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    重庆时时彩杀单双大小: 非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201010117126.9

    申请日:

    2010.03.03

    公开号:

    CN102194017A

    公开日:

    2011.09.21

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20100303|||公开
    IPC分类号: G06F17/50 主分类号: G06F17/50
    申请人: 复旦大学
    发明人: 曾璇; 杨帆; 潘晓达
    地址: 200433 上海市邯郸路220号
    优先权:
    专利代理机构: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 包兆宜
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201010117126.9

    授权公告号:

    102194017B||||||

    法律状态公告日:

    2013.01.02|||2011.12.28|||2011.09.21

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明属集成电路领域,涉及一种集成电路非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法。该方法通过建立非线性电路的晶体管级分段线性模型,通过加权方法从所有晶体管的分段线性模型得到整个电路的模型,在此基础上对晶体管级分段线性模型进行降阶。本发明解决了现有技术基于“轨?!钡姆侄蜗咝苑窍咝阅P徒到姿嬖诘目占涓哺锹市〉奈侍?,显著提高轨迹分段线性方法在高维状态空间的覆盖率。如使用完整的晶体管分段线性模型,获得的分段线性模型可以完整地覆盖所有的状态空间而不依赖于“训练”信号。

    权利要求书

    1.一种非线性电路的晶体管级分段线性建模及模型降阶方法,其特征在于,其包括如下步骤:步骤1:将非线性系统的线性化模型通过stamp方法表示为非线性电路中所有晶体管和线性元件的贡献的组合形式;步骤2:构造每个晶体管的分段线性模型,并通过加权函数组合在一起,构成整个非线性电路的分段线性模型;步骤3:对非线性电路的晶体管级的分段线性模型进行投影降阶,获得降阶模型。2.按权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1中,所述非线性系统的线性化模型表示为C(x)d(x(t))dt+G(x)x(t)+I(x)=Bu(t)]]>其中C和G分别是f(x)和g(x)的雅可比矩阵,I(x)=f(x)-G(x)x。3.按权利要求2所述的方法,其特征在于,矩阵C、G和矢量I分别表示为:C(x)=CL+Σi=1NCmi(x)]]>G(x)=GL+Σi=1NGmi(x)]]>I(x)=IL+Σi=1NImi(x)]]>其中CL,GL和IL代表线性元件的贡献,Cmi,Gmi和Imi表示第i个晶体管对矩阵的贡献,N表示电路中的晶体管数目;CL和GL是常矩阵,IL是常向量,Cmi,Gmi和Imi是关于x的函数,表示非线性元件的贡献。4.按权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤2中,所述非线性电路中第i个晶体管的分段线性模型表示为Cmi(x)=Σj=1Nwj(x,Vj)Ctj(Vj)]]>Gmi(x)=Σj=1Nwj(x,Vj)Gtj(Vj)]]>Imi(x)=Σj=1Nwj(x,Vj)Itj(Vj)]]>其中Vj=[Vgsj,Vdsj,Vbsj]T,Ctj(Vj),Gtj(Vj)和Itj(Vj)表示MOSFET元件在相对电压Vgs=Vgsj,Vbs=Vbsj,Vbs=Vbsj时对电路方程的贡献;权重函数wj(x,Vj)定义为:wj(x,Vj)=e-βj||Dmix-Vj||]]>其中βj对于第j展开点Vj=[Vgsj,Vdsj,Vbsj]T是一个常数,Dmi是第i个MOSFET元件的关联矩阵,将状态向量x与Vgs,Vds和Vbs相关联。5.按权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3中,当投影空间为Q,权利要求4所述的分段线性模型被投影在投影空间Q上,QTCmiQ=Σj=1Nwj(Qx%,Vj)QTCtj(Vj)Q]]>QTGmiQ=Σj=1Nwj(Qx%,Vj)QTGtj(Vj)Q]]>QTImiQ=Σj=1Nwj(Qx%,Vj)QTItj(Vj)Q]]>其中Q∈RM×q,M和q分别表示系统的原阶数和降阶后的阶数。

    关 键 词:
    非线性 电路 晶体管 分段 线性 建模 模型 方法
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