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    重庆时时彩定位胆技巧: 发光二极管照明装置.pdf

    关 键 词:
    发光二极管 照明 装置
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    摘要
    申请专利号:

    CN201010128189.4

    申请日:

    2010.02.11

    公开号:

    CN102155637A

    公开日:

    2011.08.17

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):F21S 2/00申请公布日:20110817|||实质审查的生效IPC(主分类):F21S 2/00申请日:20100211|||公开
    IPC分类号: F21S2/00; F21V23/00; F21Y101/02(2006.01)N 主分类号: F21S2/00
    申请人: 亿光电子工业股份有限公司
    发明人: 赵自皓
    地址: 中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号
    优先权:
    专利代理机构: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 任永武
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201010128189.4

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2014.02.19|||2011.09.28|||2011.08.17

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明是一种发光二极管照明装置,其包括第一发光二极管单元与整流电路。整流电路包括第二发光二极管单元。第一发光二极管单元配置在直流路径上,可用来发出第一颜色光。整流电路耦接交流电源与第一发光二极管单元,可用来提供直流电源信号至直流路径。第二发光二极管单元配置在第一交流路径上且耦接于交流电源与直流路径之间,可用来发出第二颜色光并与第一颜色光进行混合,藉以产生第三颜色光。

    权利要求书

    1: 一种发光二极管照明装置, 其特征在于, 包括 : 一第一发光二极管单元, 配置在一直流路径上, 用以发出一第一颜色光 ; 以及 一整流电路, 耦接一交流电源与该第一发光二极管单元, 用以提供一直流电源信号至 该直流路径, 该整流电路包括 : 一第二发光二极管单元, 配置在一第一交流路径上且耦接于该交流电源与该直流路径 之间, 用以发出一第二颜色光并与该第一颜色光进行混合, 藉以产生一第三颜色光。
    2: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 还包括 : 一第三发光二极管单元, 配置在该第一交流路径上且耦接于该交流电源与该直流路径 之间 ; 一第四发光二极管单元, 配置在一第二交流路径上且耦接于该交流电源与该直流路径 之间 ; 以及 一第五发光二极管单元, 配置在该第二交流路径上且耦接于该交流电源与该直流路径 之间。
    3: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该第一颜色光为白光或 蓝光, 该第二颜色光为红光。
    4: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该第一发光二极管单元 包括一第一发光二极管, 该第二发光二极管包括一第二发光二极管, 该第二发光二极管的 一逆向偏压大于该第一发光二极管的一逆向偏压。
    5: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该第一发光二极管单元, 包括 : 多个发光二极管, 以并联及 / 或串连方式配置在该直流路径上。
    6: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该第二发光二极管单元, 包括 : 多个发光二极管, 以并联及 / 或串连方式配置在该第一交流路径上。
    7: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该整流电路, 还包括 : 一齐纳二极管, 配置在该第一交流路径上且与该第二发光二极管串连。
    8: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该整流电路, 还包括 : 一萧基二极管, 配置在该第一交流路径上且与该第二发光二极管串连。
    9: 根据权利要求 1 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 还包括一底板, 其中该整 流电路与该第一发光二极管单元分开设置于该底板的不同区域上。
    10: 根据权利要求 9 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该第一发光二极管单 元, 具有一成长基材及设置在该成长基材上且电性连接的多个发光二极管, 各该发光二极 管具有堆叠于该成长基材上之多个半导体层。
    11: 根据权利要求 1 所述之发光二极管照明装置, 其特征在于, 各该发光二极管还包括 一第一焊垫, 形成在该 n 型半导体层上, 以及一第二焊垫, 形成在一 p 型半导体层上。
    12: 根据权利要求 1 所述之发光二极管照明装置, 其特征在于, 该整流电路还包括由至 少四个整流元件所组成的一惠斯登电桥, 而各该整流元件分别设置在该底板上。
    13: 根据权利要求 12 所述之发光二极管照明装置, 其特征在于, 这些整流元件为萧基 二极管、 齐纳二极管、 硅半导体元件或 III-V 族化合物半导体元件。 2
    14: 根据权利要求 12 所述之发光二极管照明装置, 其特征在于, 该惠斯登电桥包括该 第一交流路径及一第二交流路径, 而该第二发光二极管单元、 一第一整流元件、 该第一发光 二极管单元及一第三整流元件位于该第一交流路径上并依序串联连接, 而一第四整流元 件、 该第一发光二极管单元及一第二整流元件位于该第二交流路径上并依序串联连接。
    15: 根据权利要求 14 所述之发光二极管照明装置, 其特征在于, 该整流电路还包括一 第一导电图案及一第二导电图案, 分别设置在该底板上, 该第一导电图案用以电性连接该 交流电源信号的一端与该第一整流元件及该第二整流元件, 而该第二导电图案用以电性连 接该交流电源信号的另一端与该第三整流元件及该第四整流元件。
    16: 根据权利要求 14 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该整流电路还包括一 第三导电图案及一第四导电图案, 分别设置在该底板上, 该第三导电图案用以电性连接该 发光二极管单元的一电极与该第一整流元件及该第四整流元件, 而该第四导电图案用以电 性连接该发光二极管单元的另一电极与该第二整流元件及该第三整流元件。
    17: 根据权利要求 10 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该成长基材的材料包 括蓝宝石、 碳化硅、 硅、 氧化锌、 砷化镓及尖晶石。
    18: 根据权利要求 10 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该底板由一热导材料 所构成。
    19: 根据权利要求 10 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该底板为一电路板、 一 硅基板、 一陶瓷基板或一金属基板。
    20: 根据权利要求 10 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该底板还包括有一散 热块, 该发光二极管单元设置于该散热块上, 用以提供该发光二极管芯片散热的途径。
    21: 根据权利要求 10 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 该第一发光二极管单 元还包括在这些发光二极管上设置至少一荧光粉材料。
    22: 根据权利要求 21 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 当这些发光二极管发 出的光为蓝光时, 该荧光粉材料为黄色荧光粉或红色荧光粉加绿色荧光粉。
    23: 根据权利要求 21 所述的发光二极管照明装置, 其特征在于, 当这些发光二极管发 出的光为紫外光时, 该荧光粉材料为黄色荧光粉加蓝色荧光粉或红色荧光粉加绿色荧光粉 再加蓝色荧光粉。

