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    基准 电压 生成 电路
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    摘要
    申请专利号:

    CN201010130270.6

    申请日:

    2010.03.12

    公开号:

    CN102193576A

    公开日:

    2011.09.21

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||专利申请权的转移IPC(主分类):G05F 3/08变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上?;绾炅Π氲继逯圃煊邢薰颈涓孪?地址变更前权利人:201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140219|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 3/08申请日:20100312|||公开
    IPC分类号: G05F3/08 主分类号: G05F3/08
    申请人: 上海宏力半导体制造有限公司
    发明人: 杨光军; 许丹
    地址: 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号
    优先权:
    专利代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
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    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201010130270.6

    授权公告号:

    102193576B|||||||||

    法律状态公告日:

    2015.01.21|||2014.03.12|||2013.01.30|||2011.09.21

    法律状态类型:

    授权|||专利申请权、专利权的转移|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供一种基准电压生成电路,包括:基准电压电路,用于向集成电路提供基准电压;所述基准电压生成电路还包括:钳位电路,在第一工作电压下工作,输出第一输入电压;选择电路,在所述基准电压电路开始工作的第一时间内,将所述第一输入电压提供给所述基准电压电路作为工作电压,在所述基准电压电路开始工作的第一时间后,将稳定电压提供给所述基准电压电路作为工作电压,所述稳定电压为所述集成电路的工作电压。本发明方法通过将稳定电压作为所述基准电压电路的工作电压,增加生成的基准电压的精准度,提高集成电路的稳定性。

    权利要求书

    1.一种基准电压生成电路,包括:基准电压电路,用于向集成电路提供基准电压;其特征在于,还包括:钳位电路,在第一工作电压下工作,输出第一输入电压;选择电路,在所述基准电压电路开始工作的第一时间内,将所述第一输入电压提供给所述基准电压电路作为工作电压,在所述基准电压电路开始工作的第一时间后,将稳定电压提供给所述基准电压电路作为工作电压,所述稳定电压为所述集成电路的工作电压。2.根据权利要求1所述基准电压生成电路,其特征在于,所述选择电路包括:第一反相器,输入控制信号,输出反相控制信号;第一PMOS晶体管,栅极输入所述反相控制信号,源极输入所述稳定电压,漏极连接所述选择电路的输出端;第二PMOS晶体管,栅极输入所述控制信号,源极输入所述第一输入电压,漏极连接所述选择电路的输出端,所述控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间内开启所述第二PMOS晶体管,所述反相控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间后开启所述第一PMOS晶体管。3.根据权利要求1所述基准电压生成电路,其特征在于,所述选择电路包括:第一反相器,输入控制信号,输出反相控制信号;第一NMOS晶体管,栅极输入所述反相控制信号,源极输入所述稳定电压,漏极连接所述选择电路的输出端;第二NMOS晶体管,栅极输入所述控制信号,源极输入所述第一输入电压,漏极连接所述选择电路的输出端,所述控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间内开启所述第二NMOS晶体管,所述反相控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间后开启所述第一NMOS晶体管。4.根据权利要求1所述基准电压生成电路,其特征在于,所述选择电路包括:NMOS晶体管,栅极输入控制信号,源极输入所述稳定电压,漏极连接所述选择电路的输出端;PMOS晶体管,栅极输入控制信号,源极输入所述第一输入电压,漏极连接所述选择电路的输出端,所述控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间内开启所述PMOS晶体管,在所述基准电压电路开始工作的第一时间后开启所述NMOS晶体管。5.根据权利要求2至4任一项所述基准电压生成电路,其特征在于,还包括提供所述控制信号的延时电路,所述延时电路包括:振荡器,由使能信号控制开启,通过振荡输出时钟信号,所述使能信号用于开启所述基准电压电路;计数器,对所述时钟信号计数,输出所述控制信号。6.根据权利要求2至4任一项所述基准电压生成电路,其特征在于,还包括提供所述控制信号的比较电路,所述比较电路比较所述稳定电压和第一输入电压,输出所述控制信号。7.根据权利要求2至4任一项所述基准电压生成电路,其特征在于,所述钳位电路包括:第一开关晶体管,栅极输入开关信号,源极输入所述第一工作电压,漏极输出所述第一输入电压;分压单元,包括第一端和第二端,所述第一端连接所述第一开关晶体管的漏极,所述第二端接地。8.根据权利要求7所述基准电压生成电路,其特征在于,所述分压单元包括:第一钳位晶体管,栅极与漏极连接所述分压单元的第一端;第二钳位晶体管,栅极与漏极连接所述第一钳位晶体管的源极,源极连接所述分压单元的第二端。9.根据权利要求7所述基准电压生成电路,其特征在于,还包括提供所述开关信号的开关电路。10.根据权利要求9所述基准电压生成电路,其特征在于,所述开关电路包括:第二反相器,输入控制信号,输出反相控制信号;与非逻辑电路,输入使能信号和所述反相控制信号,输出所述开关信号,所述使能信号用于开启所述基准电压电路。11.根据权利要求1所述基准电压生成电路,其特征在于,还包括:稳压电路,所述稳压电路在所述第一工作电压和基准电压下工作,输出所述稳定电压。

