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    光刻 装置 器件 制造 方法
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    摘要
    申请专利号:

    CN201110128559.9

    申请日:

    2007.03.19

    公开号:

    CN102207688A

    公开日:

    2011.10.05

    当前法律状态:

    终止

    有效性:

    无权

    法律详情: 专利权的视为放弃IPC(主分类):G03F 7/20放弃生效日:20111005|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20070319|||公开
    IPC分类号: G03F7/20 主分类号: G03F7/20
    申请人: ASML荷兰有限公司
    发明人: J·P·H·本肖普; H·巴特勒; N·R·肯帕; B·H·科克; F·范德穆伦; H·K·范德舒特
    地址: 荷兰费尔德霍芬
    优先权: 2006.03.20 US 11/378,627
    专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110128559.9

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2014.07.09|||2011.11.23|||2011.10.05

    法律状态类型:

    专利权的视为放弃|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    公开了一种光刻投影装置,其中在基底交换过程中利用遮蔽构件来遮挡该液体供给系统,从而在基底交换过程中确保液体与投影系统的一元件保持接触。该遮蔽构件与支撑投影系统的计量框架连接。通过这种方式,遮蔽构件的位置总是已知的。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种光刻投影装置,包括:
    投影系统,用于将图案从构图部件投影到基底上;
    液体供给系统,用于将液体供给至该投影系统的一元件与该基底之间的空间;
    遮蔽构件,基本上可定位成当将该基底从投影系统下方移走时确保该液体保持与所述元件接触;和
    基底台,用于支撑该基底并包括排液区域,该排液区域可移动至该液体供给系统下方的一位置,并且在该位置处可去除该遮蔽构件下方的液体。

    2.  根据权利要求1所述的光刻投影装置,其特征在于,该排液区域包括与出口,该出口连接至用于去除液体的低压源。

    3.  根据权利要求1所述的光刻投影装置,其特征在于,该排液区域包括与基底的顶表面基本上处于同一平面中的表面,所述排液区域的该表面的尺寸在平面图中至少与所述空间一样大。

    4.  一种光刻投影装置,包括:
    投影系统,用于将图案从构图部件透过液体投影到基底上;
    液体供给系统,用于供给液体;
    第一和第二基底台,每一基底台均用于保持基底;
    中间遮蔽构件,其在平面图中小于该液体供给系统将液体所供给到的区域,并且在与该基底大致平行的平面中是可移动的;
    控制器,其通过使第一和第二基底台一起在液体供给系统下方移动并且使该中间遮蔽构件定位在第一和第二基底台之间,从而控制由第一基底台保持的基底与由第二基底台保持的另一基底在投影系统下方进行的交换,而基本上不会从该液体供给系统损失液体。

    5.  一种器件制造方法,包括:
    用投影系统将图案化辐射束投影到基底上;
    用液体供给系统将液体供给至该投影系统的一元件与该基底之间的空间;
    在该投影之后,在移走该基底之前将遮蔽构件插在该投影系统下方,使得在移走该基底时该液体保持与该投影系统的所述元件接触;和
    用该液体供给系统的液体去除装置去除残留在该遮蔽构件下方的液体。

    6.  根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括在投影过程中使用该液体去除装置来密封该液体供给系统的阻挡构件与基底之间的空间。

    7.  一种器件制造方法,包括:
    用投影系统将图案化辐射束投影到基底台的基底上;
    用液体供给系统将液体供给至该投影系统的一元件与该基底之间的空间;
    在该投影之后,在移走该基底之前将遮蔽构件插在该投影系统下方,使得在移走该基底时该液体保持与该投影系统的所述元件接触;和
    使用布置在该基底台上且定位在该液体供给系统下方的排液区域来去除任何残留在该遮蔽构件下方的液体。

    8.  一种器件制造方法,包括:
    用投影系统将图案化辐射束投影到基底上;
    用液体供给系统将液体供给至该投影系统的一元件与该基底之间的空间;
    在该投影之后,朝着该投影系统平移该液体供给系统,并在移走该基底之前将遮蔽构件插在该投影系统下方,使得在移走该基底时该液体保持与该投影系统的所述元件接触。

    9.  一种光刻投影装置,包括:
    投影系统,用于将图案从构图部件投影到基底上;
    液体供给系统,用于将液体供给在该投影系统的元件与该基底之间的空间内;
    计量框架,用于支撑该投影系统,该计量框架安装至支撑所述装置的基座框架并与该基座框架在动力学上隔离开;
    遮蔽构件,基本上可定位成当将该基底从投影系统下方移走时确保该液体保持与所述元件接触;和致动器,用于定位该遮蔽构件,该致动器连接在该计量框架与该遮蔽构件之间。

