷电容器,其中,所述陶瓷粉末具有球形形状。

    说明书

    Y5V特性的多层陶瓷电容器

    相关申请的参考

    本申请要求于2010年3月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2010-0025619号的权益,将其披露内容以引用方式并入本文中。

    技术领域

    本发明涉及一种Y5V特性的多层陶瓷电容器;并且更具体地,涉及一种具有由导电糊(导电浆料,conductive?paste)形成的内部电极的Y5V特性多层陶瓷电容器,所述导电糊包括BT粉末和居里温度移动剂(居里点移动剂,Curie?temperature?shifter),用于Ni-粉末的抗收缩和导电糊的高密度。

    背景技术

    对于多层陶瓷电容器(MLCC)存在增加的需求,其是在各种工业领域如移动通信装置、数字AV装置、计算机、汽车的电子器件等中,作为用于暂时储存电流(电)的电子部件。

    随着电气/电子器件的高性能和小型化,电子部件也已经被要求变得较小且较薄。按照这样的趋势,电子部件的MLCC被设计成具有高电容、以及薄和多层。

    如此,MLCC通过下面的工艺(方法)来制造。首先,将导电糊印刷在电介质薄板(介电薄板)上,由此形成内部电极。然后,将具有内部电极的电介质薄板堆叠成多层结构并进行烧成处理(工艺),由此形成叠层(层压体)。其后,在叠层的外表面上形成电连接至内部电极的外部电极。

    这里,对于高质量的MLCC,对高电容率(介电常数)的电介质的开发目前在进行中。在高电容率的电介质中,(Ba1-xCax)m(Ti1-zZrz)O3(在下文中,称作“BCTZ”)已经被广泛用作具有高电容率的Y5V特性材料。该Y5V特性意味着通过将BaZrO3或CaTiO3加入到BaTiO3中,BaTiO3的居里温度被移动,或在居里温度周围BaTiO3的电容率变化被分散,使得电容的温度特性系数(TCC)在-30℃到85℃的温度下从-22%到82%变化。

    为了降低MLCC的价格,内部电极由便宜的Ni材料形成。此时,Y5V特性电介质具有高于1300℃的烧结温度,使得Ni电极的收缩发生,这造成其晶粒的大小增加。因此,在实现具有足够的可靠性的超薄层的超级电容器方面存在限制。

    这里,为了防止Ni的收缩,用于形成内部电极的导电糊具有抑制剂。此时,在使内部电极经受烧结处理后,抑制剂流出到电介质中,其可能对电介质的电特性具有影响。因此,已经使用具有类似于电介质的材料的陶瓷粉末作为抑制剂,例如,BCTZ。

    然而,在导电糊采用与介电层(电介质层)相同的组成的抑制剂的情况中,抑制剂具有比介电层相对更小的颗粒大小(粒度),并且因此本身烧结较早。因此,当烧结温度变得较高时,导电糊的抑制剂可能甚至早于介电层而被烧结。即,当用于内部电极中的抑制剂早于介电层而被烧结时,对于抑制导电糊的烧结-收缩存在减小的作用,其导致导电糊的截止(切断,断流,cut?off)和低电容。

    发明内容

    已经提出了本发明以便克服上述问题,因此,本发明的一个目的是提供一种具有由导电糊形成的内部电极的Y5V特性多层陶瓷电容器,所述导电糊包括BT粉末和居里温度(居里点)移动剂,用于Ni-粉末的抗收缩和导电糊的高密度,使得可以防止居里温度较高并改善内部电极的连通性。

    根据本发明的一个方面,为了实现所述目的,提供了一种Y5V特性的多层陶瓷电容器,包括具有多层介电层和形成在介电层之间的内部电极的陶瓷叠层,以及电连接至所述内部电极并设置在陶瓷叠层的外表面上的外部电极,其中所述介电层包括(Ba1-xCax)m(Ti1-zZrz)O3(其中,0.03≤x≤0.07mol%、0.05≤z≤0.15mol%、1≤m≤1.05mol%可能是满意的,BCTZ),并且其中所述内部电极由包括Ni-粉末、具有BaTiO3(BT)的陶瓷粉末、以及居里温度移动剂的导电糊形成。

