• 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03
    • / 28
    • 下载费用:30 金币  

    重庆时时彩平台是真的: 超纯流体.pdf

    关 键 词:
    流体
      专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    摘要
    申请专利号:

    CN201110147159.2

    申请日:

    2005.12.19

    公开号:

    CN102229816A

    公开日:

    2011.11.02

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):C10G 65/08申请公布日:20111102|||实质审查的生效IPC(主分类):C10G 65/08申请日:20051219|||公开
    IPC分类号: C10G65/08; C10G65/02 主分类号: C10G65/08
    申请人: ??松梨诨ёɡ?
    发明人: T·A·格里布肖; S·汉茨尔; S·J·麦卡锡; S·西尔弗伯格; V·斯瓦鲁普
    地址: 美国得克萨斯
    优先权: 2005.01.14 US 60/644,178
    专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 杨立芳
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110147159.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2015.03.18|||2011.12.14|||2011.11.02

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及就含硫物质、含氮物质、氧化的物质和不饱和物质中的至少一种而言具有高纯度的烃流体,特别地缺乏芳族化合物的烃流体,制造所述烃流体的方法,用于所述方法中的催化剂,实施所述方法的装置和所述流体的用途。

    权利要求书

    1.将烃流体原料流氢化的方法,包括对选自ACN(常压粗石脑油)、
    HVN(重质直馏石脑油)、煤油、柴油、LGO(轻瓦斯油)、PGO(工艺瓦斯油)、
    在化学过程中产生的低聚物、从GTL过程衍生的原料流和它们的混合物
    中的第一原料流进行加氢处理和/或加氢精制的步骤,以获得包括具有
    至少5℃的沸程并具有至少500ppm的芳族化合物含量的C5-C19烃流
    体的第二原料流,让所述第二原料流与芳族化合物饱和催化剂在合氢的
    处理气体存在下和有效的芳族化合物饱和条件下进行接触,以制备包含
    具有至少5℃的沸程并包含低于100ppm芳族化合物的烃流体的蒸馏馏
    分产品;其中所述芳族化合物饱和条件包括低于1000psig的氢气分压
    和低于232℃的温度;并且其中所述芳族化合物饱和催化剂包括以1∶2
    到1∶4的重量比担载于MCM-41上的Pt和Pd的氢化-脱氢组分和包含氧
    化铝的粘结剂材料,并且其中载体材料和粘结剂材料的重量比是从
    80∶20到50∶50;并且
    回收蒸馏馏分产品。
    2.根据权利要求1的方法,其中所述蒸馏馏分产品为主要包括己
    烷的烃流体,其进一步的特征在于具有根据UV光谱分析法测得的低于1
    ppm的芳族化合物含量,根据ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫,和
    没有可由FID检测到的含氧化合物。
    3.根据权利要求1的方法,其中所述蒸馏馏分产品为主要包括庚
    烷的烃流体,其进一步的特征在于具有根据ASTM?D-5453无法检测到的
    水平的硫和没有可由FID检测到的含氧化合物。
    4.根据权利要求1的方法,其中所述产品的沸程与所述原料流的
    沸程相同。
    5.根据权利要求1的方法,其中所述产品没有从所述原料流异构
    化。
    6.根据权利要求1的方法,其中所述产品不具有因为与所述氢化-
    脱氢组分接触所导致的异构化或裂化而产生的可检测到的物质。
    7.根据上述权利要求任一项的方法,其中所述产品具有低于10
    ppm的芳族化合物含量。
    8.根据上述权利要求任一项的方法,其中所述产品包括低于10
    ppm的含氧化合物。
    9.根据上述权利要求任一项的方法,其中所述产品包括低于5ppm
    的含氧化合物。
    10.根据上述权利要求任一项的方法,其中所述产品不具有由FID
    可检测到的水平的含氧化合物。
    11.根据上述权利要求任一项的方法,其中所述产品不包括由ASTM
    D-5453可检测到的水平的硫。
    12.根据权利要求1的方法,其中所述产品是从60-150℃的并具
    有5到10个碳原子的蒸馏切割馏分。
    13.权利要求12的方法,其中所述产品具有6到8个碳原子。
    14.根据权利要求1的方法,其中所述产品是150-315℃的,具有
    5-40℃的沸程的,并具有9到19个碳原子的蒸馏切割馏分。
    15.根据上述权利要求任一项的方法,其中所述有效的芳族化合物
    饱和条件包括300psig到1000psig的氢气分压。
    16.根据上述权利要求任一项的方法,其中所述芳族化合物饱和条
    件包括180-220℃的温度。
    17.根据权利要求1的方法,包括与NiMo或Ni接触而加氢处理和
    /或加氢精制所述第一原料流以获得所述第二原料流的步骤,所述第二
    原料流的进一步特征在于具有1ppm或更低的硫含量。
    18.由权利要求1的方法制备的烃流体,其具有至少5℃的沸程并主
    要包括己烷,其进一步的特征在于具有根据UV光谱分析法测得的低于1
    ppm的芳族化合物含量,根据ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫,和
    没有可由FID检测到的含氧化合物。
    19.由权利要求1的方法制备的烃流体,其具有至少5℃的沸程并主
    要包括庚烷,其进一步的特征在于不具有根据ASTM?D-5453可检测到的
    水平的硫和由FID可检测到的含氧化合物。
    20.由权利要求13或14的方法制备的烃流体,其中所述产物进一
    步的特征在于具有根据UV光谱分析法测得的低于1ppm的芳族化合物
    含量,根据ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫,和没有可由FID检测
    到的含氧化合物。

    说明书

    超纯流体

    本发明专利申请是申请号200580047999.4、申请日2005年12月
    19日、发明名称“超纯流体”的分案申请。

    发明领域

    本发明涉及具有就不饱和物质(尤其芳族化合物)而言的高纯度的
    烃流体,制备所述烃流体的方法,用于所述方法中的催化剂,以及所
    述流体的用途。

    发明背景

    烃流体的重要性能是一般由用于较重质物质的ASTM?D-86,ASTM
    D-1078或ASTM?D-1160减压蒸馏技术测定的蒸馏信息,闪点,密度,
    由ASTM?D-611测定的苯胺点,芳族化合物含量(例如由UV光谱分析法
    测定),溴指数(例如由ASTM?D2710测定),粘度,颜色和折射指数。
    流体被分类为链烷烃属,如由ExxonMobil?Chemical?Company销售的
    流体;异链烷烃属,如由ExxonMobil?Chemical?Company销
    售的流体;脱芳烃的流体,如由ExxonMobil?Chemical?
    Company销售的Exxsol流体;环烷烃属物质,如由ExxonMobil?
    Chemical?Company销售的流体;非脱芳烃的物质,如由
    ExxonMobil?Chemical?Company销售的流体;以及芳族化合
    物流体,如由ExxonMobil?Chemical?Company销售的SolvessoTM重质
    芳族化合物流体。

    与起始点是原油的任何烃产品一样,在烃流体等级或“切割馏分(cut)”
    中可能实现的纯度覆盖了从较粗到较纯的宽范围。典型地,烃流体的工业
    规模生产得到了沸程一般覆盖至少约5℃(例如,己烷)和延伸到接近于
    100℃(例如,煤油)的产品。在这里使用的术语“沸程”指分布在初始温
    度(在该温度下指定的切割馏分沸腾)与干点温度之间的温度。

    烃流体的化学性质和组成根据该流体的预计用途而显著地变化。
    虽然各等级的烃流体具有工业用途,但是还有特殊的应用,这些应用
    需要就芳族化合物和/或杂原子(特别含硫和含氧的物质)而言异常纯
    的、但是就烃本身的异构体和/或碳数而言非超高纯的烃流体。例如,
    对于工业规模生产和消耗的己烷,它可以通常以一种等级销售,该等
    级是在大约64℃或65℃开始沸腾和在约70℃结束沸腾,并且含有除
    正己烷之外的多种烃类。这一类型的等级对于许多过程是有用的,例
    如在聚合物的制造中用作加工助剂、在溶剂萃取过程中用作溶剂等等
    (与以较小的实验室规模的量获得的超高纯度光谱级正己烷相反,例如
    从Aldrich?Chemicals获得,它可含有95%或更高的正己烷)。

    具有从50℃到350℃的蒸馏切割馏分(distillation?cut)的现用
    脱芳烃的流体是在工业规模上通过煤油、柴油或其它石油切割馏分的
    分馏,随后通过使用加氢催化剂(典型地,镍或镍型催化剂)的一个或
    几个加氢过程所获得的。在这里使用的术语“蒸馏切割馏分”指所确
    定的物质具有大于或等于所规定的较低温度(例如在这里50℃)的初
    沸点和小于或等于所规定的较高温度(例如在这里350℃)的干点。在
    这里使用的术语“实际切割馏分(actual?cut)”当应用于温度范围时
    准确地确定了所确定物质的初沸点和干点。因此,使用先前的己烷例
    子,有这样的己烷等级,其可以被描述为在50-350℃的蒸馏切割馏分
    之内的并具有6℃的沸程的64℃到70℃的实际切割馏分。

    由上述分馏和/或加氢方法实现的芳族化合物的水平将取决于被
    氢化的原料来变化,较高沸点的烃类比较低沸程的烃类更加难易脱芳
    烃。典型地,对于具有从150℃到300℃的蒸馏切割馏分和低于40℃
    的沸程的烃流体,由这些方法能够实现从100ppm到8000ppm的芳族
    化合物水平。对于初沸点低于150℃的组合物可以实现较低的芳族化
    合物水平,但是对于该低沸点烃类,对于某些应用来说希望进一步降
    低含有杂原子的分子的水平。因此需要找到具有一定量的芳族化合物
    和/或一定量的含有杂原子的分子(如含硫和含氧的分子)的烃流体的
    制备方法,这些量低于由当前工业规模脱芳烃方法所达到的那些量。