    说明书

    基准电压生成电路

    技术领域

    本发明涉及电路设计技术领域,尤其涉及一种基准电压生成电路。

    背景技术

    随着集成电路规模的不断增大,尤其是片上系统(system?on?chip,SOC)集成技术的发展,基准稳压源成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路???。在许多集成电路和电路单元中,如数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)、线性稳压电路和开关稳压电路,都需要精密而又稳定的电压作为系统测量和校准的基准,因此,基准稳压源在模拟集成电路中占有很重要的地位,它直接影响着电子系统的性能和精度。图1为现有技术中常用的一种基准电压电路与稳压电路为集成电路(如片上系统)提供电压的示意图,所述外部电源电压VDDA同时提供至稳压电路101和基准电压电路102,所述基准电压电路102自被开启后开始工作,由外部电源电压VDDA提供工作电压,用以生成基准电压VREF,所述基准电压VREF提供至片上系统103和稳压电路10;所述稳压电路101由外部电源电压VDDA和基准电压VREF提供工作电压,用于生成稳定电压VDD,所述稳定电压VDD提供至片上系统103,作为片上系统103的工作电压。

    其中,基准电压电路102通常需要工作于一个宽电压输入(即外部电源电压VDDA输入)的情况,如SIM卡应用时供电电压为2.7-5V。而为可靠工作于宽电压输入情况,基准电压电路需要使用高压晶体管,以使得高输入电压时晶体管不被击穿。而根据晶体管工作原理,高电压对应高场强,当电压增加到一定数值时,晶体管的两个结在电场的作用下产生重叠,大量载流子直接在两个PN结间流动,造成电流急剧增加,晶体管被击穿,而对用于半导体的特定材料和特定工艺而言,其击穿电压是随栅极氧化层的厚度增加而增加的,因此为获得高击穿电压需要使用更厚的材料,一般增加栅极氧化层的厚度或沟道长度,这样必然降低晶体管的截止频率和增加晶体管的噪声,由此造成基准电压产生电路的跟踪速度降低和噪声电压上升,对使用该基准电压的其他电路乃至系统产生非常严重的影响。因此有必要提出改进的技术手段,来解决此一问题。

    申请号200910002345.X的专利申请中提供了一种技术方案,以解决上述问题,采用低压管的基准电压电路可工作于宽电压,尤其是可工作于高输入电压的情况下:在高输入电压与基准电压电路间设置一个钳位电路,先将高输入电压传输至钳位电路,使得所述钳位后的电压工作于低压管的工作范围内,然后将钳位后的电压传输至基准电压电路。发明人发现,上述技术方案主要存在以下几个问题:

    1、通过钳位电路降低的电压往往比较粗略,会造成所述基准电压电路生成的基准电压不精准,从而使得集成电路(如片上系统)的工作状态不稳定;

    2、通常,基准电压电路除了提供基准电压外,还向片上系统提供对应的基准电流,片上系统会通过PMOS晶体管镜像所述基准电流,以产生工作电流,由于基准电流对应的基准电压是通过钳位电路降压产生,其与连接PMOS晶体管源极的稳定电压(片上系统的工作电压)不一致,会使得片上系统内部电流镜像不匹配,造成产生的工作电流不精准,进而造成片上系统的工作状态不稳定;

    3、钳位电路作为一个新设置的电路,始终处于工作状态,增加了电路的功耗。

    发明内容

    本发明解决的是现有的基准电压电路采用低压管生成提供给集成电路的电压,会使集成电路的工作状态不稳定的问题。

    为解决上述问题,本发明提供一种基准电压生成电路,包括:基准电压电路,用于向集成电路提供基准电压;所述基准电压生成电路还包括:

    钳位电路,在第一工作电压下工作,输出第一输入电压;

    选择电路,在所述基准电压电路开始工作的第一时间内,将所述第一输入电压提供给所述基准电压电路作为工作电压,在所述基准电压电路开始工作的第一时间后,将稳定电压提供给所述基准电压电路作为工作电压,所述稳定电压为所述集成电路的工作电压。

    可选的,所述选择电路包括:

    第一反相器,输入控制信号,输出反相控制信号;

    第一PMOS晶体管,栅极输入所述反相控制信号,源极输入所述稳定电压,漏极连接所述选择电路的输出端;

    第二PMOS晶体管,栅极输入所述控制信号,源极输入所述第一输入电压,漏极连接所述选择电路的输出端,

    所述控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间内开启所述第二PMOS晶体管,所述反相控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间后开启所述第一PMOS晶体管。

    可选的,所述选择电路包括:

    第一反相器,输入控制信号,输出反相控制信号;

    第一NMOS晶体管,栅极输入所述反相控制信号,源极输入所述稳定电压,漏极连接所述选择电路的输出端;

    第二NMOS晶体管,栅极输入所述控制信号,源极输入所述第一输入电压,漏极连接所述选择电路的输出端,

    所述控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间内开启所述第二NMOS晶体管,所述反相控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间后开启所述第一NMOS晶体管。

    可选的,所述选择电路包括:

    NMOS晶体管,栅极输入控制信号,源极输入所述稳定电压,漏极连接所述选择电路的输出端;

    PMOS晶体管,栅极输入控制信号,源极输入所述第一输入电压,漏极连接所述选择电路的输出端,

    所述控制信号在所述基准电压电路开始工作的第一时间内开启所述PMOS晶体管,在所述基准电压电路开始工作的第一时间后开启所述NMOS晶体管。

    可选的,所述的基准电压生成电路还包括提供所述控制信号的延时电路,所述延时电路包括:

    振荡器,由使能信号控制开启,通过振荡输出时钟信号,所述使能信号用于开启所述基准电压电路;

    计数器,对所述时钟信号计数,输出所述控制信号。

    可选的,所述的基准电压生成电路还包括提供所述控制信号的比较电路,所述比较电路比较所述稳定电压和第一输入电压,输出所述控制信号。

    可选的,所述钳位电路包括:

    第一开关晶体管,栅极输入开关信号,源极输入所述第一工作电压,漏极输出所述第一输入电压;

    分压单元,包括第一端和第二端,所述第一端连接所述第一开关晶体管的漏极,所述第二端接地。

    可选的,所述分压单元包括:

    第一钳位晶体管,栅极与漏极连接所述分压单元的第一端;

    第二钳位晶体管,栅极与漏极连接所述第一钳位晶体管的源极,源极连接所述分压单元的第二端。

    可选的,所述基准电压生成电路还包括提供所述开关信号的开关电路。

    可选的,所述开关电路包括:

    第二反相器,输入控制信号,输出反相控制信号;

    与非逻辑电路,输入使能信号和所述反相控制信号,输出所述开关信号,所述使能信号用于开启所述基准电压电路。

    可选的,所述基准电压生成电路还包括:稳压电路,所述稳压电路在所述第一工作电压和基准电压下工作,输出所述稳定电压。

    与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:

    1、钳位电路工作于第一工作电压(高输入电压范围),在所述基准电压电路开始工作的第一时间内,所述基准电压电路输入钳位电路产生的第一输入电压,可以使得低压管工作于高输入电压范围内;

    2、在所述基准电压电路开始工作的第一时间后,所述基准电压电路输入稳定电压,提高基准电压电路输出的基准电压的精准度;

    3、在所述基准电压电路开始工作的第一时间后,所述基准电压电路输入稳定电压,使得基准电压电路提供的基准电压和稳压电路提供的稳定电压一致,提高了片上系统内部电路镜像的准确性;

    4、在所述基准电压电路输入稳定电压后,可以关闭产生第一输入电压的钳位电路,降低了电路的功耗。

    附图说明

    图1是现有技术的基准电压电路与稳压电路为片上系统提供电压的电路示意图;

    图2为本发明基准电压生成电路与稳压电路为集成电路提供电压的电路示意图;