    说明书


    发光二极管照明装置

        技术领域 本发明是关于一种发光二极管照明装置, 且特别是关于一种具高演色性与高效率 的发光二极管照明装置。
         背景技术 随着光电科技不断发展, 属于发光源之一的发光二极管已大量应用在各种领域, 且在光电产业中占有举足轻重的地位。目前周遭一般可得的电力源为交流电, 由于交流电 的电压极性是随着时间不断交替改变, 因此, 难以直接运用于发光二极管上, 特别是若将发 光二极管应用在照明光源的用途上。
         中国台湾专利第 1302039 号提出一种具有交流回路发光二极管芯片结构, 包括有 一组交流微芯片发光二极管??樾纬捎谝恍酒?(Chip) 上, 且该交流微芯片发光二极管模 块由两微芯片发光二极管反向正负并联, 而可施加一交流电, 使两微芯片发光二极管依正 负半波作动点亮。
         然而, 在现有的具有交流回路的发光二极管芯片结构中, 由于各发光二极管微芯 片仅能在一各交流电周期内顺向或逆向偏压的条件下发光, 换言之, 在每一瞬间发光面积 仅占了芯片表面面积的一半, 而另一半面积中的微小芯片则不发光, 如此一来, 造成发光面 积的浪费。发明内容
         本发明的目的是提供一种发光二极管照明装置, 可提高发光效率与演色性。
         本发明提出一种发光二极管照明装置, 其包括第一发光二极管单元与整流电路。 整流电路包括第二发光二极管单元。第一发光二极管单元配置在直流路径上, 可用来发出 第一颜色光。整流电路耦接交流电源与第一发光二极管单元, 可用来提供直流电源信号至 直流路径。第二发光二极管单元配置在第一交流路径上且耦接于交流电源与直流路径之 间, 可用来发出第二颜色光并与第一颜色光进行混合, 藉以产生第三颜色光。
         在本发明的一实施例中, 发光二极管照明装置还包括第三至第五发光二极管单 元。第三发光二极管单元配置在第一交流路径上且耦接于交流电源与直流路径之间。第四 发光二极管单元配置在第二交流路径上且耦接于交流电源与直流路径之间。 第五发光二极 管单元配置在第二交流路径上且耦接于交流电源与直流路径之间。
         在本发明的一实施例中, 第一颜色光为白光或蓝光, 第二颜色光为红光。 在另一实 施例中, 第一发光二极管单元包括第一发光二极管。 第二发光二极管包括第二发光二极管。 第二发光二极管的逆向偏压大于第一发光二极管的逆向偏压。
         在本发明的一实施例中, 第一发光二极管单元包括多个发光二极管。上述发光二 极管以并联及 / 或串连方式配置在直流路径上。在另一实施例中, 第二发光二极管单元包 括多个发光二极管。上述发光二极管以并联及 / 或串连方式配置在第一交流路径上。
         在本发明的一实施例中, 整流电路还包括齐纳或萧基二极管。齐纳或萧基二极管配置在第一交流路径上且与第二发光二极管串连。
         在本发明的一实施例中, 发光二极管照明装置还包括底板, 其中整流电路与第一 发光二极管单元分开设置于底板的不同区域上。在另一实施例中, 第一发光二极管单元具 有成长基材及设置在成长基材上且电性连接的多个发光二极管, 各发光二极管具有堆叠于 成长基材上的多个半导体层。
         在本发明的一实施例中, 各发光二极管的半导体层包括 n 型半导体层、 主动层及 p 型半导体层, 且依次堆叠于成长基材上。在另一实施例中, 发光二极管还包括第一焊垫, 形 成在 n 型半导体层上, 以及第二焊垫, 形成在 p 型半导体层上。
         在本发明的一实施例中, 整流电路还包括由至少四个整流元件所组成的惠斯登电 桥, 而各整流元件分别设置在底板上。 在另一实施例中, 各整流元件分别以焊锡接合或黏胶 贴合而固定于底板上。在又一实施例中, 整流元件为萧基二极管或齐纳二极管。在又一实 施例中, 整流元件包括硅半导体元件或 III-V 族化合物半导体元件。