    将脱芳烃的烃流体(如以煤油、柴油或其它炼油厂原料为基础的
    那些)用于各种最终应用中,其中包括油墨、消费品、金属轧制、水
    处理、涂料、钻井泥浆、农业配制料等等。历史上,脱芳烃的流体含
    有约1-2wt%芳族化合物和其它不饱和物质(例如,烯烃)。举例来说,
    石油原料可以在催化剂如镍、Ni/Mo、Ni/Mo/W上氢化以提供中间产物
    (它例如具有20wt%芳族化合物),接着进行精制步骤,后者包括在催
    化剂如镍上进行加氢。这一水平的芳族化合物对于最终应用如水处理
    是不令人满意的。除了约1-2wt%的芳族化合物和烯属物质的水平之
    外,在最终产品中的其它典型杂质包括高水平的杂原子,如含硫化合
    物、含氮化合物和含氧化合物。当脱芳烃的烃流体例如用作在催化过
    程中或在需要超低水平的此类杂质的过程中(如在半导体加工过程中)
    的溶剂时,这些其它杂质是有害的。Ni在加氢反应器中的使用也是安
    全问题,因为失控反应的危险。

    高压加氢方法可以实现大约100-500ppm的芳族化合物水平。然
    而,此类方法的投资是相当高的,并且产生了增大的安全问题。此外,
    目前可利用的加氢方法通常不能降低在最终产品中的含氧化合物含
    量,这由于许多原因而是一个缺点,如在使用该烃流体作为工艺用流
    体的过程中增加的催化剂失活。

    因此,在没有这样的高压方法下在烃流体中产生超低水平的芳族
    化合物、含氧化合物和其它杂质的方法是人们所高度追求的。另外,
    甚至低于100ppm的芳族化合物含量是所希望的,这归因于提高的环
    境要求以及与在消费品、水处理方法等等中使用的烃流体中的芳族化
    合物含量有关的增严的法规要求。

    现有技术没有提供以经济的方式和/或适应环境的方式解决全部
    这些问题的方案。

    很多的专利教导了通过吸附进行脱芳烃的方法,如
    U.S.4,567,315和5,220,099,但是吸附工艺既是环境上不好的又是能
    量低效率的解决方案。

    U.S.4,795,840是采用约30-100kg/cm2(约30-100个大气压)
    的压力的加氢方法的实例。然而,该产品残留了至少1wt%的烷基四
    氢化萘类(芳族物质)。在加氢之后,采用使用分子筛的分离步骤。

    U.S.5,151,172教导了使用包括担载在丝光沸石上的Pt/Pd的催
    化剂来氢化烃原料流,根据所给出的实施例,它达到了低到16wt%的
    芳族化合物含量。

    U.S.5,830,345教导了由一种反应制备的汽油掺混物,该反应包
    括采用包含加氢催化剂和具有约5埃的孔隙的沸石催化剂的双催化剂
    所进行的富含苯的重整产品料流的同时加氢和异构化。

    U.S.5,831,139教导了由一种方法有选择地将石脑油改质到具有
    低芳族化合物含量的更多脂肪族的汽油,该方法包括从重质石脑油和
    再循环料流(对其进行环开裂)的选择性异链烷烃合成,总体效果是烃
    类的分子量和沸点被降低。

    U.S.5,855,767教导了高压(≥30巴)烃类转化方法,它包括使包
    括作为第一组分的沸石-β、可以是MCM-41的第二组分的裂化催化剂
    与氢化组分接触。

    U.S.5,855,767教导了通过使用在100°F下具有50-600SUS的粘度
    的原料,在350-700°F的温度范围、150-3500psig压力的条件下,利用
    担载在沸石无机氧化物载体上的贵金属,将润滑油范围的烃类饱和的方
    法。根据专利权人的公开内容,芳族化合物含量降低到低至3vol.%。

    U.S.5,993,644教导了生产润滑油基料的方法,该方法包括加氢
    处理、脱蜡和加氢的步骤。根据实施例,该方法能够达到低至约6wt%
    的芳族化合物含量;对于芳族化合物水平的类似结果示于
    U.S.6,399,845中,该专利教导了采用同时除去芳族化合物和使链烷
    烃异构化的催化剂从中间馏分制造柴油机燃料的方法。

    U.S.6,030,921教导了在包括加氢裂化和加氢的方法中的润滑油料
    的加氢。在该专利中的实施例显示芳族化合物的转化率为约86%。

    U.S.6,207,870和U.S.6,541,417教导了采用硅掺杂的催化剂,在
    约6MPa的压力下将粗柴油切割馏分中的芳族化合物加以氢化的方法。

    U.S.6,306,289教导了使用包括VIII族金属和“大量”二氧化硅
    的催化剂来加氢处理烃油的方法。实施例表明60kg/cm2硫含量可以
    被减少到约500ppm。没有提供关于芳族化合物水平的结果。

    U.S.6,509,510涉及采用具有至少100埃的孔隙尺寸的二氧化硅-
    或氧化铝-担载的VIII族催化剂将芳族聚合物氢化的方法。

    U.S.6,541,417采用硅掺杂的VIII族催化剂用于烃原料的加氢,
    特别用于粗柴油切割馏分的脱芳烃。

    U.S.2001/0013484和2002/0117425涉及获得低多芳族烃(PAH)
    的方法。实施例表明PAH降低至9wt%以上的量。

    U.S.2003/0188991教导了能够用于加氢、异构化、加氢裂化和很
    多其它反应的中孔二氧化硅催化剂。在MCM-41上的Pd为了对比目的
    而使用(例如,参见该专利的表15)。

    U.S.2004/0181103教导了可用于将燃料脱芳烃的担载催化剂。根
    据实施例,实现了低至480ppm的芳族化合物水平。

    WO?01/14501讨论了通过使用包含在MCM-41上的Pt/Pd的一种催
    化剂,降低在柴油机燃料中的芳族化合物和/或烯烃的浓度的方法,其
    具有在大于450°F(约232℃)的温度下的“完全的芳族化合物饱和”。

    WO?2004/024319教导了一种催化剂,该催化剂可用于有选择地将
    链烷烃属原料改质到可用于与汽油掺混的异链烷烃产品。

    EP?0?698?073涉及用于在含烃的原料中芳族化合物的加氢的方法,
    实施例表明芳族化合物含量减少到刚好低于约1wt%。

    相关的其它专利包括U.S.5,612,422;5,853,566;6,084,140;
    6,136,181;6,197,721;6,264,826;6,280,608;6,281,397;
    6,417,287;6,432,297;6,579,444;和2003/0173252。

    本发明人令人惊奇地发现了将烃流体氢化的方法,它不需要使用高
    压系统并且提供了超低水平的杂质(尤其芳族化合物和其它不饱和烃)。

    发明概述

    本发明涉及具有低水平的不饱和物质(尤其芳族化合物和烯属物
    质)的烃流体,并且在实施方案中还提供了具有低水平的含硫或氧化物
    质的烃流体。本发明还涉及可提供此类烃流体的加氢和/或加氢脱硫方
    法,以及可用于所述方法中的催化剂。超高纯度烃流体的使用也被认
    为是本发明的实施方案。

    在一个实施方案中,所述烃流体含有低于500ppm的芳族物质和
    在优选的实施方案中低于100ppm的芳族物质,以及在这里指定的更
    优选实施方案中甚至更低量的芳族物质。在上述实施方案的仍然甚至
    更优选实施方案中,芳族化合物的低水平伴随有含氧化合物和/或含硫
    物质的低水平。

    在一个实施方案中,根据本发明的馏出物的沸程与原料的沸程相
    同。在另一个实施方案中,原料没有由根据本发明的方法实施异构化
    和/或裂化。

    在一个实施方案中,根据本发明的加氢方法包括采用根据本发明
    的催化剂将烃流体脱芳烃的步骤,该催化剂包括担载的VIII族金属
    (优选地,选自钯,铂,铑,铟和它们的混合物),以及任选包括粘结
    剂。在这里使用的术语“VIII族”采用元素周期表的传统CAS命名;
    参见Chemical?and?Engineering?News,63(5),27,1985。在优选实
    施方案中,该催化剂没有用硅掺杂。

    在另一个优选实施方案中,所述加氢方法包括加氢处理和/或加氢精
    制的第一步骤(优选包括使用第一催化剂将烃流体脱芳烃),和使用根据
    本发明的催化剂将所述烃流体脱芳烃的第二步骤,其中所述第一步骤包
    括使用现有技术的催化剂以减少选自烯属不饱和物质、芳族化合物、硫
    和它们的混合物中的杂质的量,优选地,该催化剂选自在背景部分中列
    出的现有技术中已知的加氢催化剂,如包括镍的催化剂。在又一个优选
    实施方案中,所述第一步骤提供了具有至少约500ppm和在一些实施方
    案中从约1wt%到约20wt%的芳族物质的烃流体;以及所述第二步骤提
    供了这样的烃流体,其具有低于500ppm和更优选低于100ppm芳族物
    质,再更优选低于50ppm,仍然再更优选低于20ppm,和再更优选低于
    10ppm的芳族物质。正如在本公开物中所使用的,ppm基于整个流体的
    重量,除非另作说明。在仍然再更优选的实施方案中,芳族化合物的低
    水平伴随有含氧化合物和/或含硫物质的低水平。

    在另一个实施方案中,根据本发明的方法是可提供含有低于约
    0.1ppm硫(基于原子硫)的脱硫的烃流体的、包括加氢和/或加氢脱硫
    的方法。

    在仍然另一个实施方案中,根据本发明的方法是可提供烃流体的
    包括加氢和/或加氢脱硫的方法,该烃流体具有低于10ppm氧化物质,
    在另一个实施方案中低于5ppm,在另一个实施方案中低于1ppm,和
    在另一个实施方案中没有由FID可检测的氧化物质。

    在又一个实施方案,催化剂可用于烃流体的加氢和/或加氢脱硫,
    所述催化剂包括含有约0.10-0.25wt%Pt和约0.30-0.75wt%Pd的
    中孔MCM-41,以及具有包含氧化铝的粘结剂。

    本发明的目的是在无需使用高压的情况下提供烃流体,后者具有
    低含量的芳族化合物和其它不饱和杂质,和/或具有低含量的含氧化合
    物,和/或低含量的含硫物质,和/或低含量的含氮物质,或它们的任
    何组合。

