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    移位寄存器 电路
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    摘要
    申请专利号:

    CN201110178306.2

    申请日:

    2011.06.29

    公开号:

    CN102201194A

    公开日:

    2011.09.28

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G09G 3/20申请日:20110629|||公开
    IPC分类号: G09G3/20 主分类号: G09G3/20
    申请人: 友达光电股份有限公司
    发明人: 曾卿杰; 蔡轩名; 刘俊彦
    地址: 中国台湾新竹市
    优先权: 2011.04.28 TW 100114848
    专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110178306.2

    授权公告号:

    102201194B||||||

    法律状态公告日:

    2014.01.01|||2011.11.23|||2011.09.28

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种移位寄存器电路,包含多级移位寄存器,其中每一级移位寄存器具有一用来根据驱动控制电压与第一时钟以下拉扫描讯号的第一下拉单元、一用来根据输入讯号与反相于第一时钟的第二时钟以输出驱动控制电压的输入单元、一用来根据驱动控制电压以提供第一控制讯号的第一控制单元、一用来根据第一控制讯号以上拉驱动控制电压与扫描讯号的第一上拉单元、一用来根据扫描讯号以上拉发光讯号的第二上拉单元、一用来根据扫描讯号与第二时钟以提供第二控制讯号的第二控制单元、以及一用来根据第二控制讯号以下拉发光讯号的第二下拉单元。