         在本发明的一实施例中, 惠斯登电桥包括第一交流路径及第二交流路径。第二发 光二极管单元、 第一整流元件、 第一发光二极管单元及第三整流元件位于第一交流路径上 并依序串联连接。第四整流元件、 第一发光二极管单元及第二整流元件位于第二交流路径 上并依序串联连接。
         在本发明的一实施例中, 整流电路还包括第一导电图案及第二导电图案, 分别设 置在底板上。 第一导电图案用以电性连接交流电源信号的一端与第一整流元件及第二整流 元件。第二导电图案用以电性连接交流电源信号的另一端与第三整流元件及第四整流元 件。
         在本发明的一实施例中, 整流电路还包括第三导电图案及第四导电图案, 分别设 置在底板上。 第三导电图案用以电性连接发光二极管单元的电极与第一整流元件及第四整 流元件。 第四导电图案用以电性连接发光二极管单元的另一电极与第二整流元件及第三整 流元件。
         在本发明的一实施例中, 成长基材的材料包括蓝宝石、 碳化硅、 硅、 氧化锌、 砷化镓 及尖晶石。在另一实施例中, 交流电源信号为 90-120 伏特、 180-240 伏特或 270-330 伏特。 在又一实施例中, 底板由热导材料所构成。 在再一实施例中, 底板为一电路板、 一硅基板、 一 陶瓷基板或一金属基板。 在另一实施例中, 底板还包括有散热块, 发光二极管单元设置于散 热块上, 用以提供发光二极管芯片散热的途径。
         在本发明的一实施例中, 发光二极管的半导体层的材料包括氮化镓、 铝氮化镓、 铟 氮化镓及铝铟氮化镓至少其中之一。在另一实施例中, 发光二极管的半导体层通过磊晶方 式形成。 在又一实施例中, 第一发光二极管单元通过焊锡接合或黏胶贴合而固定于底板上。 在又一实施例中, 第一发光二极管单元还包括在发光二极管上设置至少一荧光粉材料。
         在本发明的一实施例中, 发光二极管发出的光与荧光粉材料受激发所发出的光混 合成白光。在另一实施例中, 发光二极管发出的光包括蓝光及紫外光。在又一实施例中, 当 发光二极管发出的光为蓝光时, 荧光粉材料为黄色荧光粉或红色荧光粉加绿色荧光粉。当 发光二极管发出的光为紫外光时, 荧光粉材料为黄色荧光粉加蓝色荧光粉或红色荧光粉加 绿色荧光粉再加蓝色荧光粉。
         本发明相较于现有技术的有益技术效果是 : 本发明利用整流电路提供直流电源信号至具有第一发光二极管单元的一直流路径。另外, 在交流电路中的交流路径上配置第二 发光二极管单元, 此第二发光二极管不但可作为整流元件, 还可提高整体发光效率, 更可发 出不同于第一发光二极管单元的光藉以提升演色性。 附图说明
         为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂, 下面将结合附图对本发明的较佳实 施例作详细说明其中 :
         图 1 为本发明一实施例的一种发光二极管照明装置的俯视示意图。
         图 2 为图 1 的发光二极管照明装置的剖面示意图。
         图 3 为本发明另一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图。
         图 4 为本发明又一实施例的一种发光二极管照明装置的等效电路图。
         图 5 为本发明再一实施例的一种发光二极管照明装置的等效电路图。
         图 6 为本发明又一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图。
         图 7 为本发明更一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图。 具体实施方式 在本发明的实施例中, 发光二极管照明装置包括有整流电路与直流路径。由于发 光二极管照明装置使用了整流电路, 因此发光二极管照明装置可直接接收交流电源, 并提 供直流电源信号至直流路径。故配置在直流路径上的发光二极管单元能持续不断地发亮, 能提升发光二极管照明装置的发光效率。