    本发明的另一个目的是提供具有超低芳族化合物的烃流体,它特
    别可用于消费品如漆、清洁产品、需要超高纯度溶剂的工业过程如半
    导体工业、和需要高水平的纯度的过程如水处理过程和溶剂萃取过程、
    以及其它过程如钻井流体组合物和矿石提取组合物。

    1.本发明涉及将包括芳族化合物分子的烃流体原料流氢化的方
    法,该方法包括让沸点低于350℃并包括C5-C25烃流体的所述烃原料
    流,在含氢的处理气体存在下在有效的芳族化合物饱和条件下操作的
    反应阶段中与芳族化合物饱和催化剂进行接触,其中所述芳族化合物
    饱和催化剂包括被担载在无机、多孔、非层状、结晶、中孔的载体材
    料上的选自VIII族贵金属和它们的混合物中的氢化-脱氢组分,其中
    该载体材料具有至少包括铝和二氧化硅的框架,和其中二氧化硅与铝
    的比率是约10∶1到约100∶1以及该载体材料的平均孔径是约15到低
    于约100埃,并且回收包含具有至少5℃的沸程的烃流体且包含低于
    500ppm芳族化合物的蒸馏馏分产品。

    2.根据前述第1项的方法,其中所述有效的芳族化合物饱和条件
    包括低于约232℃的温度。

    3.根据前述任何一项的方法,其中所述产品的沸程与该原料流的
    沸程相同。

    4.根据前述任何一项的方法,其中所述产品没有从所述原料流异
    构化。

    5.根据前述任何一项的方法,其中所述产品不具有因为与所述氢
    化-脱氢组分接触所导致的异构化或裂化而产生的可检测到的物质。

    6.根据前述任何一项的方法,其中所述原料具有至少500ppm
    的芳族化合物含量。

    7.根据前述任何一项的方法,其中所述原料具有在约500ppm
    和约20wt%之间的芳族化合物含量。

    8.根据前述第1项到第5项中任何一项的方法,其中所述原料具
    有在约1wt%和约20wt%之间的芳族化合物含量。

    9.根据前述任何一项的方法,其中所述产品具有低于约100ppm
    的芳族化合物含量。

    10.根据前述第1项-第8项中任何一项的方法,其中所述产品具
    有低于约50ppm的芳族化合物含量。

    11.根据前述第1项-第8项中任何一项的方法,其中所述产品具
    有低于约10ppm的芳族化合物含量。

    12.根据前述任何一项的方法,其中所述产品包括低于10ppm
    含氧化合物。

    13.根据前述第1项-第11项中任何一项的方法,其中所述产品
    包括低于5ppm含氧化合物。

    14.根据前述第1项-第11项中任何一项的方法,其中所述产品
    不具有由FID可检测到的水平的含氧化合物。

    15.根据前述任何一项的方法,其中所述产品包括由ASTM?D-5453
    无法检测到的水平的硫。

    16.根据前述任何一项的方法,其中所述产品是从约60-150℃的
    并具有5到10个碳原子的蒸馏切割馏分。

    17.根据前述第16项的方法,其中所述产品具有6到8个碳原子。

    18.根据前述第1项-第15项中任何一项的方法,其中所述产品
    是约150-315℃的,具有约5℃到约40℃的沸程的,并具有9到19个
    碳原子的蒸馏切割馏分。

    19.根据前述第1-5、7、10-18项中任何一项的方法,进一步包
    括将选自ACN(常压粗石脑油)、HVN(重质直馏石脑油)、煤油、柴油、
    LGO(轻瓦斯油)、PGO(处理过的瓦斯油)、在化学过程中产生的低聚物、
    从GTL过程衍生的原料流和它们的混合物中的第一原料流进行加氢处
    理和/或加氢精制的步骤,以获得包括具有至少5℃的沸程的C5-C19
    烃流体并具有至少500ppm的芳族化合物含量的第二原料流,然后让
    所述第二原料流与所述芳族化合物饱和催化剂在含氢的处理气体存在
    下在有效的芳族化合物饱和条件下操作的反应阶段中进行接触,并且
    回收包含具有至少5℃的沸程的烃流体和包含低于100ppm芳族化合
    物的蒸馏馏分。

    20.根据前述任何一项的方法,其中所述有效的芳族化合物饱和
    条件包括低于约1000psig的氢气分压和低于约232℃的温度。

    21.根据前述任何一项的方法,其中所述有效的芳族化合物饱和
    条件包括约300psig到约1000psig的氢气分压。

    22.根据前述第1、3-19、21项中任何一项的方法,其中所述有
    效的芳族化合物饱和条件包括约150℃到约300℃的温度。

    23.根据前述第1、3-19、21项中任何一项的方法,其中所述有
    效的芳族化合物饱和条件包括约300psig到约1000psig的氢气分压
    和约150℃到约250℃的温度。

    24.根据前述第23项的方法,其中所述有效的芳族化合物饱和条
    件包括约150℃到低于约232℃的温度。

    25.根据前述任何一项的方法,其中所述有效的芳族化合物饱和
    条件包括约300-1000psig的氢气分压,约500-2000scf/bbl原料
    的处理率,和约0.5-5.0hr-1的空间速度。

    26.根据前述任何一项的方法,其中所述芳族化合物饱和催化剂
    包括在其中引入了约0.10-0.25wt%Pt和约0.30-0.75wt%Pd的基
    本上由无机、多孔、非层状、结晶、中孔的MCM-41组成的氢化-脱氢
    组分,所述中孔MCM-41的特征在于至少包括铝和二氧化硅的框架,和
    其中二氧化硅与铝的比率是约10∶1到约100∶1并具有约15埃到低于
    约100埃的平均孔径。

    27.根据前述第26项的方法,其中Pt/Pd的重量比是在约1/2
    到约1/4的范围内。

    28.本发明还涉及包括供给、添加或混合烃流体的步骤的方法,
    改进之处包括由根据前述第1项的方法制得的选自具有至少5℃的沸
    程的C5-C25烃流体中的所述烃流体。

    29.根据前述第28项的方法,其中所述方法选自半导体的制造、
    水处理、溶剂萃取、矿石提取、金属轧制和聚烯烃制造。

    30.由前述第28项的方法制得的配制剂,其中所述配制剂选自印
    刷油墨、农业配制剂、硅酮密封剂组合物和包括着色剂的组合物。

    31.根据前述第30项的组合物,其包括树脂、着色剂和所述烃流体。

    32.根据前述第28项的溶剂萃取方法,所述方法包括使大豆与所
    述烃流体接触。

    33.根据前述第30项的农业配制剂,其包括所述烃流体和选自杀
    虫剂、植物生长调节剂和它们的混合物中的至少一种物质。

    34.本发明还涉及一种催化剂,其包括在其中引入了约
    0.10-0.25wt%Pt和约0.30-0.75wt%Pd的无机、多孔、非层状、
    结晶、中孔的MCM-41,所述中孔MCM-41的特征在于至少包括铝和二
    氧化硅的框架,以及其中二氧化硅与铝的比率是约10∶1到约100∶1
    和具有约15埃到低于约100埃的平均孔径。

    35.根据前述第34项的催化剂,其进一步包括氧化铝-二氧化硅粘
    结剂。

    36.根据前述第34项的催化剂,其中所述MCM-41具有约100∶1
    到约10∶1的二氧化硅与铝比率。

    37.根据前述第34项的催化剂,其中所述MCM-41具有约60∶1
    到约20∶1的二氧化硅与铝比率。

    38.根据前述第34项的催化剂,其中所述MCM-41具有约40∶1
    到约20∶1的二氧化硅与铝比率。

    39.根据前述第34项的催化剂,其中所述框架具有约15埃到约
    50埃的平均孔径。

    40.根据前述第34项的催化剂,其中所述框架具有约20埃到约
    40埃的平均孔径。

    41.根据前述第34项的催化剂,其中所述Pt/Pd的重量比是约
    1/2到约1/4。

    42.根据前述第41项的催化剂,所述催化剂的特征在于能够将包
    括至少1wt%芳族化合物和沸点低于350℃的烃原料流,在含氢的处理
    气体存在下在有效的芳族化合物饱和条件下操作的反应阶段中加以氢
    化,所述条件包括低于约232℃的温度,以便回收包含具有至少5℃的
    沸程的烃流体并包含低于100ppm芳族化合物的蒸馏馏分。

    43.本发明还涉及一种加氢方法,其包括让沸点低于350℃的
    C5-C25烃原料流与根据前述第34项的氢化-脱氢催化剂,在含氢的处
    理气体存在下在包括低于450℃的温度在内的有效的芳族化合物饱和
    条件下操作的反应阶段中进行接触,所述原料流进一步的特征为包括
    芳族化合物分子,并且回收与所述原料流相比具有减小的芳族化合物
    分子的含量的产品。

    44.由前述第1-8、19-27项中任何一项的方法制得的C9-C25烃
    流体,改进之处包括所述烃流体具有低于100ppm的芳族化合物,根
    据ASTM?D-5453测得的低于10ppm的硫,和由FID测得的低于1ppm
    的含氧化合物。

    45.根据前述第44项的烃流体,其中所述流体具有约5℃到约
    50℃的沸程,并且是蒸馏切割馏分和具有一定的芳族化合物含量,其
    分别选自(a)157-207℃和低于100ppm的芳族化合物;(b)196-235℃
    和低于100ppm的芳族化合物;(c)238-263℃和低于100ppm的芳族
    化合物;和(d)282-311℃和低于300ppm的芳族化合物。

    46.根据前述第44-45项中任何一项的烃流体,其具有无法由ASTM
    D-5453检测到的硫和使用火焰电离检测(FID)无法检测到的含氧化合物。

    47.由根据前述第1或2项的方法制得的主要包括己烷的烃流体,
    其进一步的特征在于具有根据UV光谱分析法测得的低于1ppm的芳族
    化合物含量,根据ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫,和无法由FID
    检测到的含氧化合物。

    48.由根据前述第1或2项的方法制得的主要包括庚烷的烃流体,
    其进一步的特征在于具有根据ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫和
    无法由FI?D检测到的含氧化合物。

