• 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03
    • / 11
    • 下载费用:30 金币  

    重庆时时彩直插: 提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路及方法.pdf

    关 键 词:
    提高 薄膜晶体管 像素 充电 能力 驱动 电路 方法
      专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    摘要
    申请专利号:

    CN201110224313.1

    申请日:

    2011.08.05

    公开号:

    CN102254534A

    公开日:

    2011.11.23

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G09G 3/36申请日:20110805|||公开
    IPC分类号: G09G3/36 主分类号: G09G3/36
    申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
    发明人: 康志聪
    地址: 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
    优先权:
    专利代理机构: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 欧阳启明
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110224313.1

    授权公告号:

    102254534B||||||

    法律状态公告日:

    2012.12.12|||2012.01.04|||2011.11.23

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路及方法。本发明提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路包括薄膜晶体管、第一电容和第二电容,所述薄膜晶体管的源极分别与所述第一电容和所述第二电容相连,当漏极电源端的电压由正极性切换到负极性或由负极性切换到正极性时,所述薄膜晶体管储存的源极电压与所述第一电容的电源端电压间的压差大于一预定值。本发明可以提高充电电流和像素充电能力,同时,减少金属线宽需求,改善开口率,提升产品穿透率。

    权利要求书

    1.一种提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路,其
    特征在于,包括薄膜晶体管、第一电容和第二电容,所述
    薄膜晶体管的源极分别与所述第一电容和所述第二电容
    相连,所述薄膜晶体管的漏极连接漏极电源端,所述薄膜
    晶体管的栅极连接栅极电源端,所述第一电容的另一端连
    接第一电容电源端,第二电容另一端连接第二电容电源
    端,当漏极电源端的电压由正极性切换到负极性或由负极
    性切换到正极性时,所述薄膜晶体管储存的源极电压与所
    述第一电容的电源端电压间的压差大于一预定值。
    2.根据权利要求1所述的提高薄膜晶体管像素充电
    能力的驱动电路,其特征在于,当漏极电源端电压由正极
    性切换到负极性时,所述第二电容电源端的电压大于基准
    电压,其中,所述基准电压为5V。
    3.根据权利要求2所述的提高薄膜晶体管像素充电
    能力的驱动电路,其特征在于,所述薄膜晶体管开启时,
    对像素充电所感受到的压差大于等效电压,其中,所述等
    效电压为10V,放电后,所述薄膜晶体管关闭,所述第二
    电容的电源端电压恢复为基准电压,所述源极电源端电压
    低于0V。
    4.根据权利要求1所述的提高薄膜晶体管像素充电
    能力的驱动电路,其特征在于,当漏极电源端电压由负极
    性切换到正极性时,所述第二电容电源端的电压低于基准
    电压,其中,所述基准电压为5V。
    5.根据权利要求4所述的提高薄膜晶体管像素充电能
    力的驱动电路,其特征在于,所述薄膜晶体管开启,薄膜
    晶体管的漏极电源端与源极电源端的压差大于等效电压,
    其中,所述等效电压为10V。
    6.根据权利要求5所述的提高薄膜晶体管像素充电
    能力的驱动电路,其特征在于,充电后,所述薄膜晶体管
    关闭,所述第二电容的电源端电压恢复为基准电压,所述
    源极电源端电压高于10V。
    7.根据权利要求1所述的提高薄膜晶体管像素充电
    能力的驱动电路,其特征在于,所述正极性电压为10V,
    所述负极性电压为0V,所述薄膜晶体管储存的源极电压
    与所述第一电容的电源端电压间的压差预定值为5V。
    8.一种提高薄膜晶体管像素充电能力的方法,其特
    征在于,包括:
    当薄膜晶体管的漏极连接的漏极电源端电压由正极
    性切换到负极性时,给予第二电容电源端大于基准电压的
    电压信号;
    当薄膜晶体管漏极连接的漏极电源端电压由负极性
    切换到正极性时,给予第二电容电源端低于基准电压的电
    压信号;
    其中,所述薄膜晶体管的源极分别与第一电容和第二
    电容连接,所述第一电容另一端连接第一电容电源端,第
    二电容另一端连接第二电容电源端。
    9.根据权利要求8所述的提高薄膜晶体管像素充电
    能力的方法,其特征在于,当薄膜晶体管漏极连接漏极电
    源端电压由正极性切换到负极性时,所述薄膜晶体管未打
    开,源极电源端电压大于等效电压,所述薄膜晶体管打开,
    薄膜晶体管的漏极电源端与源极电源端的压差大于等效
    电压,在所述薄膜晶体管关闭时,第二电容的电源端电压
    恢复为基准电压,所述源极电源端电压低于0V,其中,
    所述等效电压为10V。
    10.根据权利要求9所述的提高薄膜晶体管像素充电能力
    的方法,其特征在于,当薄膜晶体管漏极连接漏极电源端
    电压由负极性切换到正极性时,所述薄膜晶体管未打开,
    源极电源端电压低于0V,所述薄膜晶体管开启时,薄膜
    晶体管的漏极电源端与源极电源端的压差大于等效电压,
    所述薄膜晶体管关闭时,第二电容的电源端电压恢复为基
    准电压,所述源极电源端电压大于等效电压,其中,所述
    等效电压为10V。