         此外, 还可在整流电路中配置了发光二极管单元, 此发光二极管单元不但可用来 发光, 而且还能作为整流元件。 如此一来能进一步地提升整体发光效率, 还能节省整流元件 的成本。
         不仅如此, 当整流电路与直流路径分别配置可发出不同颜色的发光二极管单元 时, 能有效提升发光二极管照明装置的演色性。以下配合附图作更详细的说明。
         图 1 是本发明一实施例的发光二极管照明装置的俯视图, 图 2 为图 1 的发光二极 管照明装置的剖面示意图。首先, 请参阅图 1 及图 2, 本实施例的发光二极管照明装置主要 包括发光二极管单元 20 与整流电路 30。整流电路 30 包括至少一个发光二极管单元, 本实 施例以四个发光二极管单元为例进行说明, 分别为发光二极管单元 301 ~ 304。 发光二极管 单元 301 ~ 304 可组成惠斯登电桥 (Wheatston Bridge)。发光二极管单元 20、 301 ~ 304 分别可包括多个发光二极管。在其它实施例中, 整流电路 30 也可以是其它类型的桥式电 路。发光二极管单元 20、 301 ~ 304 例如是发光二极管阵列芯片。
         发光二极管单元 20 配置在直流路径上, 可用来发出第一颜色光, 例如蓝色光。发 光二极管单元 301 ~ 304 配置在交流路径上且耦接于交流电源 100 与直流路径之间, 可用 来发出第二颜色光, 例如红色光。若发光二极管单元 301 ~ 304 配置在发光二极管单元 20 的附近, 在视觉上发光二极管单元 301 ~ 304 所发出的第二颜色光会与发光二极管单元 20 所发出的第一颜色光产生混光效果, 并进而产生第三颜色光, 因此可有效提升发光二极管 照明装置的演色性。
         另一方面, 整流电路 30 耦接交流电源 100 与发光二极管单元 20, 可依据交流电源
         100 所提供的交流电源信号提供直流电源信号至直流路径。 在本实施例中, 交流电源信号可 为 90-120 伏特、 180-240 伏特或 270-330 伏特。值得一提的是, 发光二极管单元 301 ~ 304 不但能发光, 而且还可作为整流元件。举例来说, 当交流电源 100 提供正半波交流电时, 正 半波交流电分别会依序流经发光二极管单元 303、 20、 301 ; 当交流电源 100 提供负半波交流 电时, 负半波交流电分别会依序流经发光二极管单元 302、 20、 304。
         也就是说, 在正半波交流电期间, 发光二极管单元 303、 20、 301 会发光 ; 在负半波 交流电期间, 发光二极管单元 302、 20、 304 会发光。请注意, 用来作为整流元件的发光二极 管单元 301 ~ 304 也能用来发光, 而且发光二极管单元 20 在正、 负半波交流电都能发亮, 因 此能有效提升发光二极管照明装置的发光效率。
         图 3 为本发明另一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图。再从另一角度 来看, 整流电路 30 具有一第一电流路径 Ia 及一第二电流路径 Ib, 其中第一发光二极管单元 301、 发光二极管单元 20 及第三发光二极管单元 303 是位于第一电流路径 Ia 上并依序串联 连接, 而第四发光二极管单元 302、 发光二极管单元 20 及第二发光二极管单元 304 是位于 第二电流路径 Ib 上并依序串联连接。如此一来, 当施加交流电压信号于发光二极管照明装 置时, 在一时间点例如是正周期的情况下, 电流会流经第一路径 Ia 而导通发光二极管单元 20 并使其发光, 在下一时间点例如是负周期的情况下, 电流会流经第二路径 Ib 而导通发光 二极管单元 20 并使其发光, 因此, 在供应交流电压信号时, 经由整流电路 30 的第一发光二 极管单元 301、 第二发光二极管单元 302、 第三发光二极管单元 303 及第四发光二极管单元 304 的整流之后, 可以让发光二极管单元 20 的发光二极管导通, 故可以持续保持发光的状 态, 进而提升照明装置的整体发光效率。