    10.  一种光刻投影装置,其布置成将图案从构图部件透过液体投影到基底上,该装置包括:
    用于供给该液体的液体供给系统;和
    具有伸展状态和缩回状态的遮蔽构件,在该伸展状态中,该遮蔽构件可定位成当将该基底从投影系统下方移走时确保该液体保持与投影系统的一元件接触,其中,该投影系统用于投影所述图案;而在该缩回状态中,该遮蔽构件被卷起。

    说明书

    说明书光刻装置和器件制造方法
    本申请是于2007年3月19日递交的、申请号为“200710087811.X”、发明名称为“光刻装置和器件制造方法”的专利申请的分案申请。
    技术领域
    本发明涉及一种光刻装置和制造器件的方法。
    背景技术
    光刻装置是将所需的图案施加到基底上(通常是施加到基底的靶部上)的设备。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下,构图部件,或者可称为掩模(mask)或中间掩模(reticle),可用于产生形成在IC的单层上的电路图案。该图案可以被转移到基底(例如硅晶片)的靶部(例如包括一部分、一个或者多个管芯(die))上。这种图案的转移通常是通过成像到基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行的。一般而言,单个基底包含由被相继构图的相邻靶部构成的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器和扫描器,在步进器中,对每一靶部的辐照是通过一次性将整个图案曝光到该靶部上来进行的;在扫描器中,对每一靶部的辐照是通过沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案穿过一辐射束,并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描该基底?;箍梢酝ü及秆褂〉交咨隙淹及复庸雇疾考频交咨?。
    已经提出,将光刻投影装置中的基底浸入具有较高折射率的液体(例如水)中,以便填充投影系统的最末元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有较短的波长,因此这能够成像较小的特征部。(还认为该液体的作用可以增加该系统的有效NA以及增加聚焦深度。)也提出了其它浸液,包括其中悬浮有固体颗粒(如石英)的水。
    但是,将基底或基底和基底台浸没在液体浴槽(例如参见美国专利US4509852,在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光过程中必须使大量的液体加速。这需要附加的或功率更大的马达,并且液体中的湍流可能导致不期望和不可预料的影响。
    所提出的一种解决方案是,液体供给系统只在基底的局部区域上提供液体,并使用液体限制系统将液体限制在投影系统的该最末元件与基底之间(该基底通常具有比投影系统的最末元件更大的表面面积)。所提出这样布置的一种方式公开在WO99/49504中,在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示,通过至少一个入口IN将液体供给到基底上,优选沿基底相对于该最末元件的移动方向进行供给,在液体已经流过该投影系统下面之后,通过至少一个出口OUT将该液体排出。也就是说,当基底在该元件的下方沿-X方向被扫描时,在该元件的+X侧供给液体,并在-X侧吸走液体。图2示意性显示了该配置,其中,液体经由入口IN供给,并在该元件的另一侧由连接至低压源的出口OUT吸取。在图2的图示中,是沿基底相对于最末元件的移动方向来供给液体,不过不一定必须这样。位于该最末元件周围的各种定向和数量的入口和出口都是可以的,在图3中示出了一个例子,其中,在该最末元件周围以规则的图案在两侧上设置了四组入口和出口。
    所提出的另一种解决方案是,为液体供给系统提供密封元件,该密封元件沿着投影系统的最末元件与基底台之间的空间的至少一部分边界延伸。在图4中示出了这种解决方案。该密封元件相对于投影系统在XY平面中基本不动,不过在Z方向上(在光轴方向上)可以存在一些相对移动。在该密封元件与基底表面之间形成一种密封。优选地,该密封是无接触式密封,例如气体密封。这样一种带有气体密封的系统示出在图5中并公开在EP-A-1420298中。
    在EP-A-1420300中(在此将该文献全文引入作为参考)公开了一种双平台式浸液光刻装置的构想。这种装置具有两个支撑基底的平台。在第一位置处用一个平台在没有浸液的情况下进行水准测量,而在第二位置处用一个平台在存在浸液的情况下进行曝光?;蛘?,该装置仅具有一个平台。
    发明内容
    希望提供一种方式能够在基底交换过程中使浸液与投影系统的最末元件保持接触。
    根据本发明的一个实施例,提供一种使用投影系统将图案从构图部件透过浸液而投影到基底上的光刻投影装置,该装置包括:液体供给系统,用于将浸液供给至该投影系统的最末元件与基底之间的空间;计量框架,其支撑该投影系统并安装至支撑所述装置的基座框架,并与该基座框架在动力学上隔离开;遮蔽构件,基本上可定位成当将该基底从投影系统下方移走时确保该液体保持与该最末元件接触;和用于定位该遮蔽构件的致动器,该致动器连接在计量框架和遮蔽构件之间。