    并且,所述陶瓷粉末具有基于整个导电糊在5到20wt%范围内的含量。

    并且,所述居里温度移动剂包括Ba化合物、Mg化合物、以及稀土化合物中的至少一种。

    并且,所述稀土化合物包括Y、Dy、Ho、Er、以及Yb中的至少一种。

    并且,所述居里温度移动剂具有基于整个导电糊在0.1到10wt%范围内的含量。

    并且,所述Ni-粉末具有在200nm到400nm范围内的颗粒大小。

    并且,所述陶瓷粉末具有比Ni-粉末的颗粒小0.4倍的颗粒大小。

    并且,所述陶瓷粉末具有球形形状。

    附图说明

    通过下面的结合附图的实施方式的描述,本发明的总发明构思的这些和/或其它方面以及优点将变得显而易见并更容易地被理解,其中:

    图1是示出了根据本发明的实施方式的多层陶瓷电容器的横截面视图;

    图2是示出了根据本发明的比较例的导电糊的精细结构的照片;

    图3是示出了根据本发明的实施方式的导电糊的精细结构的照片;

    图4是示出了按照比较例和实施方式,根据每个烧成温度,BT粉末的晶粒生长的照片;

    图5是示出了根据比较例以及实施方式1和2,对于每一烧结温度的收缩值的曲线图;

    图6是根据比较例以及实施方式1和2的多层陶瓷电容器的横截面照片。

    具体实施方式

    将参照附图来详细地描述根据本发明的多层陶瓷电容器的实施方式。当参照附图描述它们时,相同或相应的部件将由相同的参考标号表示并且将省略其重复的描述。

    为了清楚,透镜的尺寸、厚度、和形状在实施方式的附图中会被放大。尤其是,透镜中的非球面/球面表面的形状仅仅作为一个实例来呈现,并且本发明不限于这些形状。

    图1是示出了根据本发明的实施方式的多层陶瓷电容器的横截面图。

    参照图1,根据本发明的实施方式的多层陶瓷电容器100可以包括陶瓷叠层130和外部电极140。

    陶瓷叠层130可以包括一个堆叠在另一个上的介电层110,以及插入在堆叠的介电层110之间的内部电极120。

    介电层110中的每一个可以由具有非常适合于Y5V特性的陶瓷粉末的电介质形成。例如,所述陶瓷粉末可以为(Ba1-xCax)m(Ti1-zZrz)O3(在下文中,称为“BCTZ”),其中0.03≤x≤0.07mol%、0.05≤z≤0.15mol%、1≤m≤1.05mol%可以是满意的。

    并且,所述电介质可以进一步包括受体(受主)、供体(施主)、烧结助剂、粘结剂、溶剂等。这里,所述受体可以起为电介质提供非还原性的作用。在这种情况下,关于用作受体的组成,可以列举HfO2、MnO2、和ZrO2。并且,所述供体可以起为制造的多层陶瓷电容器提供可靠性的作用。关于用作供体的组成,可以列举Y2O3、Al2O、V2O5、Ta2O5、Nb2O5、Er2O3等。所述烧结助剂可以起有助于陶瓷粉末的烧结的作用。关于所述烧结助剂,可以列举玻璃组分、基于Li2O-SiO2的玻璃、SiO2等。所述粘结剂可以包括纤维素树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂等??梢钥悸侨芙庑院陀胝辰峒劣檬髦南嗳菪岳囱≡袼鋈芗?。关于溶剂,可以列举各种溶剂如醋酸盐、醇、酮等。除此之外,所述电介质可以进一步包括添加剂,例如分散剂、和增塑剂等。

    所述电介质的组成并不受本发明的实施方式的限制。无关紧要的是,所述电介质可以进一步包括任何成分,或者可以被没有在本发明的实施方式中披露的其它成分取代。

    内部电极120可以由导电糊形成,所述导电糊包括导电粉末、抑制剂、以及居里温度移动剂。

    为了降低产品的价格,可以使用比其它材料便宜的Ni-粉末作为导电粉末。在这种情况下,所述Ni-粉末可以具有在200nm到400nm范围内的颗粒大小。

    所述抑制剂可以起抑制所述导电粉末的收缩的作用。这里,所述抑制剂可以由不同于陶瓷粉末的材料形成,例如,BaTiO3(在下文中,称作“BT”)。

    所述抑制剂,即,BT粉末,可以抑制Ni的收缩,从而由此提高最终烧成的Ni的填充密度(填料密度),并改善内部电极的连通性。

    所述BT粉末可以为球形形状,其导致更有效地控制Ni的收缩。所述BT粉末的颗粒大小应当小于Ni-粉末的颗粒大小的0.4倍。例如,BT粉末的颗粒大小可以在10nm到150nm的范围内。这是因为,当BT粉末具有小于Ni-粉末的颗粒大小的10nm的颗粒大小时,在防止Ni的收缩方面没有作用。另一方面,当BT的颗粒大小相对于Ni-粉末的颗粒大小超过150nm时,导电糊中的Ni-粉末的填充密度可能被降低。这会造成内部电极的截止(cut-off),并且因此内部电极可以具有比预期低的连通性。