    图3为图2所示电路的一个实施例电路图;

    图4为图2所示电路的另一个实施例电路图。

    具体实施方式

    为使本发明的上述目的,特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

    图2为本发明基准电压生成电路与稳压电路为集成电路提供电压的电路示意图,所述基准电压生成电路包括:基准电压电路201,用于向集成电路205提供基准电压VREF,本实施例中所述基准电压电路201采用的为低压管;

    所述基准电压生成电路还包括:

    钳位电路204,在第一工作电压VDDA下工作,输出第一输入电压VDD_TP,具体的:第一工作电压VDDA为高输入电压(例如可以为2.7~5V),对所述第一工作电压VDDA进行钳位,钳位后的电压降低,即第一输入电压VDD_TP使得所述低压管的基准电压电路201可以正常工作;

    选择电路203,在所述基准电压电路201开始工作的第一时间内,将所述第一输入电压VDD_TP提供给所述基准电压电路201作为工作电压,在所述基准电压电路201开始工作的第一时间后,将稳定电压VDD提供给所述基准电压电路201作为工作电压,所述稳定电压VDD为所述集成电路205的工作电压。

    稳定电压VDD可以由稳压电路202产生,稳压电路202在第一工作电压VDDA和基准电压VREF下工作。

    继续参考图2,所述基准电压电路201输入的是选择电路203输出的电压,即基准电压电路201的输入端与选择电路203的输出端连接,所述选择电路203包括:

    第一输入端,输入第一输入电压VDD_TP;

    第二输入端,输入稳定电压VDD;

    第三输入端,输入控制信号SEL;

    输出端,在控制信号SEL控制下,在所述基准电压电路201被开启后(开始工作)的第一时间内输出第一输入电压VDD_TP,在所述基准电压电路201被开启后的第一时间后输出稳定电压VDD。

    图3为一个实施例的基准电压生成电路与稳压电路为集成电路提供电压的电路示意图,所述基准电压生成电路包括:基准电压电路201、选择电路203、钳位电路204、延时电路207和开关电路206。

    基准电压电路201,输出端输出基准电压VREF,在所述基准电压电路201被开启第一时间内,所述基准电压电路201的输入端输入第一输入电压VDD_TP,在所述基准电压电路201被开启第一时间后,所述基准电压电路201的输入端输入稳定电压VDD。

    其中,所述稳定电压VDD由稳压电路201提供,所述稳压电路201输入第一工作电压VDDA和基准电压VREF,输出所述稳定电压VDD。本实施例中,生成的基准电压VREF及稳定电压VDD还提供给集成电路205,稳定电压VDD作为集成电路205的工作电压。

    选择电路203,输出端连接至所述基准电压电路201的输入端,向基准电压电路201的输入端输入电压,所述选择电路203包括:

    第一反相器301,输入端连接所述第三输入端,输入控制信号SEL,输出反相控制信号(即控制信号SEL的反相信号);

    第一PMOS晶体管M1,栅极连接反相器301的输出端,输入所述反相控制信号;源极连接稳压电路202的输出端,以输入稳压电路202输出的稳定电压VDD;漏极连接选择电路203的输出端(即基准电压电路201的输入端);

    第二PMOS晶体管M2,栅极输入所述控制信号SEL,源极连接钳位电路204的输出端,以输入钳位电路204输出的第一输入电压VDD_TP,漏极连接选择电路203的输出端,

    所述控制信号SEL在所述基准电压电路201开始工作的第一时间内开启所述第二PMOS晶体管M2,所述反相控制信号在所述基准电压电路201开始工作的第一时间后开启所述第一PMOS晶体管M1。

    所述选择电路203的控制信号SEL经过延时电路207输出,所述延时电路207包括:

    振荡器,由使能信号EN控制开启,通过振荡输出时钟信号,所述使能信号EN用于开启所述基准电压电路201,在使能信号EN有效时,基准电压电路201开始工作;

    计数器,对所述时钟信号计数,输出所述控制信号SEL。

    设定延时时间,即计数器的计数值与所述时钟信号的周期的乘积。在所述延时时间到达之后,改变所述控制信号SEL。所述延时时间大于或等于基准电压电路201被开启后至稳定电压VDD生成之间所需的时间,所述延时时间即为所述第一时间。

    继续参考图3,所述第一输入电压VDD_TP为钳位电路204的输出电压,所述钳位电路204在第一工作电压VDDA下工作,并输出第一输入电压VDD_TP。

    所述钳位电路204包括:

    第一开关晶体管M3,栅极输入开关信号,源极输入第一工作电压VDDA,漏极电连接钳位电路204的输出端,本实施例中,所述第一开关晶体管M3为PMOS晶体管,为低电平触发;

    分压单元2041,包括第一端和第二端,所述第一端电连接钳位电路204的输出端,所述第二端接地。

    本实施例中,所述分压单元2041包括第一钳位晶体管M4和第二钳位晶体管M5:

    第一钳位晶体管M4,栅极与漏极电连接钳位电路204的第一端,源极电连接第二钳位晶体管M5;

    第二钳位晶体管M5,栅极与漏极电连接第一钳位晶体管M4的源极,源极连接所述分压单元2041的第二端,本实施例中源极接地。本实施例中,所述第一钳位晶体管M4和第二钳位晶体管M5均为NMOS晶体管,为高电平触发。进一步地,所述钳位晶体管的个数也可以2以外的其他数目,根据所需要进行钳位后的电压大小决定,所述钳位电路的输出电压即第一输入电压VDD_TP,等于分压单元2041中的钳位晶体管的阈值电压之和。

    本实施例中,所述分压单元2041采用的是晶体管结构进行分压,在其他实施例中,还可以采用电阻进行分压。

    继续参考图3,所述钳位电路204输入的开关信号由开关电路206提供,用以控制钳位电路204工作与否。

    所述开关电路206包括:

    第二反相器302,输入端连接延时电路207的输出端,以输入控制信号SEL,输出端连接与非逻辑电路303,输出反相控制信号;

    与非逻辑电路303,输入使能信号EN和所述反相控制信号,输出所述开关信号,所述使能信号EN用于开启所述基准电压电路,本实施例中,使能信号EN为高电平有效。

    继续参考图3,所述基准电压生成电路的工作过程具体为:提供第一工作电压VDDA至钳位电路204的第一开关PMOS晶体管M3的源极,并通过使能信号EN打开与非逻辑电路303及延时电路207;

    所述使能信号EN为高电平信号,经过所述与非逻辑电路303后为低电平,所述第一开关PMOS晶体管M3的栅极输入所述低电平后,钳位电路204被打开。经过分压单元2041中的第一钳位NMOS晶体管M4和第二钳位NMOS晶体管M5的分压,输出第一输入电压VDD_TP,所述第一输入电压VDD_TP等于第一钳位NMOS晶体管M4和第二钳位NMOS晶体管M5的阈值电压之和;

    所述延时电路207输入所述使能信号EN被打开后,产生时钟信号,并将所述时钟信号传输至计数器,所述计数器设定为:当设定延时时间未到之前,所述计数器输出控制信号SEL为低电平,当设定延时时间(第一时间)到达之后,所述计数器输出控制信号SEL为高电平,所述延时时间为自使能信号EN提供后至稳定电压VDD生成的时间,所述延时时间可以根据经验值设定,一般可以为3微秒~9微秒;

    所述稳定电压VDD和第一输入电压VDD_TP分别对应提供至选择电路203中的第一PMOS晶体管M1和第二PMOS晶体管M2。当延时时间未到之前,控制信号SEL为低电平时,通过反相器303后为高电平,第一PMOS晶体管M1关闭,第二PMOS晶体管M2打开,选择电路203的输出电压为第一输入电压VDD_TP;

    所述低电平控制信号SEL还提供至开关电路206,因为控制信号SEL为低电平,使能信号为高电平,所以经过与非逻辑电路204后,所述开关信号仍为低电平;

    基准电压电路201输入所述输出电压VDD_TP,产生基准电压VREF。并将所述基准电压VREF提供至稳压电路202,所述稳定电压VDD同时接收第一工作电压VDDA,产生稳定电压VDD;

    延时时间到达之后,所述延时电路207输出的控制信号SEL为高电平,通过反相器303反相后的信号为低电平,第一PMOS晶体管M1打开,第二PMOS晶体管M2被关闭,选择电路203的输出电压为稳定电压VDD。

    基准电压电路201输入所述稳定电压VDD,产生基准电压VREF。

    同时,所述高电平的控制信号SEL还传输至开关电路302,因为控制信号SEL为高电平,使能信号EN为高电平,所以经过与非逻辑电路204后,所述开关信号为高电平,第一开关PMOS晶体管M3被关闭,进而钳位电路204被关闭;