    根据本发明的一个实施例中,提供一种将图案从构图部件透过浸液投影到基底上的光刻投影装置,该装置包括:用于供给该浸液的液体供给系统;和具有伸展状态和缩回状态的遮蔽构件,其中,在伸展状态下,该遮蔽构件定位成当将该基底从投影系统下方移走时确保该液体保持与投影系统的最末元件接触,而在缩回状态下该遮蔽构件被卷起。
    根据本发明的一个实施例,提供一种使用投影系统将图案从构图部件透过浸液投影到基底上的光刻投影装置,该装置包括:液体供给系统,用于将浸液供给到投影系统的最末元件和基底之间的空间;遮蔽构件,基本上可定位成当将该基底从投影系统下方移走时确保该液体保持与该最末元件接触;和支撑基底并包括排液区域的基底台,该液体供给系统在定位在该排液区域之上,并且在该排液区域的位置去除遮蔽构件下方的浸液。
    根据本发明的一个实施例,提供一种使用投影系统将图案从构图部件透过浸液投影到基底上的光刻投影装置,该装置包括:用于供给浸液的液体供给系统;第一和第二基底台,每一基底台均用于保持基底;中间遮蔽构件,其在平面图中小于该液体供给系统将该浸液所供给到的区域,并且在与基底平行的平面中是可移动的;控制器,其通过使这两个基底台一起在该液体供给系统下方移动并且使该中间遮蔽构件定位在这两个基底台之间,从而控制一个基底与另一基底在投影系统下方进行的交换,而基本上不会从该液体供给系统释放液体。
    根据本发明的一个实施例,提供一种器件制造方法,包括:用投影系统将图案化辐射束透过浸液投影到基底上,所述浸液由液体供给系统提供到投影系统和基底之间,其中,在该投影之后,在移走基底之前将遮蔽构件插在该投影系统下方,使得在移走基底时该浸液保持与投影系统的最末元件接触,由液体去除装置从该液体供给系统去除任何残留在遮蔽构件下方的液体。
    根据本发明的一个实施例,提供一种器件制造方法,包括:用投影系统将图案化辐射束透过浸液投影到基底台的基底上,所述浸液由液体供给系统提供到投影系统和基底之间,其中,在该投影之后,在移走该基底之前将遮蔽构件插在该投影系统下方,使得在移走基底时浸液保持与投影系统的最末元件接触,由基底台上的排液区域去除任何残留在遮蔽构件下方的液体,液体供给系统定位在所述排液区域上方。
    根据本发明的一个实施例,提供一种器件制造方法,包括:用投影系统将图案化辐射束透过浸液投影到基底上,所述浸液由液体供给系统提供到投影系统和基底之间,其中,在该投影之后,朝着该投影系统平移该液体供给系统,并在移走该基底之前将遮蔽构件插在该投影系统下方,使得在移走该基底时该浸液保持与投影系统的最末元件接触。
    附图说明
    现在仅仅通过示例的方式,参考随附的示意图描述本发明的各个实施例,其中相同的参考标记表示相同的部件,其中:
    图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置;
    图2和3示出了一种用在常规光刻投影装置中的液体供给系统;
    图4示出了一种用在常规光刻投影装置中使用的液体供给系统;
    图5示出了根据本发明的一个实施例的另一种液体供给系统;
    图6以剖面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的装置;
    图7以平面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的遮蔽构件;
    图8以平面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的遮蔽构件的致动机构;
    图9以平面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的另一种遮蔽件和基底台;
    图10以平面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的另一种不同的遮蔽构件的使用;
    图11以剖面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的另一种遮蔽构件;
    图12示出了根据本发明的一个实施例的又一种布置;
    图13以剖面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的装置;和
    图14以剖面图的形式示出了根据本发明的一个实施例的装置。
    具体实施方式
    图1示意性地示出了依照本发明一个实施例的光刻装置。该装置包括:照明系统(照明器)IL,其构造成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射);支撑结构(例如掩模台)MT,其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA并与第一定位器PM连接,所述第一定位器PM构造成依照某些参数精确定位该构图部件;基底台(例如晶片台)WT,其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W并与第二定位器PW连接,所述第二定位器PW构造成依照某些参数精确定位该基底;和投影系统(例如折射投影透镜系统)PS,其构造成将由构图部件MA赋予辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。该装置还包括参照框架RF。