         为了提升发光二极管单元 20 中的发光二极管的数量。在本实施例中, 发光二极管 单元 301 ~ 304 可分别串接多个发光二极管, 藉以分别提升发光二极管单元 301 ~ 304 的 逆向偏压。但本发明并不以此为限。
         一般来说, 可发出不同颜色光的发光二极管, 其逆向偏压也会不同。在本实施例 中, 发光二极管照明装置至少采用了可发出两种颜色光的发光二极管, 因此也可选择逆向 偏压较高的发光二极管来实现发光二极管单元 301 ~ 304, 藉以提升发光二极管单元 301 ~ 304 的逆向偏压。更具体地说, 在本实例中, 发光二极管单元 301 ~ 304 的发光二极管的逆 向偏压大于发光二极管单元 20 的发光二极管的逆向偏压。如此一来, 亦可提升发光二极管 单元 20 的发光二极管的数量。
         不仅如此, 在本实施例中, 整流电路 30 还包括一个或多个整流元件 ( 在此以 305 ~ 308 表示 )。更具体地说, 发光二极管单元 301 ~ 304 可分别串接一个或多个整流元 件 305 ~ 308, 藉以提升逆向偏压。 整流元件 305 ~ 308 例如是齐纳二极管 (Zener Diode)、 萧基二极管 (Schottky Barrier Diode, SBD)、 硅半导体元件或 III-V 族化合物半导体元件 ( 未绘示 )。 要说明的是, 由于硅半导体元件的逆向崩溃电压为 3000V-6000V, 而 III-V 族化 物半导体的逆向崩溃电压为 20V-30V, 因此使用硅半导体元件可以承受比较高的逆向突波, 进而提高发光二极管照明装置的信赖性。
         另外, 发光二极管照明装置也可包括一底板 10。在本实施例中, 整流电路 30 及发 光二极管单元 20 可设置于底板 10 上, 且整流电路 30 及发光二极管单元 20 通过导线 L 彼 此电性连接。但本发明并不以此为限, 在其它实施例中发光二极管单元 20 与整流电路 30也可配置在不同底板上。
         在本实施例中, 发光二极管单元 20 与整流电路 30 虽封装在一起, 但其仅是一种选 择实施例。在其它实施例中, 发光二极管单元 20 与整流电路 30 也可分别进行封装。
         在本实施例中, 底板 10 为一电路板、 一硅基板或是一陶瓷基板, 是用以承载发光 二极管单元 20 及整流电路 30, 陶瓷基板材料例如是氧化铝 (Al2O3)。在其它实施例中, 底板 10 内设置有一散热块 50, 而发光二极管单元 20 是设置在散热块 50 上, 因此, 当发光二极管 单元 20 于运作中产生热量时, 可通过散热块 50 迅速的将热能排除至装置之外, 如此一来, 提高了本发明的发光二极管照明装置的信赖性。 同理, 在其它实施例中, 也可在发光二极管 单元 301 ~ 304 的底下配置散热块。此外, 在其它实施例中, 底板 10 可以是由一导热材料 所构成, 例如是金属基板, 导热材料提供发光二极管单元 20 及整流电路 30 一良好的散热途 径。
         除此之外, 发光二极管单元 20 可包括一成长基材 21 及设置在成长基材 21 上且彼 此串联连接的第一发光二极管 20-1 至第 n 发光二极管 20-n。发光二极管可以是蓝光发光 二极管或是紫外光发光二极管, 蓝色发光二极管所发射的波长范围例如在 430nm-480nm, 而 紫外光发光二极管发射的波长范围例如在 360nm-415nm。每一发光二极管包括一依序堆叠 设置于成长基材 21 上的 n 型半导体层 25、 一主动层 26 及一 p 型半导体层 27。