    说明书

    提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路及方法

    【技术领域】

    本发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种提高薄膜晶体管像
    素充电能力的驱动电路及方法。

    【背景技术】

    随着技术的发展,LCD(Liquid?Crystal?Display,液晶显示器)
    正逐渐成为主流显示器。TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜晶体
    管)-LCD是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种,
    TFT-LCD的面板一般用MOS-FET(金属氧化物半导体场效应管)
    作为像素充电的元件。现行薄膜晶体管元件的工作条件为:Vgh
    为23V,薄膜晶体管的临阈电压Vt为1V,以一般数据驱动电压
    0V~14V来看,最大的充放电压差Vds为14V(正负极性电压差),
    Vds≤Vgs-Vt,以薄膜晶体管I-V特性来看,薄膜晶体管工作在线
    性区,ID电流大小与极性切换电压差相关,即ID电流正比于Vds
    压差(ID∞(Vgs-Vt)Vds),具体公式如下:

    I DS μ eff ζ C i α - 1 W L ( V GS - V T ) α - 1 V DS ]]>

    但上述像素充电方式会由于RC(限流电阻器)负荷的增加,
    造成信号失真,导致充电不足。

    为了解决这一问题,现有的产品设计一般需要牺牲开口率(开
    口率越高,整体画面越亮),用较大的金属线宽来降低RC(限流
    电阻器)负荷,或者制作4PEP(Photo?Etching?Process,使用感光
    光阻)的TFT元件,以改善充电不足现象,但该设计方法会导致开
    口率过低而影响整体画面的亮度,对于穿透率及制程的影响也相
    当大。

    故,有必要提供一种提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电
    路及方法,以解决现有技术所存在的问题。

    【发明内容】

    本发明的目的在于提供一种提高薄膜晶体管像素充电能力的
    驱动电路及方法,以解决现有的TFT产品充电不足、以及TF?T产
    品设计影响穿透率及制程的问题。

    本发明是这样实现的:一种提高薄膜晶体管像素充电能力的
    驱动电路,包括薄膜晶体管、第一电容和第二电容,所述薄膜晶
    体管的源极分别与所述第一电容和所述第二电容相连,所述薄膜
    晶体管的漏极连接漏极电源端,所述薄膜晶体管的栅极连接栅极
    电源端,所述第一电容的另一端连接第一电容电源端,第二电容
    另一端连接第二电容电源端,当漏极电源端的电压由正极性切换
    到负极性或由负极性切换到正极性时,所述薄膜晶体管储存的源
    极电压与所述第一电容的电源端电压间的压差大于一预定值。

    在本发明的一较佳实施例中,当漏极电源端电压由正极性切
    换到负极性时,所述第二电容电源端的电压大于基准电压,其中,
    所述基准电压为5V。

    在本发明的一较佳实施例中,所述薄膜晶体管开启时,对像
    素充电所感受到的压差大于等效电压,其中,所述等效电压为
    10V,放电后,所述薄膜晶体管关闭,所述第二电容的电源端电
    压恢复为基准电压,所述源极电源端电压低于0V。