    该照明系统可以包括各种类型的光学部件来引导、成形或者控制辐射,这些光学部件诸如是:折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件,或者它们的任意组合。
    该支撑结构支撑该构图部件,即承载该构图部件的重量。该支撑结构保持该构图部件,其对该构图部件的保持方式取决于该构图部件的方位、光刻装置的设计以及其它条件,例如该构图部件是否保持在真空环境中。该支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持该构图部件。该支撑结构可以是框架或者工作台,例如所述支撑结构可根据需要而是固定的或者是活动的。该支撑结构可以确保构图部件例如相对于该投影系统位于所需位置。在这里,术语“中间掩?!被蛘摺把谀!钡娜魏问褂镁扇衔敫衔坏氖跤铩肮雇疾考蓖?。
    这里所使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够向辐射束的截面中赋以图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意,赋予给该辐射束的图案可以并不与基底靶部中的所需图案精确一致,例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般而言,赋予给该辐射束的图案对应于在靶部中形成的器件(如集成电路)内的特定功能层。
    该构图部件可以是透射型的或者反射型的。构图部件的例子包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的,其类型诸如是二元型、交替相移(alternating phase-shift)型、衰减相移型,以及各种混合掩模类型??杀喑谭瓷渚嫡罅械囊桓鍪纠捎眯⌒头瓷渚档木卣笈帕?,每个反射镜能够独立地倾斜,从而沿不同的方向对入射辐射束进行反射。这些倾斜的反射镜可以在被反射镜矩阵反射的辐射束中赋以图案。
    这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统,包括折射光学系统,反射光学系统、反射折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统,或其任何组合,以适合于所用的曝光辐射,或者适合于其它方面,如浸液的使用或真空的使用。在这里,术语“投影透镜”的任何使用均可被认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
    如这里所指出的,该装置为透射型(例如采用透射掩模)。做为选择,该装置也可以为反射型(例如采用上面提到的可编程反射镜阵列,或采用反射掩模)。
    该光刻装置可以具有两个(双平台)或者更多个基底台(和/或两个或更多个掩模台)。在这种“多平台式”装置中,可以并行使用这些附加的台,或者可以在一个或多个台上进行准备步骤,而一个或者多个其它台用于曝光。
    参照图1,照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是分立的机构,例如当该辐射源是准分子激光器时。在这样的情况下,不把辐射源看成是构成了该光刻装置的一部分,辐射束借助于束输送系统BD从辐射源SO传输到照明器IL,所述束输送系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下,该辐射源可以是该光刻装置的组成部分,例如当该辐射源是汞灯时。该辐射源SO和照明器IL(如果需要可以连同该束输送系统BD一起)可以被称作辐射系统。
    照明器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节装置AD。一般而言,至少可以调节照明器光瞳平面内强度分布的外径向范围和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外,照明器IL可以包括各种其它部件,如积分器IN和聚光器CO。该照明器可以用于调节辐射束,从而使该辐射束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。