    基于整个导电糊,所述BT粉末的含量可以在5wt%到20wt%的范围内。这是因为,当所述BT粉末的含量小于5wt%时,在导电糊中存在BT粉末的降低的填充密度,其导致在防止Ni的收缩方面没有大的作用。并且,当所述BT粉末的含量超过20wt%时,存在Ni的降低的填充密度,其导致多层陶瓷电容器的电特征的降低。在其中BT粉末被用作抑制剂的情况下,所述BT粉末会在内部电极的烧成期间流出到介电层中。由此,在电介质的成分中,用于起移动剂作用以将电介质内的居里温度移动到低温的成分(如ZrO2)可能具有降低的含量。因此,电介质的居里温度变高,由此其电容率在室温下会被增加,并且耗散因子(损耗因数)会被提高。即,导电糊使用BT粉末作为抑制剂以便改善内部电极的连通性。然而,由于抑制剂和BT粉末相互具有不同的成分,因此可能存在的问题是在室温下其电容率会被增加并且耗散因子会被提高。

    为了解决该问题,所述导电糊可以进一步包括居里温度移动剂。在烧成期间,居里温度移动剂被吸收到电介质中并起抑制电介质的晶粒生长的作用。这是因为,根据电介质的颗粒大小的降低居里温度移动到低温。因此,居里温度移动剂在室温下减小电介质的电容率并由此减小耗散因子(DF)。因此,可以维持Y5V特性,并且确保内部电极的连通性。

    这里,BT粉末具有小于BCTZ粉末的颗粒大小,使得BT粉末的烧成起始温度会变得低于BCTZ粉末的烧成起始温度。因此,在BT粉末和BCTZ粉末的烧成起始温度之间存在差异,使得存在导致多层陶瓷电容器内的裂纹(开裂,crack)的收缩差异。在这种情况下,由于居里温度移动剂被包括在导电糊中,因此它可以起在内部电极的烧成期间控制BT粉末的收缩的作用。

    因此,可以防止多层陶瓷电容器中的裂纹,即,烧成过程期间介电层与内部电极之间的界面表面的裂纹。因此,通过被包括在导电糊中,居里温度移动剂可以使居里温度降低,以及同时防止抑制剂,即,BT粉末的收缩。

    所述居里温度移动剂可以包括至少一种化合物以防止抑制剂的收缩,并且降低居里温度,其包括Ba化合物、Mg化合物、以及稀土化合物。即,居里温度移动剂可以包括单一化合物或两种化合物的混合物。这里,所述化合物在导电糊中可以具有酸式碳酸盐(carbonate?acid)、或碳酸盐的形态(形状)。并且,所述化合物在烧成后可以具有氧化物的形态。关于氧化物,可以列举BaO、MgO、稀土氧化物(如R2O3)等。这里,R可以为Y、Dy、Ho、Er和Yb中的任何一种。

    基于整个导电糊,居里温度移动剂的含量可以在0.1wt%到10wt%的范围内。这是因为,当居里温度移动剂的含量小于0.1wt%时,居里温度移动剂不能在高温下流出到电介质,并因此不能控制电介质的晶粒生长,其导致降低电介质的居里温度的失败。另一方面,当居里温度移动剂的含量高于10wt%时,居里温度移动剂扩散到电介质中,其导致多层陶瓷电容器的电容的降低。

    此外,居里温度移动剂可以进一步包括粘结剂用树脂、溶剂、以及添加剂。这里,关于粘结剂用树脂,可以列举聚乙烯醇缩丁醛树脂、乙基纤维素树脂、丙烯酸类树脂、硅树脂、酚醛树脂等。关于溶剂,可以列举萜品醇、甲苯、二甲苯、无味矿物油精、丁基卡必醇、以及乙二醇。并且,关于添加剂,可以列举增塑剂、抗氧化剂、分散剂等。

    外部电极140被电连接至内部电极120,并且被布置在叠层的外表面上。这里,外部电极140的材料可以包括Cu、Ni、W、和Mo,并且本发明的实施方式不限于此。

    图2是示出了根据比较例的导电糊的精细结构的照片。

    图3是示出了根据本发明的实施方式的导电糊的精细结构的照片。

    如在图2中,根据比较例的导电糊可以包括Ni-粉末A和BCTZ粉末B。此时,在根据比较例的导电糊中,Ni-粉末A的填充密度为45.3vol%,而Ni-粉末A和BCTZ粉末B的填充密度为61.9vol%。此时,导电糊的干膜可以具有5.38g/cm3的密度。