    权利要求书

    1.一种移位寄存器电路,用来提供多个扫描讯号与多个发光讯号,该移位寄存器电路包含多级移位寄存器,这些级移位寄存器的一第N级移位寄存器包含:一第一下拉单元,用来根据一驱动控制电压与一第一时钟以下拉这些扫描讯号的一第N扫描讯号;一输入单元,电连接于该第一下拉单元,该输入单元用来根据一第一输入讯号与一反相于该第一时钟的第二时钟以输出该驱动控制电压;一第一控制单元,电连接于该输入单元,该第一控制单元用来根据该驱动控制电压以提供一第一控制讯号;一第一上拉单元,电连接于该第一控制单元、该输入单元与该第一下拉单元,该第一上拉单元用来根据该第一控制讯号以上拉该驱动控制电压与该第N扫描讯号;一第二上拉单元,电连接于该第一下拉单元,该第二上拉单元用来根据该第N扫描讯号以上拉这些发光讯号的一第N发光讯号;一第二下拉单元,电连接于该第二上拉单元,该第二下拉单元用来根据一第二控制讯号以下拉该第N发光讯号;以及一第二控制单元,电连接于该第二下拉单元,该第二控制单元用来根据该第N扫描讯号与该第二时钟以提供该第二控制讯号。2.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第一下拉单元包含:一第一晶体管,具有一用来接收该第一时钟的第一端、一用来接收该驱动控制电压的栅极端、及一用来输出该第N扫描讯号的第二端。3.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第一上拉单元包含:一第二晶体管,具有一电连接于该第一下拉单元的第一端、一用来接收该第一控制讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端;以及一第三晶体管,具有一电连接于该输入单元的第一端、一用来接收该第一控制讯号的栅极端、及一用来接收该高参考电压的第二端。4.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第一控制单元包含:一第四晶体管,具有一用来接收一低参考电压的第一端、一电连接于该第一端的栅极端、及一用来输出该第一控制讯号的第二端;以及一第五晶体管,具有一电连接于该第四晶体管的第二端的第一端、一用来接收该驱动控制电压的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端。5.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第二上拉单元包含:一第六晶体管,具有一用来接收一高参考电压的第一端、一用来接收该第N扫描讯号的栅极端、及一用来输出该第N发光讯号的第二端。6.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第二下拉单元包含:一第七晶体管,具有一电连接于该第二上拉单元的第一端、一用来接收该第二控制讯号的栅极端、及一用来接收一低参考电压的第二端。7.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第二控制单元包含:一第八晶体管,具有一用来输出该第二控制讯号的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一用来接收一低参考电压的第二端;以及一第九晶体管,具有一电连接于该第八晶体管的第一端的第一端、一用来接收该第N扫描讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端。8.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第N级移位寄存器还包含:一第三上拉单元,电连接于该第一下拉单元,该第三上拉单元用来根据一第二输入讯号以上拉该第N扫描讯号。9.如权利要求8所述的移位寄存器电路,其中该第三上拉单元包含:一第十晶体管,具有一电连接于该第一下拉单元的第一端、一用来接收该第二输入讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端。10.如权利要求8所述的移位寄存器电路,其中该第一输入讯号为这些扫描讯号的一第(N-1)扫描讯号,该第二输入讯号为这些扫描讯号的一第(N+1)扫描讯号。11.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该输入单元包含:一第十一晶体管,具有一用来接收该第一输入讯号的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一电连接于该第一下拉单元的第二端。12.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第N级移位寄存器还包含:一稳压单元,电连接于该输入单元与该第一下拉单元,该稳压单元用来根据该第N扫描讯号以稳压该驱动控制电压。13.如权利要求12所述的移位寄存器电路,其中:该输入单元包含:一第十一晶体管,具有一用来接收该第一输入讯号的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一第二端;以及一第十二晶体管,具有一电连接于该第十一晶体管的第二端的第一端、一用来接收该第二时钟的栅极端、及一电连接于该第一下拉单元的第二端;以及该稳压单元包含:一第十三晶体管,具有一用来接收该第N扫描讯号的第一端、一用来接收该第N扫描讯号的栅极端、及一电连接于该第十二晶体管的第一端的第二端。14.如权利要求1所述的移位寄存器电路,其中该第N级移位寄存器还包含:一进位单元,电连接于该输入单元,该进位单元用来根据该驱动控制电压与该第一时钟以输出一第N启始脉冲讯号;以及一第三上拉单元,电连接于该输入单元、该第一下拉单元与该进位单元,该第三上拉单元用来根据一第二输入讯号以上拉该驱动控制电压、该第N扫描讯号及该第N启始脉冲讯号。15.如权利要求14所述的移位寄存器电路,其中该第一输入讯号为一第(N-1)启始脉冲讯号,该第二输入讯号为一第(N+1)启始脉冲讯号或这些扫描讯号的一第(N+1)扫描讯号。16.如权利要求14所述的移位寄存器电路,其中该进位单元包含:一第十四晶体管,具有一用来接收该第一时钟的第一端、一用来接收该驱动控制电压的栅极端、及一用来输出该第N启始脉冲讯号的第二端。17.如权利要求14所述的移位寄存器电路,其中该第三上拉单元包含:一第十晶体管,具有一电连接于该第一下拉单元的第一端、一用来接收该第二输入讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端;以及一第十五晶体管,具有一电连接于该进位单元的第一端、一用来接收该第二输入讯号的栅极端、及一用来接收该高参考电压的第二端。18.如权利要求17所述的移位寄存器电路,其中该第三上拉单元还包含:一第十七晶体管,具有一电连接于该输入单元的第一端、一用来接收该第二输入讯号的栅极端、及一用来接收该高参考电压的第二端。19.如权利要求14所述的移位寄存器电路,其中该第一上拉单元还用来根据该第一控制讯号以上拉该第N启始脉冲讯号。20.如权利要求19所述的移位寄存器电路,其中该第一上拉单元包含:一第二晶体管,具有一电连接于该第一下拉单元的第一端、一用来接收该第一控制讯号的栅极端、及一用来接收一高参考电压的第二端;一第三晶体管,具有一电连接于该输入单元的第一端、一用来接收该第一控制讯号的栅极端、及一用来接收该高参考电压的第二端;以及一第十六晶体管,具有一电连接于该进位单元的第一端、一用来接收该第一控制讯号的栅极端、及一用来接收该高参考电压的第二端。

    说明书

    移位寄存器电路

    技术领域

    本发明涉及一种移位寄存器电路,特别是涉及一种用来提供多个扫描讯号与多个发光讯号的移位寄存器电路。

    背景技术

    平面显示装置(Flat?Panel?Display)具有外型轻薄、省电以及无辐射等优点,所以被广泛地应用于计算机屏幕、移动电话、个人数字助理(PDA)、平面电视等电子产品上。在各种平面显示装置中,主动式矩阵有机发光显示装置(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Display;AMOLED)还具有自发光、高亮度、高发光效率、高对比、反应速度快、广视角、以及可使用温度范围大等进一步的优点,因此在平面显示装置的市场上极具竞争性。一般而言,主动式矩阵有机发光显示装置包含有多个像素单元、移位寄存器电路以及数据驱动器。数据驱动器用来产生多个数据讯号至多个像素单元。移位寄存器电路用来产生多个扫描讯号馈入多个像素单元以控制多个数据讯号的写入运作。此外,移位寄存器电路另用来产生多个发光讯号,据以提供多个像素单元的发光致能控制,而且每一发光讯号反相于对应扫描讯号以进行电路运作的晶体管临界电压补偿。现有技术是以互补式金属氧化物半导体(Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor;CMOS)电路所设计的反相器来提供互为反相的扫描讯号及发光讯号,亦即此种现有的移位寄存器电路包含P型晶体管与N型晶体管,故需较复杂的半导体制造工艺。