    该辐射束B入射到保持在该支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件(如掩模MA)上,并由构图部件进行构图。穿过掩模MA后,辐射束B通过投影系统PS,该投影系统将该辐射束聚焦在基底W的靶部C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器),可以精确地移动该基底台WT,从而例如将不同的靶部C定位在辐射束B的路径中。类似地,例如在从掩??庵谢等〕鲅谀A后或在扫描期间,可以使用第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确示出)来相对于辐射束B的路径精确定位该掩模MA。一般而言,借助于长行程???粗略定位)和短行程???精细定位),可以实现该掩模台MT的移动,所述长行程??楹投绦谐棠?楣钩傻谝欢ㄎ黄鱌M的一部分。类似地,利用长行程??楹投绦谐棠?橐部梢允迪只滋╓T的移动,所述长行程??楹投绦谐棠?楣钩傻诙ㄎ黄鱌M的一部分。在步进器的情况下(这与使用扫描装置的情况相反),掩模台MT可以只与短行程致动器连接或者可以被固定??梢允褂醚谀6宰急昙荕1、M2和基底对准标记P1、P2来将该掩模MA与基底W对准。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部,但是它们也可以设置在各个靶部之间的空间中(这些空间被称为划片线(scribe-lane)对准标记)。类似地,在有多于一个的管芯设在掩模MA上的情况下,可以将该掩模对准标记设在这些管芯之间。
    可以按照下列模式中的至少一种使用所示的装置:
    1.在步进模式中,掩模台MT和基底台WT保持基本不动,而赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动该基底台WT,以便可以曝光不同的靶部C。在步进模式中,曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
    2.在扫描模式中,掩模台MT和基底台WT被同步扫描,同时,赋予辐射束的图案被投影到靶部C上(即单次动态曝光)?;滋╓T相对于掩模台MT的速度和方向可以由投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中,曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向),而扫描移动的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
    3.在另一模式中,掩模台MT保持基本不动,并且保持一可编程构图部件,而基底台WT被移动或扫描,同时,赋予辐射束的图案被投影到靶部C上。在这种模式中,一般采用脉冲辐射源,并且,在每次移动基底台WT之后,或者在扫描期间相继的辐射脉冲之间,根据需要更新该可编程构图部件。这种工作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中,所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列类型。
    还可以采用上述使用模式的组合和/或变化,或者也可以采用完全不同的使用模式。
    图5示出了在本发明的一个实施例中使用的液体供给系统。然而,本发明的实施例可以应用于所有类型的液体供给系统,例如将液体供给到基底的局部区域的那些液体供给系统,诸如图2至4中的液体供给系统。然而,本发明的实施例同样可以应用于其它类型的液体供给系统,例如将浸液提供到基底台的顶表面的局部区域的那些液体供给系统。
    在图5所示的液体供给系统中,在阻挡构件12和基底W的顶表面之间形成密封,用于将液体容纳在投影系统PS和基底W之间的空间11中。在该液体供给系统中,气流16对形成该密封是有效的??梢允褂闷渌低忱葱纬筛妹芊?。例如,从阻挡构件12的底表面的最内边缘沿径向向外开始,可以顺序地由单相液体吸取器、用于形成气体漩涡的凹口以及气刀构成一种密封。这种组合在提供有效密封方面是有效的。
    然而,利用这些类型的液体供给系统,当从投影系统PS下方移走基底W时,例如在基底交换过程中,由于部分空间11由基底台或放置在基底台WT上的其它物体的顶表面形成,因此浸液可能会流出该空间11。这将导致干斑(drying stain)出现在投影系统PS的最末元件上,它对该最末元件的成像质量具有不利的影响。
    一种克服该问题的方式是将遮蔽构件或类似的表面放置在投影系统PS下方,以在基底交换过程中代替该基底W。这样,可以认为该遮蔽构件是一种模型基底(dummy substrate)。通过这种方式,当该遮蔽构件在该投影系统PS下方就位并且在阻挡构件12和该遮蔽构件之间形成密封时,形成于阻挡构件12和基底W之间的密封可保持在激活状态下,从而即使在基底交换过程中也使投影系统PS的最末元件保持湿润。
    以前已经提出了将遮蔽构件放置在基底台WT上的思想。在这种情况下,该遮蔽构件的尺寸比基底W小,但是足以在阻挡构件12中投影束B所经过的整个内部间隙上延伸。这样,可以在阻挡构件12和遮蔽构件之间形成密封。这种遮蔽构件可按下面的方式来使用:在对基底W成像之后,移动该基底台WT使得遮蔽构件(其处于基底台上)定位在投影系统PS下方。然后将该遮蔽构件附着至液体供给系统,这就把液体密封在空间11中。接着移走该基底台WT并将相邻的基底台移动至投影系统下方。将该遮蔽构件放置在基底台WT上,然后移动该基底台使得新的基底W位于投影系统下方。在该系统中,正如本发明的一个实施例中一样,可以在液体供给系统和遮蔽构件之间使用与液体供给系统和基底之间相同的密封,但是也可以不是这样,可以使用实体类型(physical type)的密封(接触)。