    在本发明的一较佳实施例中,当漏极电源端电压由负极性切
    换到正极性时,所述第二电容电源端的电压低于基准电压,其中,
    所述基准电压为5V。

    在本发明的一较佳实施例中,所述薄膜晶体管开启,薄膜晶
    体管的漏极电源端与源极电源端的压差大于等效电压,其中,所
    述等效电压为10V。

    在本发明的一较佳实施例中,充电后,所述薄膜晶体管关闭,
    所述第二电容的电源端电压恢复为基准电压,所述源极电源端电
    压高于10V。

    在本发明的一较佳实施例中,所述正极性电压为10V,所述
    负极性电压为0V,所述薄膜晶体管储存的源极电压与所述第一电
    容的电源端电压间的压差预定值为5V。

    本发明还提供了一种提高薄膜晶体管像素充电能力的方法,
    包括:

    当薄膜晶体管的漏极连接的漏极电源端电压由正极性切换到
    负极性时,给予第二电容电源端大于基准电压的电压信号;

    当薄膜晶体管漏极连接的漏极电源端电压由负极性切换到正
    极性时,给予第二电容电源端低于基准电压的电压信号;

    其中,所述薄膜晶体管的源极分别与第一电容和第二电容连
    接,所述第一电容另一端连接第一电容电源端,第二电容另一端
    连接第二电容电源端。

    在本发明的一较佳实施例中,当薄膜晶体管漏极连接漏极电
    源端电压由正极性切换到负极性时,所述薄膜晶体管未打开,源
    极电源端电压大于等效电压,所述薄膜晶体管打开,薄膜晶体管
    的漏极电源端与源极电源端的压差大于等效电压,在所述薄膜晶
    体管关闭时,第二电容的电源端电压恢复为基准电压,所述源极
    电源端电压低于0V,其中,所述等效电压为10V。

    在本发明的一较佳实施例中,当薄膜晶体管漏极连接漏极电
    源端电压由负极性切换到正极性时,所述薄膜晶体管未打开,源
    极电源端电压低于0V,所述薄膜晶体管开启时,薄膜晶体管的漏
    极电源端与源极电源端的压差大于等效电压,所述薄膜晶体管关
    闭时,第二电容的电源端电压恢复为基准电压,所述源极电源端
    电压大于等效电压,其中,所述等效电压为10V。

    相较于现有的TF?T像素充电元件,本发明提供的技术方案,
    可以提高充电时Vds电压的大小,提高充电电流和像素充电能力,
    并改善RC?loading(限流电阻器负载)造成信号失真充电不足的
    现象;同时,减少金属线宽需求,改善开口率,提升产品穿透率。
    通过本发明的实施,对于需要使用高电压启动面板提高液晶穿透
    效率的产品,使用一般低压制程的driver?IC(驱动芯片)即可达
    到高压输出的目的。

    为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举较佳实施例,
    并配合所附图式,作详细说明如下:

    【附图说明】

    图1为本发明提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路的较
    佳实施例的结构示意图;

    图2为本发明提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路的工
    作原理图;

    图3为本发明薄膜晶体管像素的源极电源端电压由正极性到
    负极性的数据对比图;

    图4为本发明薄膜晶体管像素的源极电源端电压由负极性到
    正极性的数据对比图;

    图5为本发明提供的提高薄膜晶体管像素充电能力的方法的
    较佳实施例的流程图。

    【具体实施方式】

    以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可
    用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、
    「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅
    是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理
    解本发明,而非用以限制本发明。

    如图1所示,为本发明提供的提高薄膜晶体管像素充电能力
    的驱动电路的较佳实施例的结构示意图。在图1中,该驱动电路
    包括薄膜晶体管10、第一电容20和第二电容30,薄膜晶体管10
    的源极分别与第一电容20和第二电容30一端连接,薄膜晶体管
    10的漏极连接漏极电源端Vd,薄膜晶体管10的栅极连接栅极电
    源端Vg,第一电容20另一端连接第一电容电源端Vcom,第二电
    容30另一端连接第二电容电源端Vst。