    发明内容

    依据本发明的实施例,其揭示一种用来提供多个扫描讯号与多个发光讯号的移位寄存器电路。此种移位寄存器电路包含多级移位寄存器,每一级移位寄存器包含第一下拉单元、输入单元、第一控制单元、第一上拉单元、第二上拉单元、第二下拉单元、以及第二控制单元。第一下拉单元用来根据驱动控制电压与第一时钟以下拉对应扫描讯号。电连接于第一下拉单元的输入单元用来根据输入讯号与反相于第一时钟的第二时钟以输出驱动控制电压。电连接于输入单元的第一控制单元用来根据驱动控制电压以提供第一控制讯号。电连接于第一控制单元、输入单元与第一下拉单元的第一上拉单元用来根据第一控制讯号以上拉驱动控制电压与对应扫描讯号。电连接于第一下拉单元的第二上拉单元用来根据对应扫描讯号以上拉对应发光讯号。电连接于第二上拉单元的第二下拉单元用来根据第二控制讯号以下拉对应发光讯号。电连接于第二下拉单元的第二控制单元用来根据对应扫描讯号与第二时钟以提供第二控制讯号。

    附图说明

    图1为本发明第一实施例的移位寄存器电路的示意图。

    图2为图1所示的移位寄存器电路的工作相关讯号波形示意图,其中横轴为时间轴。

    图3为本发明第二实施例的移位寄存器电路的示意图。

    图4为本发明第三实施例的移位寄存器电路的示意图。

    附图符号说明

    具体实施方式

    下文依本发明移位寄存器电路特举实施例结合附图详细说明,但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围。

    图1为本发明第一实施例的移位寄存器电路的示意图。如图1所示,移位寄存器电路100包含多级移位寄存器,为方便说明,移位寄存器电路100只显示第(N-1)级移位寄存器111、第N级移位寄存器112、以及第(N+1)级移位寄存器113,其中只有第N级移位寄存器112显示内部功能单元架构,其余级移位寄存器类似于第N级移位寄存器112,不另赘述。在移位寄存器电路100的运作中,第N级移位寄存器112用来根据第(N-1)级移位寄存器111产生的扫描讯号SSn-1、第(N+1)级移位寄存器113产生的扫描讯号SSn+1、第一时钟CK1、及反相于第一时钟CK1的第二时钟CK2以产生扫描讯号SSn与发光讯号EMn,其余级移位寄存器可同理类推。

    第N级移位寄存器112包含第一下拉单元120、输入单元125、第一上拉单元130、第一控制单元135、第二上拉单元140、第二下拉单元145、第二控制单元150、稳压单元155、以及第三上拉单元160。电连接于第(N-1)级移位寄存器111的输入单元125用来根据扫描讯号SSn-1与第二时钟CK2以输出驱动控制电压VQn。电连接于输入单元125与扫描线LSn的第一下拉单元120用来根据驱动控制电压VQn与第一时钟CK1以下拉扫描讯号SSn,其中扫描线LSn用以传输扫描讯号SSn。电连接于输入单元125的第一控制单元135用来根据驱动控制电压VQn以提供第一控制讯号SC1。电连接于第一控制单元135、输入单元125与第一下拉单元120的第一上拉单元130用来根据第一控制讯号SC1以上拉驱动控制电压VQn与扫描讯号SSn。

    电连接于第一下拉单元120与传输线LEn的第二上拉单元140用来根据扫描讯号SSn以上拉发光讯号EMn,其中传输线LEn用以传输发光讯号EMn。电连接于第一下拉单元120的第二控制单元150用来根据扫描讯号SSn与第二时钟CK2以提供第二控制讯号SC2。电连接于传输线LEn与第二控制单元150的第二下拉单元145用来根据第二控制讯号SC2以下拉发光讯号EMn。电连接于扫描线LSn与第(N+1)级移位寄存器113的第三上拉单元160用来根据扫描讯号SSn+1以上拉扫描讯号SSn。电连接于输入单元125与第一下拉单元120的稳压单元155用来根据扫描讯号SSn以稳压驱动控制电压VQn。