    这些和其它实施方案、目的、特征和优点在参考附图、详细描述、
    实施例和所附权利要求之后会变得更加清楚。

    附图简述

    在附图中,在几个图中同样的参考编号用于表示同样的部分。

    图1说明了本发明的实施方案的烃流体原料的氢化所实现的芳族
    化合物水平,与现有技术的工艺相比。

    图2说明了图1的放大部分,其详细地显示了本发明的实施方案。

    图3和4说明了根据本发明的实施方案的各种烃流体原料的脱芳烃。

    详细描述

    根据本发明,包含烃流体和进一步包括选自芳族化合物、烯属物
    质、含氧化合物、含硫化合物和它们的混合物中的杂质的原料流与选
    自VIII族金属的芳族化合物饱和催化剂在反应器中在含氢的处理气
    体存在下进行接触,得到芳族化合物含量低的烃流体。

    用于本发明中的原料流包括烃流体。典型地,该原料流是来自原
    油的所选择切割馏分,例如ACN(常压粗石脑油)、HVN(重直馏石脑油)、
    煤油、柴油、LGO(轻瓦斯油)、PGO(工艺瓦斯油(Process?Gas?Oils))、
    和它们的混合物。原料流也可以来自化学过程。

    在一个实施方案中,所述原料流可以包括来自用于生产链烷烃、
    异链烷烃烯烃、异烯烃和它们的混合物的炼油厂或化学过程中的低聚
    物。仍然甚至更具体地说,在另一个优选实施方案中,所述原料流可
    以是从由PGO衍生的炼油厂料流低聚得到的烷基化产物,包含主要含
    有异链烷烃属物质的芳族化合物萃取装置提余液的原料流,从气体-
    到-液体(GTL)工艺衍生的原料流,其也可以主要包含异链烷烃属物质。
    在仍然另一个优选实施方案中,所述原料流包括上述切割馏分或通过
    使用例如Ni/Mo、Co/Mo催化剂预先加氢精制而将硫除去到约10ppm
    的水平的原料流中的一种。(在这里提及的硫含量是根据ASTM
    D5453(Antek装置),除非另作说明。硫含量也可以由ASTM?
    D4045(Houston?Atlas装置)测定)。

    加氢处理和加氢精制是现有技术中本身已知的术语。同时,在整
    个说明书中,重量百分数和重量ppm是相对于组合物的总重量来表示
    的,除非另作说明。

    在这里使用的术语“流体”是指可作载体、稀释剂、表面张力改性
    剂、分散剂等中的一种或多种的物质,以及在使物质(例如溶质)溶剂化
    的液体的传统意义上用作溶剂的物质;和术语“烃流体”另外指在环境
    温度和压力(25℃,1个大气压)下为液体的由氢和碳原子构成的物质。

    在一个实施方案中,所述烃流体包括至少一种C5-C19烃流体,它可
    以是直链的、支化的、环状的、多环的或无环的,或这些烃类的混合物。

    在一个实施方案中,所述烃流体产品具有基本上与原料流中的烃
    流体相同的沸程,即根据本发明的加氢方法不包括裂化。在另一个实
    施方案中,该原料流可以预分馏和/或后分馏成较窄的切割馏分。

    在另一个实施方案中,在产品中的烃流体没有在根据本发明的方
    法中异构化。这是指异构化产品不能由采用GC测试仪(能够在0.1wt%
    的水平下检测)的GC方法检测到。用于进行这种测定的测试仪和方法
    通常是本领域中的普通技术人员可使用的。

    在优选实施方案中,所述烃流体产品具有与烃流体原料流相同的
    沸程并且没有被异构化。

    本发明更具体地涉及制造脱芳烃的流体的方法,该流体是具有5
    到25个碳原子(C5-C25),优选5到23个碳原子的各种类型的脂肪族
    烃的掺混物,其中附加的所考虑的实例包括C5-C9、C5-C8、C6-C8、
    C9-C19,与以上列出的其它实例一起,其可以是线性的、支化的、无
    环的、环状的和/或多环的分子,这取决于所考虑的具体等级。在这里使
    用的具有特定碳范围Cx到Cy或Cx-Cy的烃流体是指包含在x到y范围
    内(包括x和y在内)的至少一种碳数的烃流体。典型地,该脱芳烃的烃
    流体是约50℃到380℃,优选60℃到约350℃的蒸馏切割馏分。在另一
    个实施方案中,该脱芳烃的流体是在约60℃到150℃范围内并具有5到
    10个碳原子,优选6到8个碳原子的蒸馏切割馏分。在另一个实施方案
    中,该脱芳烃的烃流体是在约300到600°F(约150-315℃)并具有9到
    19个碳原子,或在356到600°F(约180-350℃)范围内并具有10到19
    个碳原子的蒸馏切割馏分。典型地,该脱芳烃的流体具有至少5℃和高
    到低于100℃的沸程,其中优选的沸程是约5℃到约40℃。附加的实施
    方案包括下面更详细地指定的己烷和庚烷-沸程烃流体。

    借鉴本发明,本领域中的普通技术人员会认识到在这里阐述的各
    种实施方案可以按照许多不同方式进行组合,以得到也属于本发明的
    一部分的附加实施方案。例如,根据本发明的方法可以包括将炼油厂
    料流分馏获得C5-C19烃切割馏分,加氢精制和然后氢化该切割馏分而
    获得具有(在一个实施方案中)约1-20wt%的芳族化合物含量和约1
    ppm的硫含量的C5-C19混合烃流体,然后让所述烃流体与根据本发明
    的催化剂在固定床反应器中进行接触获得具有<500ppm的芳族化合物
    含量、具有低于约0.1ppm的硫含量且具有与在所述固定床反应器中
    接触根据本发明的催化剂之前的流体相同的沸程的C5-C19烃流体,将
    所述C5-C19烃流体进行后分馏而获得一种切割馏分,后者具有从64
    到70℃或65到70℃(分别6℃或5℃的沸程)的实际切割馏分并且主要
    包括己烷,具有低于10ppm的芳族化合物含量,和极低到无法检测的
    含硫或含氧物质。

    上述详细描述的实施方案(它结合了前面列举的许多实施方案)可
    以任选进一步包括至少一个前提条件:没有检测到由于裂化产生的产品
    和/或由于进入反应器中的原料流的异构化所产生的产品。由于裂化产生
    的产品与由于异构化产生的产品在同一基础上确定,如以上所解释。

    术语“主要包括”是指确定的物质以大于任何其它物质的量存在。
    对于上述实例而言,64-70℃和主要包括己烷的实际切割馏分可具有约
    30-99wt%己烷或“C6”,或35-90wt%己烷,或35-65wt%己烷,或
    60-90wt%己烷,或60-85wt%己烷,其中各实施方案是从本段落阐述
    的任何wt%下限到任何wt%上限来进行考虑。在优选的实施方案中,
    64-70℃(或65到70℃)的实际切割馏分可具有,在优选的实施方案中
    含量低于1ppm的低水平的含氧化合物,或在更优选实施方案无法由
    FID检测到的含氧化合物,这将在下面更详细描述。

    类似地,可以获得来自炼油厂或化工装置操作中的其它C5-C19
    烃流体切割馏分,该烃切割馏分具有就芳族化合物、不饱和物质、硫
    和含氧化合物而言的相对于原料流的更低水平的杂质,该水平在本发
    明之前,至少在没有高压方法的情况下是不知道能够获得的。

    例如,可由本发明获得的重要产品是庚烷等级,它可被描述为约
    90-100℃,91-100℃,92-100℃或93-100℃的实际切割馏分,并且具
    有,在一个实施方案中由ASTM?D-5453无法检测到的含硫物质,<7ppm
    的芳族化合物含量,和由FID测得的低于1ppm的含氧化合物。在这
    里使用的术语“庚烷等级”是指主要包含C7烃类并且包括C7烃类的
    异构体的混合物的组合物。

    在这里使用的术语“芳族化合物”是指具有芳香性的物质,它进
    而是指有电子的闭合回路存在的环结构,这最容易由NMR测定。在这
    里使用的定义旨在与在March,Advanced?Organic?Chemistry(1992),
    例如,第40-41页中的阐述一致。在用于本发明中的原料中发现的典
    型芳族化合物包括苯、萘、四氢化萘等等。

    根据本发明的方法包括让包含烃流体和进一步包含在一个实施方
    案中以至少0.5wt%、在另一个实施方案中以至少1wt%以及在一个实
    施方案中以不超过20wt%的量存在的不饱和物质的原料流,与芳族化
    合物饱和催化剂在优选于有效的芳族化合物饱和条件下操作的反应阶
    段中在含氢处理气体存在下进行接触,其中该芳族化合物饱和催化剂
    包括被担载在无机、多孔、非层状、结晶、中孔的载体材料上的选自
    VIII族金属和它们的混合物中的氢化组分,其中该载体材料具有至少
    包括铝和二氧化硅的框架,并且其中二氧化硅与铝的比率是大约10∶1
    到约100∶1以及该载体材料的平均孔径是约15埃到低于约100埃。应
    该理解的是,本发明考虑了包括可具有大于20wt%不饱和物质的烃流
    体的原料流,然而优选的是该原料包括低于30wt%不饱和物质,甚至
    更优选低于25wt%不饱和物质。

    适合用于本发明中的原料流包括在烃流体加工中使用的任何常规
    原料流,其中包括煤油、柴油或其它炼油厂或化学操作原料流,如以
    上所讨论的。在一个实施方案中,此类合适的原料流进一步包括选自
    含硫污染物的杂质。含氧化合物也可存在于此类原料流中,然而通常
    考虑的是属于原料制备过程、现有技术加氢方法和/或在其中所使用催
    化剂的后生物(artfact)(不希望受理论束缚)的那些含氧化合物;本
    发明在一个实施方案中导致了此类含氧化合物的减少。根据本发明的
    产品缺少通常在由现有技术的加氢方法生产的产品中见到的含氧化合
    物例如醇,正如前面提到的那样。