    此后,所述选择电路203输出的电压为稳定电压VDD。

    图4为本发明基准电压生成电路与稳压电路为片上系统提供电压的另一个实施例电路图,本实施例的基准电压生成电路与图3所示的基准电压生成电路的区别在于:所述选择电路203的控制信号SEL可以由比较电路208输出,所述比较电路208的正端输入稳定电压VDD,负端输入第一输入电压VDD_TP,当稳定电压VDD低于第一输入电压VDD_TP时,所述控制信号SEL为低电平,第二PMOS晶体管M2打开,选择电路203输出第一输入电压VDD_TP;随着稳定电压VDD的升高,当稳定电压VDD等于或高于第一输入电压VDD_TP,所述控制信号SEL为高电平,第一PMOS晶体管M1打开,选择电路203输出稳定电压VDD。因此,本实施例中,所述第一时间为自基准电压电路201被开启后开始工作,直至比较电路208中稳定电压VDD高于第一输入电压VDD_TP的时间长度。

    需要说明的是,上述实施例中,所述选择电路203由两个PMOS晶体管并联形成,所述选择电路203还可以由两个NMOS晶体管并联形成,具体包括:

    第一反相器,连接第三输入端,输入控制信号SEL;

    第一NMOS晶体管,栅极输入经过第一反相器反相后的控制信号,漏极输入稳压电路输出的稳定电压,源极连接选择电路输出端;

    第二NMOS晶体管,栅极连接第三输入端,输入控制信号,漏极输入第一输入电压,源极连接选择电路输出端。

    所述控制信号SEL为高电平时,所述第二NMOS晶体管被打开,所述第一NMOS晶体管被关闭,所述选择电路203输出的为第一输入电压;所述控制信号SEL为低电平时,所述第一NMOS晶体管被打开,所述第二NMOS晶体管被关闭,所述选择电路203输出的为稳定电压。

    具体的:若所述控制信号SEL由图3所示的延时电路207提供,则延时到达之前,所述控制信号SEL为高电平,用以打开第二NMOS晶体管,延时到达之后,所述控制信号SEL为低电平,用以打开第一NMOS晶体管;若所述控制信号SEL由图4所示的比较电路208提供,所述比较电路208的负端输入稳定电压VDD,正端输入第一输入电压VDD_TP,当稳定电压VDD低于第一输入电压VDD_TP时,所述控制信号SEL为高电平,第二NMOS晶体管打开,选择电路203输出第一输入电压VDD_TP;随着稳定电压VDD的升高,当稳定电压VDD等于或高于第一输入电压VDD_TP,所述控制信号SEL为低电平,第一NMOS晶体管打开,选择电路203输出稳定电压VDD。

    所述选择电路203还可以由一个PMOS管和一个NMOS管并联形成,具体包括:

    NMOS晶体管,栅极连接第三输入端,以输入控制信号,漏极输入稳压电路输出的稳定电压,源极连接选择电路输出端;

    PMOS晶体管,栅极连接第三输入端,以输入控制信号,漏极输入第一输入电压,源极连接选择电路输出端。

    所述控制信号SEL为低电平时,所述PMOS晶体管被打开,所述NMOS晶体管被关闭,所述选择电路203输出的为第一输入电压;所述控制信号SEL为高电平时,所述NMOS晶体管被打开,所述PMOS晶体管被关闭,所述选择电路203输出的为稳定电压。

    具体的:若所述控制信号SEL由图3所示的延时电路207提供,则延时到达之前,所述控制信号SEL为低电平,用以打开PMOS晶体管,延时到达之后,所述控制信号SEL为高电平,用以打开NMOS晶体管;若所述控制信号SEL由图4所示的比较电路208提供,所述比较电路208的正端输入稳定电压VDD,负端输入第一输入电压VDD_TP,当稳定电压VDD低于第一输入电压VDD_TP时,所述控制信号SEL为低电平,PMOS晶体管打开,选择电路203输出第一输入电压VDD_TP;随着稳定电压VDD的升高,当稳定电压VDD等于或高于第一输入电压VDD_TP,所述控制信号SEL为高电平,NMOS晶体管打开,选择电路203输出稳定电压VDD。

    虽然本发明已以较佳实施方式披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的?;し段вΦ币匀ɡ笏薅ǚ段?。

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