    在图1的实施例中,第一下拉单元120包含第一晶体管121,第一上拉单元130包含第二晶体管131与第三晶体管132,第一控制单元135包含第四晶体管136与第五晶体管137,第二上拉单元140包含第六晶体管141,第二下拉单元145包含第七晶体管146,第二控制单元150包含第八晶体管151与第九晶体管152,第三上拉单元160包含第十晶体管161,输入单元125包含第十一晶体管126与第十二晶体管127,稳压单元155包含第十三晶体管156。请注意,上述或以下所述的每一晶体管可为薄膜晶体管(Thin?Film?Transistor;TFT)或场效应晶体管(Field?Effect?Transistor;FET)。

    第一晶体管121具有一用来接收第一时钟CK1的第一端、一用来接收驱动控制电压VQn的栅极端、及一用来输出扫描讯号SSn的第二端。第十一晶体管126具有一用来接收扫描讯号SSn-1的第一端、一用来接收第二时钟CK2的栅极端、及一电连接于第十二晶体管127的第二端。第十二晶体管127具有一电连接于第十一晶体管126的第二端的第一端、一用来接收第二时钟CK2的栅极端、及一电连接于第一晶体管121的栅极端的第二端。第十晶体管161具有一电连接于第一晶体管121的第二端的第一端、一用来接收扫描讯号SSn+1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第二晶体管131具有一电连接于第一晶体管121的第二端的第一端、一用来接收第一控制讯号SC1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第三晶体管132具有一电连接于第十二晶体管127的第二端的第一端、一用来接收第一控制讯号SC1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。

    第四晶体管136包含第一端、第二端及栅极端,其中第一端与栅极端用来接收低参考电压VGL,第二端用来输出第一控制讯号SC1。第五晶体管137具有一电连接于第四晶体管136的第二端的第一端、一用来接收驱动控制电压VQn的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第六晶体管141具有一用来接收高参考电压VGH的第一端、一用来接收扫描讯号SSn的栅极端、及一用来输出发光讯号EMn的第二端。第七晶体管146具有一电连接于第六晶体管141的第二端的第一端、一用来接收第二控制讯号SC2的栅极端、及一用来接收低参考电压VGL的第二端。第八晶体管151具有一用来输出第二控制讯号SC2的第一端、一用来接收第二时钟CK2的栅极端、及一用来接收低参考电压VGL的第二端。第九晶体管152具有一电连接于第八晶体管151的第一端的第一端、一用来接收扫描讯号SSn的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。

    第十三晶体管156包含第一端、第二端及栅极端,其中第一端与栅极端用来接收扫描讯号SSn,第二端电连接于第十二晶体管127的第一端。第十三晶体管156可将具低电压电平的扫描讯号SSn传输至第十二晶体管127的第一端,用来降低第十二晶体管127的漏源极压差以抑制漏电流,进而达到驱动控制电压VQn的稳压效果。在另一实施例中,第十三晶体管156与第十二晶体管127可省略,而第十一晶体管126的第二端则直接耦接至第一晶体管121的栅极端、第五晶体管137的栅极端及第三晶体管132的第一端,并使用具低漏电流特性的第十一晶体管126以达到驱动控制电压VQn的稳压效果。

    图2为图1所示的移位寄存器电路的工作相关讯号波形示意图,其中横轴为时间轴。在图2中,由上往下的讯号分别为第一时钟CK1、第二时钟CK2、扫描讯号SSn-1、驱动控制电压VQn、扫描讯号SSn、发光讯号EMn、以及扫描讯号SSn+1。参阅图2与图1,于时段T1内,扫描讯号SSn-1与第二时钟CK2均由高电平切换为低电平,故可导通第十一晶体管126与第十二晶体管127以下拉驱动控制电压VQn至第一低电压电平VL1。此时,具第一低电压电平VL1的驱动控制电压VQn可导通第五晶体管137以上拉第一控制讯号SC1至高参考电压VGH,进而截止第二晶体管131与第三晶体管132。