    利用上面的系统,该过程是非常耗时的,因此会不利地影响处理能力。此外在定位遮蔽构件中产生的误差会随时间累积,使得不能可靠地跟踪该遮蔽构件的位置。
    图6示出了本发明的一个实施例。由基座框架BF将光刻装置支撑在地面上。一计量框架或者说参考框架RF安装至该基座框架BF,并通过机械隔离装置30(如缓冲器)与基座框架BF的振动隔离开。这样,该计量框架RF与基座框架BF在动力学上隔离开。支撑基底W的基底台WT由基座框架BF支撑。投影系统PS由计量框架RF支撑,辐射束B可穿过该投影系统。包括阻挡构件12在内的液体供给系统或者支撑在基底W上,或者可以支撑在计量框架RF上。该液体供给系统可以在xy平面中平移,该xy平面是垂直于该装置的光轴的平面。此外,该基底台可在z方向上移动。
    在图6的实施例中示出了遮蔽构件50。该遮蔽构件50与基底台WT分开(优选具有至少两个基底台),并可由致动器100来驱动该遮蔽构件50,使得遮蔽构件50能够定位在投影系统PS下方,由此以与模型基底相同的方式封锁该空间11??商婊坏?,可以如下面参考图12所描述的那样将该遮蔽构件50插入该液体供给系统中。通过这种方式,当基底W从投影系统PS下方移动时,浸液与投影系统PS的最末元件保持接触,由此避免在该最末元件上形成干斑。
    该遮蔽构件可以通过无线的方式进行控制。
    这样,该遮蔽构件50由致动器100主动地进行控制。该致动器100连接在计量框架RF和遮蔽构件50之间,使得遮蔽构件50相对于投影系统PS的位置总是精确已知的,并且不会因为拾起和放下遮蔽构件50而引入误差。该致动器100从不释放该遮蔽构件50。该实施例或任何其它实施例的遮蔽构件可以连接在基座框架BF上,而不是连接到计量框架RF上。
    如图6所示,该遮蔽构件50由单个元件构成。然而,也可以不是这样,如图7所示,该遮蔽构件由一个以上的元件构成,例如下面描述所的两个元件。该致动器100可以使该遮蔽构件50平移和/或旋转,并且在图8和图9中示出了旋转和平移的组合的两个示例。
    为了将遮蔽构件50定位在投影系统PS下方并由此防止浸液从空间11中泄漏,可以在基底W或基底台WT或安装在基底台WT上的物体仍然还定位在投影系统下方的时候就将该遮蔽构件50插入就位。这可以在朝着投影系统致动该液体供给系统的情况下(即,基本上沿光轴方向在z轴上远离该基底)实现,也可以不在该情况下实现。在移走基底W之前将遮蔽构件50放置在投影系统PS下方的情况下,有益的是将基底台WT放置成使得排液区域200定位在投影系统PS下方。这是因为,当将遮蔽构件50插在液体供给系统和基底台WT之间时,液体能够残留在遮蔽构件50和基底台WT之间。该排液区域200具有与低压源连接的出口210,从而能够去除任何这种残留液体。该排液区域足够大以便能够包围该空间11的整个覆盖区域??梢栽谕?2所示的实施例中使用类似的排液区域,该图12的实施例中,遮蔽构件50插在投影系统PS与液体供给系统的底部之间(该液体供给系统通常和基底W一起形成密封),即,该遮蔽构件50不是定位在液体供给系统下方,这样,在该遮蔽构件50与该液体供给系统之间不会形成通常与基底W一起形成的那种密封。下文参考图12描述了去除这种在该实施例中残留液体的另一个方法。
    一种可替换的系统涉及将基底台WT从投影系统下方移出,同时将遮蔽构件50移动到投影系统PS下方的一个位置;遮蔽构件50的前缘(即最先通过投影系统下方的边缘)紧随基底台WT的尾缘(即最后通过投影系统PS下方的边缘),使得在基底台WT和遮蔽构件50之间优选保留尽可能小的间隙。这允许在密封基底W和遮蔽构件50之间实现对阻挡构件12密封的无缝过渡,而不需要关闭该液体供给系统。图9示出了如何实现该实施例。如果基底台WT的边缘的顶表面与遮蔽构件50是共面的,那么这种过渡在不改变液体供给系统运行状态的情况下是最容易实现的。这一系列动作的实现可以伴随有或者并不伴随有该遮蔽构件50在z方向上的移动,该遮蔽构件50在z方向上的移动是为了能够将遮蔽构件50的顶表面定位在与基底W的顶表面和基底台WT的顶表面相同的平面中。该实施例与在图10和11中所示的实施例类似。
    该遮蔽构件50可以由任何材料构成,例如不锈钢。此外,该遮蔽构件50的顶表面也可以涂覆一种材料,该材料至少部分是液体或者对于该浸液是疏水的。一种这样的材料是聚四氟乙烯(PTFE)。例如,浸液可具有超过45°、超过70°、超过90°、100°、110°、120°的接触角。
    该遮蔽构件50的移动受控制器的控制,该控制器根据上述方法使基底台和遮蔽构件的移动同步。
    在一个实施例中可以没有致动器100,基底台WT具有一机构,该机构构造成这样,即,当基底台WT从投影系统PS下方移离时,该机构将遮蔽构件50拉到投影系统PS下方。然后,要抵达的下一个基底台将该遮蔽构件50推开。合适的机构可以是磁性的,以允许将该遮蔽构件选择性地附着在基底台WT或真空吸引装置上。在这种情况下,该遮蔽构件50简单地机械安装至该计量框架RF。
    图7以平面图的形式示出了本发明的一个实施例。标记为15的圆形阴影区域表示该空间11的覆盖区域,并被认为是在任一时刻被覆盖在浸液中的区域。