    根据本发明的催化剂包括氢化组分、载体组分和任选的粘结剂组
    分,它们全部在这里更详细地描述。

    载体材料的框架至少包括铝和二氧化硅,并且该载体材料进一步
    的特征为具有约15埃到低于约100埃的平均孔径。在一些实施方案中,
    孔隙尺寸可以是从15到约60埃,或15到约50埃,或25到约60埃,
    或25到约50埃,或30到约50埃,或35到约55埃,或约15到约
    35埃。所述催化剂还包括选自VIII族金属和它们的混合物中的氢化
    组分,优选地选自Pt和Pd,更优选Pt和Pd的结合物。

    当呈现为它们的煅烧形式时,具有与适合在这里使用的那些类似
    的特性的载体材料一般在它们的框架中具有高的二氧化硅与铝的比
    率。一般,这些材料具有约800∶1的在它们的框架中的二氧化硅与铝
    的比率。二氧化硅与铝的较高比率用于防止不希望有的裂化反应。然
    而,增大被引入该框架中的铝的量,兼有以下讨论的较小孔隙尺寸,
    可得到一种催化剂,后者具有改进的芳族化合物饱和能力从而可用于
    得到具有超低芳族化合物的烃流体。

    因此,适合用于本发明中的载体材料包括包含超大孔隙尺寸结晶
    相的合成组合物。该催化剂可以进一步由下列特性中的一个或多个来
    表述。合适的载体材料是无机、多孔、非层状的结晶相材料,其(呈现
    它的煅烧形式)由X射线衍射图表征为在大于约18埃的d间距具有至
    少一个峰,有100的相对强度。适合在这里使用的载体材料也被表征
    为在50托和25℃下具有大于15克苯/100克载体材料的苯吸附能力。

    优选的载体材料是具有均匀尺寸孔隙的六边形排列的无机、多孔、
    非层状材料,其具有约15埃到低于约100埃的最大垂直横截面孔隙尺
    寸。更优选的载体材料被确定为MCM-41。MCM-41具有至少13埃直径
    的六边形排列的、均匀尺寸的孔隙的特征结构,显示出六边形电子衍
    射图,该电子衍射图可用大于约18埃的d100值进行标记,它对应于在
    X射线衍射图中的至少一个峰。MCM-41和/或在其上的金属负载物已描
    述在美国专利Nos.5,098,684;5,102,643;5,264,641;5,451,312;
    和5,573,657中。

    在一个实施方案中,用作本发明中的组分的所述无机、非层状的
    中孔晶体载体材料具有可以由结构式Mn/q(WaXbYcZdOh)表述的组成。在本
    结构式中,W是选自二价的第一排过渡金属中的二价元素,优选锰、
    钴、铁和/或镁,更优选钴。X是三价元素,优选铝、硼、铁和/或镓,
    更优选铝。Y是四价元素如硅和/或锗,优选硅。Z是五价元素,如磷。
    M是一种或多种离子,例如铵、IA、IIA和VIIB族离子,通常氢、钠
    和/或氟离子?!皀”是在排除了表示为氧化物的M之后的组合物的电
    荷;q是M的加权摩尔平均价态;n/q是M的摩尔数或摩尔分数;a、b、
    c和d分别是W、X、Y和Z的摩尔分数;h是1到2.5的数;和(a+b+c+d)
    =1。在适合这里使用的载体材料的优选实施方案中,(a+b+c)大于d,
    和h=2。另一个进一步的实施方案是当a和d=0,和h=2时。用
    于制造适合在这里使用的载体材料的优选材料是铝硅酸盐,虽然也可
    使用其它金属硅酸盐。根据本发明的实施方案,在以上结构式中X是
    铝(Al)、Y是硅(Si)以及下标a和d都是零。

    如上所述,适合在这里使用的载体材料优选具有更高浓度的被引
    入到它们的框架中的铝。因此,适合在这里使用的载体材料具有约
    10∶1到约850∶1,或在一个实施方案中约10∶1到约800∶1,或10∶1
    到400∶1,或10∶1到200∶1,或20∶1到400∶1,或20∶1到200∶1,
    或30∶1到200∶1的框架二氧化硅与铝比率。

    在按合成原样(as-synthesized)形式下,适合这里使用的载体
    材料具有(按照无水基础)由经验式rRMa/q(WaXbYcZdOh)表示的组成,其中
    R是未作为离子包括在M中的总有机材料;和r是R的系数,即R的
    摩尔数或摩尔分数。该M和R组分与该材料缔合(因为在结晶过程中它们
    的存在),并且容易被除去,或对于M的情况,容易被如下所述的后结晶
    方法所置换。在所希望的程度上,本发明的按合成原样的材料的最初M(例
    如钠或氯)离子可根据常规的离子交换技术被置换。优选的置换用离子包
    括金属离子,氢离子,氢前体,例如铵、离子和这些离子的混合物。特
    别优选的离子是在最终催化剂中提供所需金属官能度的那些。这些包括
    氢,稀土金属和元素周期表的VIIA族(例如Mn)、VIIIA族(例如Ni)、
    IB族(例如Cu)、IVB族(例如Sn)的金属以及这些离子的混合物。

    所述结晶(即具有足够的有序性可得到衍射图,例如利用X射线、
    电子或中子衍射,在煅烧之后有至少一个峰)中孔载体材料是通过它们
    的包括极大孔隙窗口的结构以及通过它们的高吸附能力来表征的。在
    这里使用的术语“中孔”是指晶体具有在约13埃到约200埃范围内的
    均匀孔隙。应该指出的是,在这里使用的“多孔”是指一种材料,其
    吸附至少1克的小分子(如Ar、N2、正己烷或环己烷)/100克该多孔
    材料。如上所述,本发明的特征在于对于以上阐述的附加实施方案,
    使用具有约15埃到低于约100埃的平均孔径的载体材料。

    适合这里使用的载体材料与其它多孔无机固体之间的区别在于它
    的大的开孔的规则性,其孔隙尺寸更象无定形或次晶材料的孔隙尺寸,
    但是孔隙的规则排列和尺寸均匀性(在单相内的孔隙尺寸分布为例如
    该相的平均孔隙尺寸的±25%,通?!?5%或更低)更象结晶框架材料如
    沸石的那些。因此,适合这里使用的载体材料也可以被表述为具有能
    够合成的大的开孔通道的六边形排列,该开孔通道具有从约15埃到低
    于约100埃的开孔内径。

    在这里使用的术语“六边形”旨在不仅包括在实验测量的限度之
    内显示出数学完美的六边形对称的材料,而且包括与理想状态之间有
    相当大的可观察到的偏差的那些材料。因此,用于表述适合这里使用
    的载体材料的术语“六边形”是指以下事实:在材料中的大部分通道
    将以大致相同的距离被六个最邻近通道包围。然而,应当指出,在载
    体材料中的缺陷和不完整性将引起显著量的通道在不同程度上违反这
    一标准,这取决于材料制备的质量。与在相邻通道之间的平均重复距
    离有高达±25%无规性偏差的样品将仍然清楚地得到MCM-41材料的可
    识别的图像??杀鹊谋浠惨詃100值从电子衍射图观察到。

    适合这里使用的载体材料可以通过现有技术中已知的任何方法来
    制备,并且一般通过在这里列出的现有技术如以上讨论的美国专利(例
    如U.S.5,098,684和5,573,657)中描述的方法来形成。通常,载体材
    料的最规则制备产物可得到X射线衍射图,在极小角度区域中具有少
    许明显最高点。这些峰的位置大约拟合了从六边形晶格的hkO反射的
    位置。然而该X射线衍射图并不总是这些材料的存在的充分标志,因
    为在微观结构中的规则度和在单个颗粒内结构的重复程度会影响到所
    观察到的峰的数目。实际上,在X射线衍射图的小角度区域中具有仅
    仅一个明显峰的制备产物已经发现在它们中含有相当大量的该材料。
    阐明这一材料的微观结构的其它技术是透射电子显微镜方法和电子衍
    射方法。合适载体材料的适当取向试样显示出了大通道的六边形排列
    并且相应的电子衍射图得到了衍射最大值的大约六边形排列。电子衍射
    图的d100间距是在六边形晶格的hkO投影上的相邻斑点之间的距离并且通
    过公式d100=a0√3/2与在电子显微照片上观察到的通道之间的重复距
    离a.sub.0有关。在电子衍射图上观察到的d100间距对应于在合适载体材
    料的X射线衍射图中的小角度峰的d间距。迄今为止获得的合适载体材
    料的最高度有序的制备产物具有可在电子衍射图中观察到的20-40个明
    显斑点。这些图案能够用100、110、200、210等等的独特反射的六边形
    hkO子集,以及它们的对称性相关反射来进行标记。

    在呈现它的煅烧形式时,适合这里使用的载体材料也可以通过在
    大于约18埃d-间距(对于Cu?K-α射线的4.909°2θ)的位置上有至少
    一个峰的X射线衍射图来表征,该d-间距对应于载体材料的电子衍射
    图的d100值。同样,如上所述,合适载体材料在50托和25℃下显示了
    大于约15克苯/100克晶体的平衡苯吸附容量。(基准:如果必要,晶
    体材料已进行了处理以试图确??紫睹挥斜慌既晃廴疚镒瓒?。

    应该指出的是,合适载体材料的平衡苯吸附容量特性是以孔隙没
    有被偶然污染物阻断为基准来测量的。例如,吸附试验是在没有孔隙
    阻断污染物和由普通方法除去水的结晶材料相上进行的。水可以通过
    脱水技术例如热处理被除去??紫蹲瓒衔藁薅ㄐ尾牧侠缍趸?br />以及有机物可以通过与酸或碱或其它化学试剂接触被除去,使得碎屑
    物质会被除去但对于晶体没有有害影响。

    在更优选的实施方案中,适合这里使用的锻烧、结晶、非层状的
    载体材料可以通过在大于约10埃d-间距(对于Cu?K-α射线的8.842°
    2θ)的位置上有至少两个峰的X射线衍射图来表征,该d-间距对应于
    载体材料的电子衍射图的d100值,其中的至少一个峰是在大于约18埃
    d-间距的位置上,以及在低于约10埃d-间距的位置上没有相对强度
    大于最强峰的约20%的峰。仍然最优选的,本发明的煅烧材料的X射
    线衍射图在低于约10埃d-间距的位置上没有相对强度大于最强峰的
    约10%的峰。在任何情况下,在X射线衍射图中的至少一个峰具有与
    该材料的电子衍射图的d100值对应的d-间距。