    另一方面,根据本发明的实施方式的导电糊包括Ni-粉末A和BT粉末C,如图3所示。此时,在根据本发明的实施方式的导电糊中,Ni-粉末A的填充密度为47.6vol%,而Ni-粉末A和BT粉末C的填充密度为65vol%。此时,导电糊的干膜具有5.65g/cm3的密度。

    因此,当导电糊使用BT粉末作为抑制剂,代替BCTZ粉末时,Ni-粉末的填充密度、导电糊的填充密度、以及干膜的密度可以被增加。同样,通过增加不仅Ni-粉末A,而且导电糊的填充密度,已经证实可以改善内部电极的连通性。

    图4是示出了根据本发明的比较例和实施方式的对于每一烧结温度,BT粉末的晶粒生长的表格。

    这里,比较例与BT粉末的烧结状态相关,而实施方式与通过使BaO、MgO、和Y2O3与BT粉末混合获得的所得的BT粉末的烧结状态相关。

    从图4中已经证实,与其中单独的BT粉末被烧结的情况相比,在其中具有加入其中的BaO、MgO、和Y2O3的BT粉末被烧结的情况中,BT粉末的晶粒生长被减小。

    图5是示出了根据比较例以及实施方式1和2,对于每个烧结温度的收缩值的曲线图。

    这里,根据比较例的导电糊可以包括Ni-粉末,和BT粉末。另一方面,根据比较例的导电粉末与实施方式1和2具有相同的组成,除了实施方式1的导电糊进一步包括BaO,并且实施方式2的导电糊进一步包括BaO和MgO的混合物。

    如图5中,已经证实,实施方式1和2的收缩曲线S2和S3移动到高温,在比较例的收缩曲线S1之上。

    因此,已经证实,当导电糊包括BaO,或BaO和MgO中的任一个时,作为居里温度移动剂,它可以控制抑制剂,以及Ni-粉末的晶粒生长。

    图6是示出了根据本发明的实施方式1和2的多层陶瓷电容器的横截面照片。

    如图6中,已经证实,当烧结温度降低到1213℃的温度时,混合成分的居里温度移动剂具有比单一成分的居里温度移动剂更有效的电介质的烧结。

    下面的表1列出了按照实施方式1和1,根据每个烧制温度的多层陶瓷电容器的芯片电容和耗散因子(DF)。

    表1

    从表1可以明了,在实施方式1和2中,根据烧制温度的降低,电容和DF被降低。尤其是,在实施方式2中,即使烧制温度已经被降低到1213℃的温度,在没有电容的显著减少的情况下,DF被减少。这是因为,即使烧制温度降低到1213℃的温度,电介质也被充分地烧结,并且电介质的颗粒大小变得较小,如图6中所示。

    因此,根据实验实施方式和比较例的结果,即使烧制温度降低20℃或更低,也可以在与常规情况中相同的水平实现电容和DF。此外,可以减少内部电极的结块,并且均匀化和抑制电介质的晶粒生长。

    因此,在本发明中,可以使用BT粉末作为抑制剂用于Ni的抗收缩,由此提高导电糊的密度,以及Ni的填充密度,其导致内部电极的高连通性。

    并且,本发明的居里温度移动剂可以抑制在电介质的烧制温度前,包含在导电糊中的抑制剂(即,BT粉末)的烧结,并且防止由烧制温度的差异产生的电介质层与内部电极之间的界面表面的裂缝。

    并且,本发明的内部电极包括居里温度移动剂以抑制电介质的晶粒生长,使得可以防止居里温度的增加。因此,可以在室温下防止电介质的电容率和DF的增加。

    根据本发明,可以使用BT粉末作为抑制剂用于Ni的抗收缩,由此提高导电糊的密度和Ni的填充密度,其导致内部电极的高连通性。

    并且,本发明的内部电极包括居里温度移动剂以由此防止居里温度的增加。因此,可以防止电介质的电容率和DF的增加。

    并且,本发明的居里温度移动剂可以在电介质的烧制温度前,抑制包含在导电糊中的抑制剂,即,BT粉末的烧结,并且防止电介质层与内部电极之间的界面表面的裂纹。

    如上所述,虽然已经示出和描述了本发明的优选实施方式,但是本领域技术人员将理解,在不背离总的发明构思的原则和精神下,可以在这些实施方式中进行替换、修改和变化,其范围在所附的权利要求以及它们的等同物中限定。

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