在本实施例 中, 成长基材 21 的材料可以例如是但不限于蓝宝石 (sapphire)、 碳化硅 (SiC)、 硅 (Si)、 氧 化锌 (ZnO)、 砷化镓 (GaAs) 及尖晶石 (MgAl2O4) 等, 而 n 型半导体层 25、 主动层 26 及 p 型 半导体层 27 的材料为二元、 三元或四元半导体材料, 其包括但不限制于氮化镓、 铝氮化镓、 铟氮化镓或铝铟氮化镓等等, 在其它实施例中, n 型半导体层 25、 主动层 26 及 p 型半导体 层 27 可以是由其它材料所构成。要说明的是, 本发明的发光二极管照明装置所使用的发光 二极管结构是以成长基材 21 做为基材, 并以磊晶的方式形成堆叠结构的 n 型半导体层 25、 主动层 26 及 p 型半导体层 27 在成长基材 21 上, 然而, 本发明的发光二极管的半导体层并 不限于以磊晶的方式制作, 其它本领域技术所熟知的半导体层沉积方法也在本发明的范畴 内。当然, 本实施例的发光二极管可以包括同质结构或是异质结构。此外, 本发明的照明装 置的每一发光二极管具有一第一焊垫 (bondingpad)28 及一第二焊垫 29 分别形成在 n 型半 导体层 25 上及 p 型半导体层 27 上, 第一发光二极管 20-1 的第一焊垫 20 是通过导线 L 与 邻近的发光二极管的第二焊垫 29 形成电性连接, 依此类推, 第 n-1 发光二极管的第一焊垫 是通过导线 L 与的第 n 个发光二极管 20-n 的第二焊垫 29 形成电性连接。
         另外, 本发明的发光二极管照明装置的发光二极管单元 20 是包括形成至少一荧 光粉材料层 22 在每一发光二极管上, 荧光粉材料层 22 形成的方式例如是使用气体喷涂、 超 声波震荡或是点胶的方法, 若是使用气体喷涂的方式, 在发光二极管单元 20 的每一发光二 极管的表面上是形成厚度均一 (conformal) 的荧光粉材料层 22。荧光粉材料层 22 内充填 有至少一种荧光粉材料, 荧光粉材料受到发光二极管单元 20 的激发之后会转换成与发光 二极管单元 20 所发射的不同波长的光, 例如是黄、 红、 绿的可见光。荧光粉材料层 22 的荧 光粉材料可以是钇铝石榴石掺杂锶, 例如是 TAG:Ce 或 YAG:Ce ; 或是以硅酸盐为基底的荧光 2+ 2+ 体, 例如是 (SrBa)SiO4:Eu 、 (SrBa)Si(OCl)4:Eu 、 (SrBa)SiO4-xClx:Eu2+ ; 或是氮氧化物荧 光体, 例如是 (SrBaCa)Si2O2N2、 (SrBaCa)Si2(OCl)2N2。
         在本发明的发光二极管照明装置中, 发光二极管单元 20 的发光二极管所发射的光源混合荧光粉材料层 22 的荧光粉材料经激发后转换的光源后会得到白光的照明装置, 例如当发光二极管发出的光为蓝光时, 荧光粉材料为黄色荧光粉, 或是当发光二极管发出 的光为蓝光时, 荧光粉材料为红色荧光粉加绿色荧光粉, 当发光二极管发出的光为紫外光 时, 荧光粉材料为黄色荧光粉加蓝色荧光粉或红色荧光粉加绿色荧光粉再加蓝色荧光粉。 此外, 在考虑到发光效率或演色性指数 (color renderingindex) 等因素的情况下, 可以选 择两种以上的荧光粉的组合。
         承接上述, 在完成发光二极管单元 20 的制作后, 是利用焊锡接合或黏胶贴合的方 式, 将发光二极管单元 20 固定于底板 10 上, 而整流电路 30 是同样设置于底板 10 上, 但与 发光二极管单元 20 位在不同的区域, 其中, 整流电路 30 是以焊锡接合或黏胶贴合的方式固 接于底板 10 上且与发光二极管单元 20 以一距离分开设置, 因此, 当整流电路 30 或是发光 二极管单元 20 损坏时, 仅需将装置中损坏的电子元件进行替换, 故在重工上简易许多。同 理可类推发光二极管单元 301 ~ 304 的具体实施方式, 在此不再赘述。