    适合这里使用的煅烧、无机、非层状、结晶的载体材料也可以表
    征为具有由物理吸附测量法测量的约15埃到低于约40?;蚋咧档?br />孔隙尺寸。应该指出的是,在这里使用的孔隙尺寸被认为是该晶体的
    最大垂直横截面孔隙尺寸。

    如上所述,适合在这里使用的载体材料可以通过现有技术中已知
    的任何方法来制备,并且一般是由美国专利Nos.5,098,684和
    5,573,657中描述的方法来形成的。测量X射线衍射数据、平衡苯吸
    附和将材料从铵转化成氢形式的方法是现有技术中已知的并且在美国
    专利No.5,573,657中有评述。

    可以将适合在这里使用的载体材料成形为各种颗粒尺寸。一般而
    言,载体材料颗??梢猿氏址勰?、微?;蚰K懿返男问?,如粒度足
    以穿过2目(Tyler)筛网但保留在400目(Tyler)筛网上的挤出物。当
    将对最终催化剂进行模塑时(如由挤出),该载体材料颗??梢栽诟稍?br />之前被挤出或先部分地干燥和然后挤出。

    对在本载体材料中的孔隙的尺寸加以控制,使得它们足够大,因
    此相对于在反应如裂化中的过渡状态物质而言的空间特异
    (spatiospecific)选择性减到最少(Chen等人,“Shape?Selective?
    Catalysis?in?Industrial?Applications”,36CHEMICAL?INDUSTRIES,
    第41-61页(1989),可参考其对于影响形状选择性的因素的讨论)。也
    应该指出的是,因为非常大的孔隙,扩散限制也减到最少。

    适合在这里使用的载体材料可以是自粘结的,即无粘结剂的。然
    而,优选的是本发明还包括合适的粘结剂材料。该粘结剂材料选自对
    于在利用了本发明的那些方法中所使用的温度和其它条件有耐受性的
    任何已知粘结剂材料。该载体材料与粘结剂材料复合而形成成品催化
    剂,在该催化剂上可以添加金属。适合在这里使用的粘结剂材料包括
    活性和非活性的材料和合成或天然沸石以及无机材料如粘土和/或氧
    化物如氧化铝、二氧化硅或二氧化硅-氧化铝。二氧化硅-氧化铝、氧
    化铝和沸石是优选的粘结剂材料,以及氧化铝是更优选的粘结剂载体
    材料。二氧化硅-氧化铝可以是天然的或呈现为凝胶状沉淀物形式或包
    括二氧化硅和金属氧化物的混合物的凝胶形式??梢越腔钚缘牟牧?br />引入到天然粘土例如膨润土和高岭土中以改进该催化剂在工业操作条
    件下的压碎强度并用作催化剂的粘结剂或基质。

    在一个实施方案中,本发明典型地包括,按复合的形式,从约80
    份载体材料∶20份粘结剂材料到20份载体材料∶80份粘结剂材料的载
    体材料∶粘结剂材料比率,全部比率按重量计,典型地从80∶20到50∶50
    的载体材料∶粘结剂材料,优选从65∶35到35∶65。该复合可以通过常
    规方式来进行,其中包括将材料一起研磨、接着挤出造粒成所需的成
    品催化剂颗粒。

    如上所述,本发明进一步包括选自VIII族金属和它们的混合物中
    的氢化-脱氢组分。优选的是,该氢化-脱氢组分选自钯、铂、铑、铱、
    和它们的混合物,更优选铂、钯和它们的混合物。最优选的是,该氢
    化-脱氢组分是铂和钯的混合物。

    在一个实施方案中,所述氢化-脱氢组分典型地是以约0.1wt%到
    约2.0wt%,优选约0.2wt%到约1.8wt%,更优选0.3wt%到约1.6wt%,
    和最优选0.4wt%到约1.4wt%的量存在。全部金属重量百分数是基于
    载体的。对于“基于载体”,我们指该百分数是以载体(即复合的载体
    材料和粘结剂材料)的重量为基础的。例如,如果载体称量为100g,
    则20wt%氢化-脱氢组分指在载体上有20g的该氢化-脱氢金属。

    在优选的实施方案中,所述催化剂将同时含有Pt和Pd,在再更
    优选实施方案中,按照约1∶2到约1∶4的重量比。在再更优选的实施
    方案中,该催化剂将含有基于MCM-41的约0.3±0.1wt%Pt(更优选
    ±0.05)和约0.9±0.1wt%Pd(更优选±0.05),其中Pt/Pd的原子
    比是在约1∶6.5至约1∶7范围内。在另一个更优选实施方案中,该催
    化剂包括中孔MCM-41,后者具有包括氧化铝的粘结剂并包含约
    0.10-0.25wt%P?t和约0.30-0.75wt%Pd。在一个实施方案中,其
    可以与本段落中描述的更优选实施方案相结合,在包括粘结剂(如果存
    在的话)的催化剂中二氧化硅与氧化铝的总比率将是约35wt%氧化铝
    和约65wt%二氧化硅。

    可以将所述氢化-脱氢组分交换到所述载体材料之上,渗透到它之
    中或与它进行物理掺混。优选的是,该氢化/脱氢组分通过浸渍而引入。
    如果该氢化-脱氢组分需要浸渍或交换到复合的载体材料和粘结剂上,
    则可通过用含有该氢化-脱氢组分的合适离子处理该复合物来进行。如
    果该氢化-脱氢组分是铂,则合适的铂化合物包括氯铂酸,氯化亚铂和
    含有铂胺配合物的各种化合物。

    所述氢化-脱氢组分也可以借助于一种和/或多种化合物而引入到所
    述复合的载体和粘结剂材料之中、之上或与它掺混,其中该氢化-脱氢组
    分存在于该一种和/或多种化合物的阳离子中或存在于该一种和/或多种
    化合物的阴离子中。应该指出的是,阳离子和阴离子化合物都能够使用。
    其中金属是阳离子或阳离子配合物的形式的合适钯或铂化合物的非限制
    性例子是Pd(NH3)4Cl2或Pt(NH3)4Cl2,这是特别有用的,正如阴离子配合
    物如钒酸根和偏钨酸根离子一样。其它金属的阳离子形式也是非常有用
    的,因为它们可以交换到结晶材料之上或浸渍到其中。

    将原料装入到包括反应阶段的装置中,该反应阶段包括根据本发
    明的催化剂。在一个实施方案中,如上所述的催化剂与原料流在固定
    床反应器中在氢处理气体存在下在有效的芳族化合物饱和条件下进行
    接触。尽管此类有效的条件可以通过阅读了本公开物的本领域中的普
    通技术人员在没有过多常规实验的情况下确定,但是,典型的氢分压
    可以是约1000psig或更低,在一个实施方案中低于900psig,在另
    一个实施方案中低于800psig,在另一个实施方案中低于750psig,
    在另一个实施方案中低于600psig,在另一个实施方案中低于500
    psig,在另一个实施方案中低于400psig,在另一个实施方案中低于
    300psig;而优选的条件是约300-700psig的氢分压兼有约500-2000
    scf/bbl原料的处理率(约87-348cc?H2/cc原料,基于5.74
    scf/bbl/cc?H2/cc原料),更优选约1100-1300scf/bbl原料;约150℃
    到约300℃,或约160℃到约250℃,或约170℃到约低于232℃,或
    约175℃到约225℃,或约180℃到约220℃的温度(认为另外合适的温
    度范围包括上述下限值中的任何一个到上述上限值中的任何一个,例
    如,约150℃到约225℃,或170℃到约低于232℃,诸如此类);约
    0.5到5.0hr-1,更优选1.5到3.0hr-1的空间速度。处理率是以高于
    消耗的SCF/Bbl给出的。典型地,使用包括1wt%芳族化合物的原料,
    消耗是大约25scf/bbl原料;使用包括20wt%芳族化合物的原料,
    消耗是大约500scf/bbl原料。再次,尽管各种条件可以由阅读了本
    公开物的本领域中的普通技术人员确定,但是本发明的重大优点中的
    一个是芳族化合物含量可以在包括低温(如约232℃以下)的有效芳族
    化合物饱和条件下降低至极低水平。

    根据本发明的催化剂典型地与原料流在固定床反应器中进行接
    触。然而,也可以使用让原料流与担载的催化剂进行接触的其它已知
    方法,如通过原料流与催化剂在塔中接触,即反应蒸馏或催化蒸馏。正
    如前面提到的那样,也可考虑多个反应器,例如,具有第一加氢催化
    剂的第一反应器和具有根据本发明的被担载在MCM-41上的VIII族催
    化剂的第二反应器。

    由根据本发明的方法生产的烃流体的特征可在于芳族化合物含量
    低于500ppm,在一个实施方案中低于100ppm,在另一个实施方案中
    低于50ppm,和在另一个实施方案中低于10ppm。芳族化合物可以通过
    阅读了本公开物的本领域中的普通技术人员所熟知的各种技术来测定。
    一般可利用的商购UV分光光度计能够检测到低至约10ppm的水平的芳
    族化合物。一般可利用的商购GC-质谱仪能够检测到低至约0.4ppm的
    水平的芳族化合物。在这里使用的含氧化合物测定方法在实验部分之后
    说明并且也可以由阅读了本公开物的本领域中的普通技术人员确定。

    在一个实施方案中,产品的硫含量低于100ppm,在另一个实施
    方案中低于10ppm,和在另一个实施方案中低于1ppm。在优选的实
    施方案中,根据在这里指定的ASTM方法,在产品中不能检测到硫。

    在一个实施方案中,含氧化合物的含量低于10ppm,优选低于5
    ppm,更优选低于1ppm,和再更优选地,没有可由UV-vis检测方法
    检测到的含氧化合物。

