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    重庆时时彩提前开奖软件下载: 在半导体光刻工艺中进行的对准方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201010153908.8

    申请日:

    2010.04.13

    公开号:

    CN102221792A

    公开日:

    2011.10.19

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G03F 9/00申请公布日:20111019|||专利申请权的转移IPC(主分类):G03F 9/00变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121119|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 9/00申请日:20100413|||公开
    IPC分类号: G03F9/00 主分类号: G03F9/00
    申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
    发明人: 马骏
    地址: 201203 上海市浦东新区张江路18号
    优先权:
    专利代理机构: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 牛峥;王丽琴
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201010153908.8

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2014.05.21|||2012.12.19|||2011.11.30|||2011.10.19

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||专利申请权、专利权的转移|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了一种在半导体光刻工艺中进行的对准方法,应用在半导体器件有源区AA及AA形成之前的离子注入层的光刻工艺时的对准过程,光刻机将具有AA或AA形成之前的离子注入层图形的光掩膜上的对准标记与制作在晶圆边缘的对准标记进行对准后光刻,其中在晶圆边缘的对准标记的制作步骤为:采用激光标记的方式在晶圆表面制作晶圆标识的同时,采用激光标记的方式在晶圆边缘表面刻出对准标记。本发明提供的方法省略制作零层对准标记的一系列光刻、蚀刻和清洗等工序,在不复杂、无额外制作费用及不耗时的情况下得到对准标记,用于AA及AA之间的离子注入层的光刻工艺过程中的对准,使得制作半导体器件的周期变短、费用减少且简单。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种在半导体光刻工艺中进行的对准方法,应用在半导体器件有源区AA及AA形成之前的离子注入层的光刻工艺时的对准过程,其特征在于,光刻机将具有AA或AA形成之前的离子注入层图形的光掩膜上的对准标记与制作在晶圆边缘的对准标记进行对准后光刻,其中在晶圆边缘的对准标记的制作步骤为:
    采用激光标记的方式在晶圆表面制作晶圆标识的同时,采用激光标记的方式在晶圆边缘表面刻出对准标记。

    2.  如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对准标记为至少四个,均匀分布在所述晶圆边缘表面。

    3.  如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述对准标记采用激光刻出的圆形标记阵列形成。每个圆形标记的直径为60微米以下。

    4.  如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述每个对准标记的圆形标记阵列分为两部分,每个部分由向水平和垂直两个方向延伸的两臂组成L形,每条臂由2或3排圆形标记排列而成,两个部分的水平臂互相平行。

    5.  如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述每个对准标记的圆形标记阵列的L形臂延伸方向和臂长度根据所述对准标记在晶圆的位置不同而调整,L形臂的方向延伸至晶圆边缘空白区域。

    6.  如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述晶圆右边缘的对准标记中的L形臂向上、右和下延伸,上下臂长度均大于10个圆形标记间距,而右方两臂长5~10圆形标记间距;
    所述晶圆下边缘的对准标记中的L形臂向左、下和右延伸,左右臂长度均大于10个圆形标记间距,而下方两臂长5~10圆形标记间距。

    7.  如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述每个对准标记的两部分阵列的重复间距不同,两者间的比值为0.5-2.0之间的一个数值。

    8.  如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述对准标记位于晶圆边缘2.5毫米以外,不占用晶圆制作半导体器件的区域。

    关 键 词:
    半导体 光刻 工艺 进行 对准 方法
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