    在图7所示的实施例中,该遮蔽构件包括两个片体501、502。每一片体分别由一致动器(未示出)致动,并通过该致动器与计量框架RF连接。片体501、502在未被使用时以缩回状态或结构而定位在液体供给系统10(未在图7中示出)两侧上。当起动这些片体时,可选地,该液体供给系统可朝着该投影系统向上移动,以在该液体供给系统和基底W之间获得更大的空间,并使片体501、502向内移动并在它们的最内侧边缘会合,由此密封该空间。在该实施例中,这些片体可以穿过按照图5的液体供给系统的阻挡构件12,或者它们可以定位在阻挡构件12内侧。在这种情况下,在闭合片体501、502之后会在基底台WT上残留少量的水,图12中描述了一种去除该残留水的方法。也可以使用图6示出的排液区域200来去除水。
    在如所有其它实施例中一样的该实施例中,在从投影系统下方移走该遮蔽构件之后,可以在清洁/干燥站对该遮蔽构件进行清洁和/或干燥,从而避免可能导致污染的干斑。
    图8示出了一个实施例,除了下面所描述的之外,它与图6中示出的实施例相同。在图8的实施例中,致动器100可有效地使与遮蔽构件50连接的杠杆臂55旋转。该杠杆臂55围绕一点进行旋转,所围绕的点相对于杠杆臂与遮蔽构件50的连接点来说处于远侧,所进行的旋转可有效地使遮蔽构件50从尚未被定位在投影系统PS下方的位置(已示出)旋转和平移到其被定位在投影系统PS下方的位置。
    除了下面所描述的之外,图9所示的实施例与图6所示的实施例相同。在图9所示的实施例中,遮蔽构件50和致动机构设计成与基底台WT在投影系统PS下方同时移动。这样,就提供了两个致动器100、110,一个致动器100用于使杠杆臂55旋转,另一个致动器110用于使该遮蔽构件50相对杠杆臂55旋转,使得当基底台WT从投影系统PS下方移动并且遮蔽构件50同时移动以取代其位置时,该遮蔽构件50的前缘51邻接或紧邻基底台WT的尾缘40。在一个备选实施例中,可以省略第二致动器110,遮蔽构件50围绕点110的旋转可以通过与离开的基底台WT的相互作用来实现。
    另一个实施例如图10所示。在该实施例中,与其它实施例不同,该遮蔽构件70的大小并不足以用其本身覆盖该空间11的覆盖区域15。该遮蔽构件70足够长,使得它(至少)在一个维度上比该覆盖区域15长,并且它还可以安装至该计量框架RF并从该计量框架RF致动。
    第一基底台WT1的尾缘72紧接在遮蔽构件70的前缘71之前。遮蔽构件70的尾缘紧接在第二基底台WT2的前缘之前。这样,通过从投影系统PS下方移出第一基底台WT1,并用遮蔽构件70替换该第一基底台,可以在投影系统PS下方实现一个基底W1(未在图10中示出)与另一个基底W2(未在图10中示出)的转换。当遮蔽构件70在投影系统下方移动时,第二基底台WT2跟随该遮蔽构件。这样,该覆盖区域15同时覆盖了第一和第二基底台的一部分以及该遮蔽构件70。然而,该遮蔽构件70可以足够大,使得这种情况不会发生,而是该覆盖区域或者是仅覆盖基底台WT1或基底台WT2,或者是覆盖遮蔽构件70和第一基底台WT1这两者或覆盖遮蔽构件70和第二基底台WT2这两者。该实施例的益处在于,第一和第二基底台WT1、WT2不必定位得彼此特别靠近,从而使得一个基底台不太可能和另一个基底台发生碰撞。即使该遮蔽构件70足够大到覆盖了该覆盖区域15,类似的一系列动作也是可能的。
    在图10的实施例中,该光刻装置包括一控制器,其配置成这样,即,其通过使第一和第二基底台一起在液体供给系统下方移动并且使该中间遮蔽构件定位在第一和第二基底台之间,从而控制由第一基底台WT1保持的基底与由第二基底台WT2保持的另一基底在投影系统下方进行的交换,而基本上不会从该液体供给系统损失液体。
    图11示出了根据本发明的另一个实施例的光刻装置。除了下面所描述的之外,图11的实施例与图6的实施例相同。在图6的实施例中,该遮蔽构件50由相对硬的板构成。相反,在图11的实施例中,该遮蔽构件50由这样一种构件来提供,该构件在缩回状态或结构中时卷在其自身上(可选地围绕着一个辊),并且该构件通过展开而延伸到伸展位置(如所示出的)。该实施例可以被使用成使得该遮蔽构件的前缘跟随从投影系统PS下方移出的基底台WT的尾缘,或者可以在基底台WT保持在投影系统PS下方且同时该遮蔽构件本身定位在投影系统PS下方的实施例中使用。如图6的实施例一样,该遮蔽构件安装至该计量框架RF。然而,该系统可以如下文所述那样由基底台自身来致动,或者可以与第一实施例类似的方式利用连接至计量框架RF的致动器来致动。
    图11实施例的遮蔽构件围绕辊600卷在缩回位置,在该缩回位置,该遮蔽构件没有定位在投影系统PS下方。该遮蔽构件包括薄片610,当从辊600上展开该薄片时,该薄片可在投影系统PS下方伸展。这可以通过将该薄片的前缘620拉离该辊而使得剩余的薄片从辊600上展开而得以实现。然后,所展开的薄片610的顶表面提供一表面,阻挡构件12的密封部抵靠该表面进行密封。然后,利用阻挡构件12的底表面上的低压源或者利用另一系统(如磁力)将薄片610附着或吸引到阻挡构件12的下侧。
    如前所述,可以利用安装至计量框架的致动器将薄片610从辊600上展开??商婊坏?,该薄片610的前缘620可以连接至基底台WT(例如利用磁耦合器在尾缘处进行连接)。当下一个基底就位时或者下一个基底台到达时,薄片610可以通过其自身的致动器或者通过由新到达的基底台WT推动而缩回。