    由本发明生产的烃流体可用于消费品如漆(例如包括树脂、颜料、
    染料等等);清洁产品;需要超高纯度溶剂的工业过程如半导体工业;
    和需要高纯度的过程如水处理过程、溶剂萃取(例如,在大豆加工中)、
    金属轧制、和矿石提??;或用于如钻井液配制剂、农业配制剂(例如包
    括杀虫剂、农药、肥料等等)的组合物中,和用于混杂的组合物如包括
    硅酮密封剂的那些中。

    在某些最终应用中,如金属加工和铝轧制中,重要的是所述烃流
    体组合物符合对于芳族化合物水平的法规要求,例如美国的FDA法规。
    在其它最终用途中,烃流体被用作在使用过程中需要高的化学稳定性
    的反应活性介质中的溶剂或试剂载体。此类用途的例子是聚合反应,
    其中溶剂用作分散介质或用作催化剂(例如过氧化物载体)。在仍然其
    它最终用途中,如在钻探泥浆油配制剂或矿石提取配制剂中,重要的
    是该烃流体具有低环境影响,尤其水体毒性。在仍然其它应用中,如
    涂料或硅酮密封配制剂中,非常希望使用在长的时间中,有时在极端
    磨损条件下具有高的颜色和气味稳定性的烃流体。本发明确保烃流体
    的切割馏分或等级符合上述要求中的一个或多个。

    实施例

    下列实施例用于说明本发明。很多的改进和变化是可能的并且可
    以理解的是,在所附权利要求的范围内,可以与在这里具体描述的方
    式不同地来实施本发明。

    实施例1-4和对比实施例

    优选的芳族化合物饱和催化剂用于下列实施例中,并且由具有约
    40埃的孔隙直径的、含有65wt%MCM-41的载体和35wt%氧化铝粘结
    剂组成。如下所述,该载体涂有0.9wt%钯和0.3wt%铂。附加的改进
    可通过将铝引入到MCM-41结构中,减小MCM-41组分的孔隙直径和减
    少贵金属载量来看出,如下表1中所示。

    一系列的催化剂通过使用MCM-41来制造,该MCM-41具有在表1
    中列出的SiO2:Al2O3、孔隙开孔和其它特性。合成MCM-41中孔材料,
    然后滗析并制备成滤饼。该滤饼用DI(去离子)水洗涤,然后在氮气中
    在大约540℃下初步煅烧。初步煅烧的MCM-41材料然后与Versal-300
    氧化铝粘结剂混合并挤出成1/16”圆柱体。将挤出物加以干燥,然后
    在空气中在大约538℃下煅烧。煅烧的挤出物然后用含有铂和钯盐的
    溶液共同浸渍,并在120℃下干燥。该催化剂然后接受在空气中在
    304℃下的最终煅烧,以分解铂和钯化合物。在煅烧之后在表1中指定
    的Pt和Pd载量是按金属计的,百分数基于整个组合物。

    为了对比,通过将80wt%氧化铝(300氧化铝)和20wt%
    (二氧化硅)挤出成1/16”圆柱体来制备无定形催化剂。
    将挤出物加以干燥,然后在空气中在大约538℃下煅烧。煅烧的挤出
    物然后用铂和钯盐进行共浸渍,并在120℃下干燥。该催化剂然后接
    受在空气中在304℃下的最终煅烧以分解铂和钯化合物,在煅烧之后
    得到在表中指明的金属载量。

    成品催化剂的性能总结在下表1中。需要指出的是,由氧化学吸
    附法测量的金属分散性对于全部成品催化剂是类似的,但是苯氢化活
    性(BHA)指数随着MCM-41孔隙开孔的直径的减小而提高。BHA试验在
    下面详细描述。

    表1


    在催化剂制备之后,各催化剂的性能通过加氢精制烃原料来进行
    评价,该烃原料主要包括代表282℃到310℃(540-590°F)的实际切割
    馏分的C16到C19烃流体,含有低于5ppm硫和氮,和约1.8wt%芳
    族化合物。

    将大约20cc的各催化剂装载到上流式微型反应器中。将约15cc
    的80-120目砂子添加到催化剂中以确保均匀的液体流动。在用氮气和
    氢气进行压力试验之后,将催化剂在氮气中在260℃下干燥约3小时,
    冷却到室温,在100psia的氢气中和在大约260℃下活化8小时,然
    后在相同的氢气气氛中冷却到150℃。

    将包括烃流体的原料引入其中,操作条件被调节到1LHSV(1hr-1
    的液体时空速度)、350psig和1,000scf?H2/bbl。反应器温度经过
    约10天的时间从175℃提高到220℃。氢气纯度是100%和不使用气
    体再循环。

    每日监测芳族化合物,由UV吸收测量(ppm)。对于使用不同MCM-41
    材料制得的无定形二氧化硅-氧化铝催化剂,总芳族化合物含量与温度
    的关系示于图1中。图2更详细地显示了MCM-41材料的结果。正如所
    示,使用MCM-41制得催化剂显示出更好的芳族化合物饱和活性以及含
    有较高量的铝和具有较小直径孔隙开孔的MCM-41材料提供了最高的
    芳族化合物饱和水平。负载了0.57wt%金属的催化剂具有与负载了
    1.16wt%金属的催化剂基本上相同的芳族化合物饱和活性,这是令人
    吃惊的结果。

    实施例5

    优选的芳族化合物饱和催化剂用于下列实施例中,并且由具有约
    40埃的孔隙直径的、含有65wt%MCM-41的载体和35wt%氧化铝粘结
    剂组成。该载体涂有0.9wt%钯和0.3wt%铂,如前所述。试验了包括
    代表455-515°F的蒸馏切割馏分的C12-C15烃类的三种脂肪族流体。
    原料A在工业上是通过首先在常规CoMo催化剂上进行加氢处理,然后
    分馏到460-506°F(238-263℃)的所需实际切割馏分,得到具有约2ppm
    硫和25wt%芳族化合物的原料来生产的。原料B在工业上是通过在常
    规NiMo催化剂上处理原料A,得到具有约1ppm硫和20wt%芳族化合
    物的原料来生产的。原料C是在中试装置中通过在常规镍催化剂上处
    理原料A得到具有无法检测到的硫和约10wt%芳族化合物的原料来生
    产的。这些原料然后在优选的催化剂上在23巴总压力下通过使用纯
    H2来进行处理。结果示于图3中。

    图3说明了通过使用原料B和C,在已通过处理其它贮备料(stock)
    而被老化的催化剂之上,生产和维持超低芳族化合物的烃流体产品的能
    力。原料B提供了当在1hr-1空间速度下处理时具有10ppm芳族化合物
    的产品,当将空间速度加倍时芳族化合物仅仅适度提高至30ppm。虽然
    原料A导致催化剂活性的显著下降,但是主要的活性通过用原料B处理
    得以恢复,使得能够连续地生产出超低芳族化合物的产品。实验表明,
    由原料A所引起的临时减活通过在NiMo或镍上处理原料而消除。

    实施例6

    原料D,主要包括C16-C19烃类,具有从540-590°F的实际切割
    馏分和此外包括2wt%芳族化合物的流体,在实施例5中所述的催化
    剂上进行处理。

    图4显示了恢复活性和生产出含有低于50ppm芳族化合物的重质
    高沸点(heavy?boiling)溶剂的能力。

    实施例7

    原料E,主要包括C13-C15烃类,具有从480-510°F的实际切割
    馏分和此外包括0.4wt%芳族化合物的流体,在实施例5中所述的催
    化剂上进行处理。将二苯并噻吩添加到这一原料中以评价在原料流中
    的硫对于生产超低芳族化合物含量的烃流体产品的能力的影响。

    如表2中所示,甚至对于在原料存在硫(在表2中作为“原料S”
    显示的量)的情况,在产品中不存在可检测到的水平(ASTM?D-5453)的
    硫的超低芳族化合物能力得以维持。0.1ppm?S是根据ASTM?D-5453
    测试的可检测性极限。

    表2


    实施例8

    通过使用C6异构体占优势的原料来进行优选的催化剂和常规的
    镍的对比试验以评价含氧化合物除去性能,该原料具有150-156°F(约
    65-69℃)的实际切割馏分和此外含有约20ppm含氧化合物。通过使用
    大约1000scf/bbl纯氢,用各催化剂在1.7hr-1LHSV,266°F(约130℃)
    的温度和335psig总压力下进行中试装置试验。使用镍催化剂生产的
    产品的含氧化合物含量等于该原料的含氧化合物含量,而在优选的催
    化剂上产生的含氧化合物含量是无法检测到的。

    在这里报导的苯加氢活性指数按照以下方式测定。在载体上的活
    性金属对于在苯加氢活性(BHA)试验中的加氢活性进行筛选。催化剂样
    品(大约0.2克)首先在氦气中在100℃下干燥1小时,然后在流动的氢
    气中在选择的温度(120-350℃,名义上为250℃)下还原1小时。催化
    剂在氢气中被冷却到50℃,然后在50、75、100和125℃下测量苯氢
    化的速率。氢气以200sccm流动并通过被保持在10℃下的苯喷雾器
    (sparger)。将数据拟合成零阶的阿累尼乌斯曲线图,并且报导了在
    100℃下按产品摩尔数/摩尔金属/小时计的速率常数。压力是常压。

    按以下方式测定痕量含氧化合物。在各样品中的含氧化合物用质
    量选择性检测器(MSD)鉴别和用火焰电离检测器(FID)来定量分析。在
    这些样品中存在的含氧化合物的定量分析是通过使用FID检测器,以
    10ppm?C6醇(2-甲基-环戊醇)标准为基础的。这一方法的检测下限是
    1ppm。下面是用于该分析中的仪器参数。

    GC#25,HP6890????含氧化合物的鉴别

    柱:HP-5(30m×0.32mm?ID,0.25μm?df);LowOx(10m,0.53mm
    ID,0.10μm?df)