         除此之外, 发光二极管照明装置还包括一第一导电图案 40 及一第四导电图案 43, 分别设置在底板 10 上, 且第一导电图案 40 通过导线 L 与第一发光二极管单元 301 及第二 发光二极管单元 302 电性连接。交流电信号经由第一导电图案 40 输入至第一发光二极管 单元 301 并流经发光二极管单元 20 及第三发光二极管单元 303。第四导电图案 43 通过导 线 L 与第三发光二极管单元 303 及第四发光二极管单元 304 彼此电性连接, 交流电信号由 第四导电图案 43 输入至第四发光二极管单元 304, 并流经发光二极管单元 20 及第二发光二 极管单元 302。
         此外, 本发明的整流电路还包括一第二导电图案 41 及一第三导电图案 42, 分别设 置在底板 10 上, 第二导电图案 41 通过导线 L 电性连接发光二极管单元 20 的一电极与第一 发光二极管单元 301 及第四发光二极管单元 304, 而第三导电图案 42 通过导线 L 电性连接 发光二极管单元 20 的另一电极与第二发光二极管单元 302 及第三发光二极管单元 303。
         接着, 请参阅图 4, 为本发明又一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图。本 实施例与上述实施例不同之处在于, 发光二极管单元 20 中的发光二极管并不限于单排串 联连接, 图 4 中的发光二极管单元的发光二极管为双排串联阵列并联连接, 如此一来, 本发 明的照明装置中所使用的发光二极管可以是单色光或是多色光, 故可成长数量相同但具有 相同波长, 或以不同波长的发光二极管达到混光的效果。
         当然, 发光二极管单元 20 中的发光二极管不限于单排串联连接或是双排串联阵 列并联连接, 发光二极管彼此之间可以为串联及并联的连接方式所构成, 如图 6 及图 7 所 示。
         图 5 绘示为本发明再一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图, 其中发光二 极管单元 20 包括至少一第一群组及并联连接的多个第二群组, 第一群组与第二群组彼此 之间串联连接, 第一群组中具有两个串联连接的发光二极管, 分别位在第二群组的上下位 置, 而每一第二群组中具有多个串联连接的发光二极管。
         图 6 为本发明又一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图, 其中发光二极管 单元 20 包括串联连接的多个群组, 而每一群组中具有两个并联连接的发光二极管。图 7 为 本发明更一实施例的发光二极管照明装置的等效电路图, 其中发光二极管单元 20 包括串 联连接的多个第一群组, 在每一第一群组中具有并联连接的多个第二群组, 而在每一第二群组中又具有多个串联连接的发光二极管。同理可类推发光二极管单元 301 ~ 304 的具体 实施方式, 在此不再赘述。
         由于大部分的发光二极管单元的发光二极管是以单排串联连接, 如图 3 ; 或是双 排串联阵列并联连接, 如图 4 ; 或是同时有串联及并联的连接方式, 参考图 6 及图 7, 因此, 每 一发光二极管单元接收到的电压及电流将会固定, 如此一来, 可使得每一发光二极管预期 的寿命 (lift time) 大致相同。
         综上所述, 本发明的实施例的发光二极管照明装置包括了整流电路与配置在直流 路径的第一发光二极管单元。 配置于整流电路中的第二发光二极管单元不但可作为整流元 件还可提升整体发光效率。此外, 第二发光二极管单元发出的光还可与第一发光二极管单 元发出的光进行混光, 进而提升发光二极管照明装置的演色性。
         虽然本发明已以实施例揭露如上, 然而其并非用以限定本发明, 任何所属技术领 域中具有通常知识者, 在不脱离本发明的精神和范围内, 当可作出种种等同的改变或替换, 故本发明的?;し段У笔雍蟾降谋旧昵肴ɡ蠓段缍ǖ奈?。

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