    于时段T2内,第二时钟CK2由低电平切换为高电平,据以截止第十一晶体管126与第十二晶体管127,从而使驱动控制电压VQn成为浮接电压,又因第一时钟CK1由高电平切换为低电平,故可藉由第一晶体管121的元件电容耦合作用,将驱动控制电压VQn从第一低电压电平VL1下拉至第二低电压电平VL2,并据以导通第一晶体管121,将扫描讯号SSn从高电平下拉至低电平。此时,具有低电平的扫描讯号SSn可导通第六晶体管141,进而将发光讯号EMn从低电平上拉至高电平。具有低电平的扫描讯号SSn另可导通第九晶体管152以上拉第二控制讯号SC2至高参考电压VGH,从而截止第七晶体管146。此外,扫描讯号SSn于时段T2内的低电压电平可导通第十三晶体管156,进而将第十二晶体管127的第一端的电压下拉至低电压电平,用来降低第十二晶体管127的漏源极压差以减少漏电流,如此即可达到驱动控制电压VQn的稳压效果。

    于时段T3内,具有低电平的扫描讯号SSn+1可导通第十晶体管161,据以将扫描讯号SSn上拉至高参考电压VGH,进而截止第六晶体管141与第九晶体管152。此时,因第二时钟CK2由高电平切换为低电平,故可导通第八晶体管151以下拉第二控制讯号SC2至低参考电压VGL,具有低参考电压VGL的第二控制讯号SC2即用来导通第七晶体管146以下拉发光讯号EMn至低参考电压VGL。

    请注意,如图1所示,第N级移位寄存器112的所有晶体管均为P型晶体管,亦即第N级移位寄存器112基于只包含P型晶体管的电路以提供互为反相的扫描讯号SSn与发光讯号EMn,同理,其余级移位寄存器亦可基于只包含P型晶体管的电路以提供互为反相的扫描讯号与发光讯号,因此可显著简化半导体制造工艺以降低生产成本。此外,本领域的技术人员可根据第N级移位寄存器112所揭示的架构而轻易地完成只包含N型晶体管的对等移位寄存器电路,所以基于只包含N型晶体管的对等移位寄存器电路亦不脱离本发明的精神和范围。

    图3为本发明第二实施例的移位寄存器电路的示意图。如图3所示,移位寄存器电路200包含多级移位寄存器,为方便说明,移位寄存器电路200只显示第(N-1)级移位寄存器211、第N级移位寄存器212、以及第(N+1)级移位寄存器213,其中只有第N级移位寄存器212显示内部功能单元架构,其余级移位寄存器类似于第N级移位寄存器212,不另赘述。在移位寄存器电路200的运作中,第N级移位寄存器212用来根据第(N-1)级移位寄存器211产生的启始脉冲讯号STn-1、第(N+1)级移位寄存器213产生的扫描讯号SSn+1、第一时钟CK1、及反相于第一时钟CK1的第二时钟CK2以产生扫描讯号SSn、发光讯号EMn及启始脉冲讯号STn,其余级移位寄存器可同理类推。

    第N级移位寄存器212类似于图1所示的第N级移位寄存器112,主要差异在于将输入单元125置换为输入单元225,将第三上拉单元160置换为第三上拉单元260,并还包含进位单元270。电连接于第(N-1)级移位寄存器211的输入单元225用来根据启始脉冲讯号STn-1与第二时钟CK2以输出驱动控制电压VQn。电连接于输入单元225的进位单元270用来根据驱动控制电压VQn与第一时钟CK1以输出启始脉冲讯号STn。电连接于第一下拉单元120、进位单元270与第(N+1)级移位寄存器213的第三上拉单元260用来根据扫描讯号SSn+1以上拉扫描讯号SSn及启始脉冲讯号STn。

    在图3的实施例中,输入单元225包含第十一晶体管226与第十二晶体管227,进位单元包含第十四晶体管271,第三上拉单元260包含第十晶体管261与第十五晶体管262。第十一晶体管226具有一用来接收启始脉冲讯号STn-1的第一端、一用来接收第二时钟CK2的栅极端、及一电连接于第十二晶体管227的第二端。第十二晶体管227具有一电连接于第十一晶体管226的第二端的第一端、一用来接收第二时钟CK2的栅极端、及一电连接于第一晶体管121的栅极端的第二端。第十四晶体管271具有一用来接收第一时钟CK1的第一端、一用来接收驱动控制电压VQn的栅极端、及一用来输出启始脉冲讯号STn的第二端。第十晶体管261具有一电连接于第一晶体管121的第二端的第一端、一用来接收扫描讯号SSn+1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第十五晶体管262具有一电连接于第十四晶体管271的第二端的第一端、一电连接于第十晶体管261的栅极端的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。在另一实施例中,第十晶体管261的栅极端电连接于第(N+1)级移位寄存器213以接收启始脉冲讯号STn+1。