    请一并参阅图1与图2,为本发明提高薄膜晶体管像素充电能
    力的驱动电路的工作原理图。当漏极电源端Vd电压由正极性电
    压切换到负极性电压时,漏极电源端与源极电源端Vds间的等效
    电压为10V,在本发明的较佳实施例中,正极性电压为10V,负
    极性电压为0V。首先在薄膜晶体管10未打开时,array?com(阵
    列端口)给予第二电容30电源端大于基准电压的电压信号,本发
    明的较佳实施例中,基准电压为Vst,Vst的值为5V,大于基准
    电压的电压信号为Vst+ΔV(比原先Vst高ΔV),电荷重新分配的
    结果将使得Vs电压比原先的10V高ΔV1+ΔV2,变成10+ΔV1+
    ΔV2;接下来薄膜晶体管10开启,对像素充电所感受到的压差
    为:薄膜晶体管10的漏极电源端Vd与源极电源端Vs的压差Vds,
    Vds=-10-ΔV1-ΔV2,比原先10V要高,相对来说ID∞
    (Vgs-Vt)Vds)放电电流也会较大,放电时间缩短,放电后像素最
    终电压为0V,此时薄膜晶体管10关闭,第二电容30的电源端电
    压回到原基准电压(即由Vst+ΔV回到Vst),电荷重新分配使得
    Vs电压比原先0V低ΔV2(形成负电压),最后整体液晶储存Vs
    电压与第一电容20的Vcom电压的压差大于预定值,该预定值为
    薄膜晶体管储存的源极电压与第一电容的电源端电压间的压差
    值,在本发明的较佳实施例中,该预定值为5V,即使在不用PCB
    板(印刷电路板)给予外部较小data(数据)电位(小于0V)的情
    况下,也可以提伸液晶的储存电荷。

    请一并参阅图1,图2与图3,图3是薄膜晶体管像素的源极
    电源端电压由正极性到负极性的数据对比图,在图3中,在C’
    阶段薄膜晶体管10开启前,Vs电压为10+V1+V2。在C阶段薄
    膜晶体管10刚开启时,Vg=23V,Vds=Vd-Vs=-10-ΔV1-ΔV2,
    大于一般薄膜晶体管驱动信号Vds=10V的设计,提高元件的充电
    电流。

    同理,当Vd电压由负极性0V切换到正极性10V时,Vds等
    效电压为0V,首先薄膜晶体管10未打开时,阵列端口给予第二
    电容30电源端低于基准电压的电压信号,在本发明的较佳实施例
    中,基准电压信号为Vst,低于基准电压的电压信号为Vst-ΔV
    信号,(比原先Vst低ΔV),电荷重新分配的结果将使得Vs电压
    较原先0V低ΔV1+ΔV2,变成-ΔV1-ΔV2,此时薄膜晶体管10
    开启,对像素充电所感受到的压差为Vds=10+ΔV1+ΔV2,较原
    先10V要高,放电电流也会较大。充放电后像素最终电压为10V,
    此时薄膜晶体管10关闭,第二电容30的Vst电压回到原单位(由
    Vst-ΔV回到Vst),电荷重新分配,Vs电压较原先10V高ΔV2,
    最后整体液晶储存Vs与第一电容20的Vcom电压的压差大于正
    常的5V,也就是说在不需要PCB板(印刷电路板)高data(数
    据)电位(大於10V)的情况下,也可以提升液晶的储存电荷和穿
    透率,请一并参阅图1,图2与图4,图4是本发明薄膜晶体管像
    素的源极电源端电压由负极性到正极性的数据对比图,在图4中,
    在C阶段薄膜晶体管10开启前,Vs电压为-V1-V2。在C阶段薄
    膜晶体管10刚开启时,Vg=23V,Vds=Vd-Vs=10+V1+V2,大于
    一般薄膜晶体管驱动信号Vds=10V的设计,提高元件的充电电流。

    请参阅图5,是本发明提供的提高薄膜晶体管像素充电能力的
    方法的较佳实施例的流程图。本发明提供的提高薄膜晶体管像素
    充电能力的方法包括以下步骤:

    步骤500:当漏极电源端Vd电压由正极性切换到负极性时,
    array?com(阵列端口)给予第二电容电源端高水平的Vst+ΔV信
    号,即大于基准电压Vst的电压信号;

    该步骤中,正极性电压为10V,负极性电压为0V,Vd电压
    由正极性10V切换到负极性0V,漏极电源端与源极电源端Vds
    间的等效电压为10V;其中,薄膜晶体管的漏极与第一电容和第
    二电容分别连接,第一电容和第二电容并联。