    注射器:250℃,分配比(Split)5∶1,He载气,总流量49.1ml/min,
    22.0psi排出压力(在35℃下),2.0μL样品注射。

    FID检测器:250℃,40cc/min氢气,450cc/min空气;Range?0

    MSD:SIM模式,源(Source)温度230℃,四极(Quad)温度150℃。

    烘箱:40℃的初始温度保持4分钟;温度以20℃/min速度从40℃
    提高到200℃。温度以5℃/min速度提高到300℃并保持15min。

    在这里报导的芳族化合物含量是从由样品在UV分光光度计中在
    260到280-nm区域中产生的峰的基线吸收度计算的。吸收系数借助于
    通过从贮备料(stock)(它代表样品)的硅胶渗滤作用所分离的芳族化
    合物馏分来校正。它们还可以从提供类似UV吸收光谱的已知芳族化合
    物的混合物来评估。使用单次硅胶校正的试验方法的准确性估计是在
    所报导的芳族化合物浓度的约10%之内。这一评估基于同一样品的相
    差10%的两次校正并且不引起在不同的制造批料之间的变化。这一方
    法的可检测性极限是约10ppm。商购GC-质谱仪对于芳族化合物具有
    低到约0.4ppm的检测极限。

    在这里指定的沸点和沸程是根据ASTM?D-86或ASTM?D-1078测定
    的,这取决于烃流体的特性。本领域中的普通技术人员可以确定合适
    的ASTM方法。

    当组合物被描述为“主要包括”一种指定的物质时,这是指没有
    其它物质以等于或大于所指定物质的含量存在。当指定了一种以上的
    物质(例如,“主要包括C16、C17和C18”)时,指定的那些是以大于
    未指定的任何物质的含量存在。

    本领域中的普通技术人员在理解本发明之后会认识到,在这里阐
    述的各种实施方案,包括优选的和更优选的实施方案,可以按照与实
    现本发明的目标一致的方式来进行组合。因此举例来说,本发明的实
    施方案包括将烃流体脱芳烃的方法,其中原料流和产品具有基本上相
    同的沸程和其中烃流体没有由该方法异构化,以及其中该产品具有低
    于100ppm芳族化合物。

    本领域中的普通技术人员在阅读本公开物之后可以理解许多其它
    变化形式。优选的实施方案包括:(I)将包括芳族化合物分子的烃流
    体原料流进行氢化的方法,该方法包括让沸点低于350℃、优选低于
    330℃、更优选低于315℃并且包括C5-C25烃流体、优选C5-C19烃流
    体的所述烃原料流,在含氢的处理气体存在下在有效的芳族化合物饱
    和条件(特别地,其中所述条件包括低于约232℃的温度,优选在约
    150℃至约低于232℃的范围内或在以上段落[0091]中列出的那些范
    围中的一个范围内的温度)下操作的反应阶段中与芳族化合物饱和催
    化剂进行接触,其中所述芳烃饱和催化剂包括选自于被担载在无机、
    多孔、非层状、结晶、中孔的载体材料上的VIII族贵金属和它们的混
    合物中的氢化-脱氢组分,其中该载体材料具有至少包括铝和二氧化硅
    的框架,以及其中二氧化硅与铝的比率是约10∶1到约100∶1和载体材
    料的平均孔径是约15埃到低于约100埃,并且回收包含具有至少5℃
    的沸程并包含低于100ppm芳族化合物的烃流体的蒸馏馏分产品;其
    可进一步以下列限制中的一个或多个来表征:其中所述产品的沸程与
    所述原料流的沸程相同;其中所述产品没有从所述原料流异构化;其
    中所述产品不具有因为与所述氢化-脱氢组分接触所导致的异构化或
    裂化而产生的可检测到的物质;其中所述原料具有至少500ppm的芳
    族化合物含量,优选在约1wt%和20wt%之间的芳族化合物含量;其
    中所述产品具有低于500ppm,优选低于100ppm,更优选低于50ppm,
    再更优选低于20ppm,再一次更优选低于10ppm的芳族化合物含量;
    其中所述产品包括低于10ppm含氧化合物,优选低于5ppm,更优选
    低于1ppm,和再更优选地由FID无法检测到的水平的含氧化合物;
    其中所述产品包括由ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫;其中所述
    产品具有约60-150℃的并有5到10个碳原子、优选6-8个碳原子的
    蒸馏切割馏分;其中所述产品具有约150-315℃、优选180-350℃的,
    有约5℃到约40℃的沸程的,并且具有9到19个碳原子、优选10到
    19个碳原子的蒸馏切割馏分;其中所述方法进一步包括对选自ACN(常
    压粗石脑油)、HVN(重质直馏石脑油)、煤油、柴油、LGO(轻瓦斯油)、
    PGO(工艺瓦斯油)、在化学过程中产生的低聚物、从GTL过程衍生的原
    料流和它们的混合物中的第一原料流进行加氢处理和/或加氢精制的
    步骤,从而获得包括具有至少5℃的沸程的C5-C19烃流体并具有至少
    500ppm的芳族化合物含量的第二原料流,然后让所述第二原料流与
    所述芳族化合物饱和催化剂在含氢的处理气体存在下在有效的芳族化
    合物饱和条件下操作的反应阶段中进行接触,以及回收包含具有至少
    5℃的沸程并包含低于100ppm芳族化合物的烃流体的蒸馏馏分;其中
    所述有效的芳族化合物饱和条件包括低于1000psig,任选低于800
    psig,任选低于700psig,任选低于650psig,任选低于600psig,
    任选低于500psig,任选低于400psig,任选约300psig或更低的
    氢气分压;以及还有(II)由根据本发明的方法制备的具有至少5℃的
    沸程的C5-C25烃流体在选自半导体制造、水处理、溶剂萃取、矿石提
    取、金属轧制的过程中的应用,或用作聚烯烃制造中的加工助剂,用
    于钻井液配制剂中,用于印刷油墨中,用于农业配制剂中,或用于包
    括硅酮密封剂、着色剂、或它们的组合的组合物中;例如用于以下应
    用中:用于包括树脂、着色剂和所述烃流体的漆组合物;用于包括让
    大豆与所述烃流体接触的溶剂萃取过程中;用于包含所述烃流体和选
    自杀虫剂、植物生长调节剂和它们的混合物中的至少一种物质的农业
    配制剂中;以及还有(III)包括在其中引入了约0.10-0.25wt%Pt和
    约0.30-0.75wt%Pd的无机、多孔、非层状、结晶、中孔的MCM-41
    的一种催化剂,所述中孔的MCM-41以至少包括铝和二氧化硅的框架为
    特征,和其中二氧化硅与铝的比率是约10∶1到约100∶1并具有约15
    埃到低于约100埃的平均孔径;或该催化剂进一步的特征在于:进一
    步包括氧化铝-二氧化硅粘结剂;其中所述MCM-41具有约100∶1到约
    10∶1,优选约60∶1到约20∶1,和更优选约40∶1到约20∶1的二氧化
    硅与铝比率;其中所述框架具有约15埃到约50埃,优选约20埃到约
    40埃的平均孔径;以及还有(IV)在这里描述的组合物,尤其由根据
    本发明的方法制得或可由根据本发明的方法获得的组合物,特别地:
    在由根据本发明的方法制备的C9-C25烃流体中,它在一个实施方案中
    可以表征为其中改进之处包括所述烃流体具有低于100ppm芳族化合
    物,低于10ppm硫(根据ASTM?D-5453),和低于1ppm含氧化合物(由
    FID测定),和甚至更特别地其中所述流体具有约5℃到约50℃的沸程,
    和分别选自(a)157-207℃和低于100ppm芳族化合物;(b)196-235℃
    和低于100ppm芳族化合物;(c)238-263℃和低于100ppm芳族化合
    物;和(d)282-311℃和低于300ppm芳族化合物中的蒸馏切割馏分和
    芳族化合物含量,和/或表征为无法由ASTM?D-5453检测到的硫和无法
    由火焰电离检测(FID)检测到的含氧化合物;以及组合物表征为由根据
    本发明的方法制得的主要包括C6(己烷)的烃流体,其进一步的特征在
    于具有根据UV光谱分析法测得的低于1ppm的芳族化合物含量,根据
    ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫,和由FID无法检测到的含氧化
    合物,以及表征为由根据本发明的方法制得的主要包括C7(庚烷)的烃
    流体,其进一步的特征在于具有由UV光谱分析法测得的低于1ppm
    的芳族化合物,根据ASTM?D-5453无法检测到的水平的硫和由FID无
    法检测到的含氧化合物。

    在这里使用的商品名由TM符号符号指明,表示该名称被某些
    商标权?;?,例如,它们可以是各种权限的注册商标。在这里列举的
    全部专利和专利申请、试验方法(如ASTM方法、UL方法等等)和其它
    文件在一定程度上被充分引入供参考,在该程度上这些公开物与本发
    明一致并且对于此类引入是允许的全部权限。当在这里给出数值下限
    和数值上限时,从任何下限到任何上限的范围都是考虑的。

    尽管已经具体地描述了本发明的举例性的实施方案,但应该理解,
    在不脱离本发明的精神和范围的前提下,各种其它改进对于本领域中
    的那些技术人员是显而易见的并能够容易地实现。因此,不认为本说
    明书所附的权利要求的范围限于这里给出的实施例和描述,而是权利
    要求被认为包括在本发明中存在的可以取得专利权的新颖性的所有特
    征,其中包括由本发明所属技术领域中的技术人员认为是这些特征的
    等同物的所有其它特征。

    本发明在以上参考很多的实施方案和特定的实施例进行了描述。
    本领域中的技术人员在阅读以上详细说明之后可以理解许多其本身所
    建议的变化。所有这些明显的变化是在所附权利要求的全部预期的范
    围之内。

    关于本文
    本文标题:超纯流体.pdf
    链接地址://www.4mum.com.cn/p-5870929.html
    关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

    [email protected] 2017-2018 www.4mum.com.cn网站版权所有
    经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
     


    收起
    展开
  • 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03
  • 大乐透胆拖投注中奖计算器 无错36码特围全年网站 时时彩稳赚平刷 欢乐生肖开奖结果 11选5投注技巧推荐 ig飞艇人工计划软件 怎样买足球稳赚不赔 大乐透的走势图30期 幸运七星彩计划 彩无敌海南七星彩计划软件 时时彩有啥稳赚买法吗 双面盘彩票台 龙虎计划软件视频 福彩3d组选三复式 彩票网上投注代理平台 后二计划软件手机版