    该薄片610可以由不锈钢制成,为了提高对该遮蔽构件的清洁和/或干燥,该不锈钢或许可以具有涂层。
    图12示出了一个可以应用于所有其它实施例的特征。在图12所示的实施例中,一个或多个遮蔽构件不是定位在该液体供给系统下方并处于液体供给系统和基底W之间,而是定位在该液体供给系统中。这可以与阻挡式液体供给系统(如在图4和5中所示的那些液体供给系统)一起工作。该遮蔽构件可以是液体供给系统的一部分,并且可以用安装至该计量框架RF或投影系统PS的致动器来驱动。
    这样,阻挡构件12具有通道120,遮蔽构件50能穿过该通道而插入,这样,该遮蔽构件将图5所示的空间11分成两个区域,一个区域位于遮蔽构件50上方和投影系统PS下方,第二区域位于遮蔽构件50下方和阻挡构件12的底表面的上方。在一些情况下,处于缩回位置的遮蔽构件50(其可以由一个以上元件构成)可以保持在该阻挡构件12的内部,而在其它实施例中,如在图12所示的实施例中,当遮蔽构件50处于缩回位置时位于阻挡构件12的外部。
    特别是在该实施例中,该遮蔽构件由一个以上的元件构成。
    在该实施例中,一些液体将保持在遮蔽构件50的下方并处于遮蔽构件50和基底W之间。该残留液体需要被去除。上面已经参考图6所示的实施例描述了一种去除该液体的方法,它是利用在基底台WT上提供排液区域200。在图12的实施例中,遮蔽构件50实际上布置在阻挡构件12中,可以在该阻挡构件12上提供液体去除装置(该液体去除装置可以构成通常的密封系统的一部分而在阻挡构件12和基底W之间形成密封,或者该液体去除装置也可以不构成该密封系统的一部分),用于去除该残留液体。使用这种密封件来去除该残留水需要基底台WT在投影系统PS下方四处移动,使得所有被残留水所覆盖的区域都被带到该密封系统的吸取器14(参见图5)的下方。为了避免产生真空,期望的是将由阻挡构件12和遮蔽构件50所围绕的空间对大气敞开,从而避免液体保持在该空间中。此外,还期望的是向该区域提供气流以吹除附着在该板50的下侧或附着在阻挡构件12的内侧壁上的任何液滴,其中,所述阻挡构件的内侧壁限定了该空间。
    图13示出了根据一个实施例的光刻装置,该实施例与图6的实施例相同,除了致动器100安装在投影系统和遮蔽构件50之间,使得致动器通过投影系统安装至该计量框架RF。
    图14示出了根据一个实施例的光刻装置,该实施例与图6的实施例相同,除了致动器100安装至该液体供给系统(该液体供给系统自身活动地安装至该计量框架)。这与诸如图4或5的阻挡构件12型液体供给系统特别相关。如所示出的,该遮蔽构件不穿过该阻挡构件12,但是它也可以穿过该阻挡构件。
    上述任何一个实施例中的任何特征都可以组合到或增加到上述任何一个实施例中。
    尽管在本申请中可以具体参考该光刻装置在IC制造中的使用,但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用,例如,用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解,在这种可替换的用途范围中,这里任何术语“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以与更上位的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后,可以在例如匀胶显影机(track,通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方,这里的公开可应用于这种和其它基底处理工具。另外,例如为了形成多层IC,可以对基底进行多次处理,因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。
    这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射,包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365,248,193,157或者126nm的波长)。
    在本申请允许的地方,术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任意一种或组合,包括折射光学部件和反射光学部件。
    尽管上面已经描述了本发明的具体实施例,但是应该理解,可以以不同于所描述的其它方式来实施本发明。例如,本发明可以采取计算机程序的形式,该计算机程序包含描述了上面所公开方法的一个或多个序列的机器可读指令,或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
    本发明可以应用于任何浸液光刻装置,特别是但不局限于上面所提到的那些类型。
    上面的描述是为了说明性的而非限制性的。因此,对本领域技术人员来说显而易见的是,在不脱离下面罗列的权利要求的范围的情况下,可以对所描述的发明进行各种修改。

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