    步骤510:通过电荷重新分配将源极电源端Vs电压变成10+
    ΔV1+ΔV2,使得源极电源端Vs电压比原先的10V高出ΔV1+
    ΔV2;

    步骤520:在薄膜晶体管开启时,像素充电所感受到的压差
    为Vds=10+ΔV1+ΔV2;

    该步骤中,像素充电所感受到的压差比原先10V要高,相对
    来说ID∞(Vgs-Vt)Vds)放电电流较大,放电时间也会缩短,放电
    后像素最终电压为0V。

    步骤530:在薄膜晶体管关闭时,第二电容的电源端Vst电
    压回到原单位(即由Vst+ΔV回到Vst),电荷重新分配使得源极
    电源端Vs电压比原先0V低ΔV2;

    该步骤中,源极电源端Vs电压形成负电压,最后整体液晶储
    存的源极电源端Vs电压与第一电容的Vcom电压的压差大于正常
    的5V,即使在不用PCB板给予外部较小data电位(小于0V)的情
    况下,也可以提升液晶的储存电荷。

    步骤540:当漏极电源端Vd电压由负极性切换到正极性时,
    阵列端口给予第二电容电源端低水平的Vst-ΔV信号,即低于基
    准电压Vst的电压信号;

    其中,正极性电压为10V,负极性电压为0V,漏极电源端
    Vd电压由负极性0V切换到正极性10V,漏极电源端与源极电源
    端Vds间的等效电压为10V。

    步骤550:通过电荷重新分配将源极电源端Vs电压变成-Δ
    V1-ΔV2,使得源极电源端Vs电压较原先0V低ΔV1+ΔV2;

    步骤560:在薄膜晶体管开启时,像素充电所感受到的压差
    为Vds=10+ΔV1+ΔV2,较原先10V要高;

    该步骤中,相对来说ID∞(Vgs-Vt)Vds放电电流也会较大,
    充放电后像素最终电压为10V。

    步骤570:在薄膜晶体管关闭时,第二电容的电源端Vst电
    压回到原单位(即由Vst-ΔV回到Vst),电荷重新分配使得源极
    电源端Vs电压较原先10V高ΔV2;

    该步骤中,整体液晶储存源极电源端Vs电压与第一电容的电
    源端Vcom电压的压差大于正常的5V,也就是说在不需要PCB
    板高data电位(大於10V)的情况下,也可以提伸液晶的储存电荷
    和穿透率。

    步骤580:结束本次充电。

    本发明提供的提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路及方
    法可以提高充电时Vds电压的大小,提高充电电流和像素充电能
    力,并改善RC?loading(限流电阻器负载)造成信号失真充电不
    足的现象;同时,减少金属线宽需求,改善开口率,提升产品穿
    透率。通过本发明的实施,对于需要使用高电压启动面板提高液
    晶穿透效率的产品,使用一般低压制程的driver?IC(驱动芯片)
    即可达到高压输出的目的。本发明适用于Horizontal?array?com(水
    平阵列端口)并搭配使用row?driving(列驱动)的显示器,及
    Vertical?array?com(垂直阵列端口)并搭配使用vertical?com(垂
    直端口)及column?driving(行驱动)的显示器。

    综上所述,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,但上述较
    佳实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱
    离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明
    的?;し段б匀ɡ蠼缍ǖ姆段?。

    关于本文
    本文标题:提高薄膜晶体管像素充电能力的驱动电路及方法.pdf
    链接地址://www.4mum.com.cn/p-5870696.html
    关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

    [email protected] 2017-2018 www.4mum.com.cn网站版权所有
    经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
     


    收起
    展开
  • 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03
  • 时时彩龙虎怎么玩讲解 快乐8稳赚和值单双 江苏快3微信群稳赚 6码复式三中三论坛资料 秒速时时4码技巧 分分彩计划软件大全 精准稳赚计划极速赛车 时时彩稳赚 北京pk拾全天稳定计划 彩名堂手机版计划软件 双色球开奖结果 快三包胆投注方法 买彩多多怎样才稳赚 北京pk10赚钱方法大全 分分快三人工计划 大乐透5十7对照表