    由于启始脉冲讯号STn-1、启始脉冲讯号STn及启始脉冲讯号STn+1的波形实质上分别同于扫描讯号SSn-1、扫描讯号SSn及扫描讯号SSn+1的波形,故第N级移位寄存器212的电路工作原理可根据上述第N级移位寄存器112的电路工作原理而同理类推。此外,如图3所示,第N级移位寄存器212的所有晶体管均为P型晶体管,也就是说,第N级移位寄存器212亦基于只包含P型晶体管的电路以提供互为反相的扫描讯号SSn与发光讯号EMn,并还提供用来驱动第(N+1)级移位寄存器213的启始脉冲讯号STn,所以仍可显著简化半导体制造工艺以降低生产成本。

    图4为本发明第三实施例的移位寄存器电路的示意图。如图4所示,移位寄存器电路300包含多级移位寄存器,为方便说明,移位寄存器电路300只显示第(N-1)级移位寄存器311、第N级移位寄存器312、以及第(N+1)级移位寄存器313,其中只有第N级移位寄存器312显示内部功能单元架构,其余级移位寄存器类似于第N级移位寄存器312,不另赘述。在移位寄存器电路300的运作中,第N级移位寄存器312用来根据第(N-1)级移位寄存器311产生的启始脉冲讯号STn-1、第(N+1)级移位寄存器313产生的扫描讯号SSn+1、第一时钟CK1、及反相于第一时钟CK1的第二时钟CK2以产生扫描讯号SSn、发光讯号EMn及启始脉冲讯号STn,其余级移位寄存器可同理类推。

    第N级移位寄存器312类似于图3所示的第N级移位寄存器212,主要差异在于将第一上拉单元130置换为第一上拉单元330,并将第三上拉单元260置换为第三上拉单元360。电连接于第一控制单元135、输入单元225、第一下拉单元120与进位单元270的第一上拉单元330用来根据第一控制讯号SC1以上拉驱动控制电压VQn、扫描讯号SSn及启始脉冲讯号STn。电连接于输入单元225、第一下拉单元120、进位单元270与第(N+1)级移位寄存器313的第三上拉单元360用来根据扫描讯号SSn+1以上拉驱动控制电压VQn、扫描讯号SSn及启始脉冲讯号STn。

    在图4的实施例中,第一上拉单元330包含第二晶体管331、第三晶体管332与第十六晶体管333,第三上拉单元360包含第十晶体管361、第十五晶体管362与第十七晶体管363。第二晶体管331具有一电连接于第一晶体管121的第二端的第一端、一用来接收第一控制讯号SC1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第三晶体管332具有一电连接于第十二晶体管227的第二端的第一端、一用来接收第一控制讯号SC1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第十六晶体管333具有一电连接于第十四晶体管271的第二端的第一端、一用来接收第一控制讯号SC1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。

    第十晶体管361具有一电连接于第一晶体管121的第二端的第一端、一用来接收扫描讯号SSn+1的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第十五晶体管362具有一电连接于第十四晶体管271的第二端的第一端、一电连接于第十晶体管361的栅极端的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。第十七晶体管363具有一电连接于第十二晶体管227的第二端的第一端、一电连接于第十晶体管361的栅极端的栅极端、及一用来接收高参考电压VGH的第二端。在另一实施例中,第十晶体管361的栅极端电连接于第(N+1)级移位寄存器313以接收启始脉冲讯号STn+1。

    基本上,第N级移位寄存器312的电路工作原理类似于上述第N级移位寄存器212的电路工作原理。此外,如图4所示,第N级移位寄存器312的所有晶体管均为P型晶体管,故第N级移位寄存器312亦基于只包含P型晶体管的电路以提供互为反相的扫描讯号SSn与发光讯号EMn,并另提供用来驱动第(N+1)级移位寄存器313的启始脉冲讯号STn,所以仍可显著简化半导体制造工艺以降低生产成本。

    综上所示,本发明移位寄存器可基于只包含P型晶体管或N型晶体管的电路以提供互为反相的扫描讯号与发光讯号至像素单元,使像素单元可据以执行发光控制运作与晶体管临界电压补偿运作,故可显著简化半导体制造工艺以降低生产成本。

    虽然本发明已以实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,本领域的技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的前提下,可作各种更动与润饰,因此本发明的?;し段且员痉⒚鞯娜ɡ笪?。

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