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    基于 制造 方法
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    摘要
    申请专利号:

    CN201110245456.0

    申请日:

    2011.08.25

    公开号:

    CN102385715A

    公开日:

    2012.03.21

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G06K 19/077申请日:20110825|||公开
    IPC分类号: G06K19/077 主分类号: G06K19/077
    申请人: 欧贝特科技公司
    发明人: 马克·伯廷; 格拉尔德·加兰
    地址: 法国勒瓦卢瓦佩雷
    优先权: 2010.08.26 FR 1056776
    专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李敬文
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110245456.0

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.12.14|||2013.09.11|||2012.03.21

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种基于基片(101)来制造卡(102)的方法,所述方法包括以下步骤:在基片(101)内定义卡(102)的边界,所述方法还包括以下步骤:在卡(102)边界的一部分上形成斜切,使得在边界定义步骤和斜切步骤完成时,卡(102)的物理尺寸符合Micro?SD卡标准指定V3.00定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,C3和Rm,其中:i=1,6...8;j=1,4,10,11,x,y,[x,y]对等于[6,9]或等于[14,15];以及m=1...6,17...19;当x=6,y=9时,卡(102)的物理

    权利要求书

    1.一种基于具有预定厚度的基片(101)来制造卡(102)的方法,
    所述方法包括以下步骤:
    在基片内定义卡的边界(E15),
    所述方法的特征在于还包括以下步骤:在卡边界的一部分上形成斜
    切(110)(E40,E45),在边界定义步骤和斜切形成步骤之后,卡的物
    理尺寸符合Micro?SD卡标准指定V3.00定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,C3
    Rm,其中:
    ·i=1,6...8;
    ·j=1,4,10,11,x,y,[x,y]对等于[6,9]或等于[14,15];以及
    ·m=1...6,17...19;
    x=6,y=9时,物理尺寸还符合所述标准的参数A9,
    所述方法的特征还在于,边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述
    基片中提取卡之前执行的。
    2.根据权利要求1所述的方法,其中,边界定义步骤包括以下子步
    骤中的至少一个:
    -预切割子步骤(E20),制作用于将卡边界的一部分附着至基片的
    至少一个减弱附着件(104),
    -冲孔子步骤(E30),在卡边界的所谓自由部分与基片之间创建至
    少一个槽区域(106)。
    3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述预定厚度严格小于
    0.9mm。
    4.根据权利要求3所述的方法,其中,基片符合根据ISO?7816标
    准的ID-1或ID-00卡格式。
    5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,在所述斜切形
    成步骤期间,通过铣削来制作斜切。
    6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,还包括以下步骤:在
    提取卡之前,将卡减薄,以形成夹持区域(116;222),所述夹持区域开
    始于从与斜切相对的卡边缘起测量的预定距离处,所述夹持区域沿具有
    所述斜切的边界的方向延伸,所述预定距离对应于根据所述Micro?SD标
    准的距离B2。
    7.根据权利要求6所述的方法,其中,夹持区域是与所述斜切(110)
    的表面相对的卡表面上的凹槽(116)。
    8.根据权利要求7所述的方法,凹槽具有实质上等于300μm的深
    度和实质上等于2mm的宽度。
    9.根据权利要求6所述的方法,其中,减薄步骤对应于:铣削步骤
    (E45),对与所述斜切(210)的表面相对的卡表面进行部分地铣削,
    使得卡(202)的物理尺寸符合Micro?SD卡标准定义的参数A,Ai,B,Bj,
    C2,C3Rm,其中:
    ·i=1,6...9;
    ·j=1...4,6,9...11;以及
    ·m=1...19。
    10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,在提取卡之前还包
    括步骤:将???120)置于卡中(E50,E60),所述??榘ǚ螹icro?
    SD卡标准的微电路和齐平接触盘(112)。
    11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述??榛拱ǚ螴SO
    7816标准的齐平接触盘(114)。
    12.一种卡(102),包括边界的一部分上的斜切(110),所述卡的
    物理尺寸符合Micro?SD卡标准指定V3.00定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,
    C3和Rm,其中:
    ·i=1,6...8;
    ·j=1,4,10,11,x,y,[x,y]对等于[6,9]或等于[14,15];以及
    ·m=1...6,17...19;
    x=6,y=9时,物理尺寸还符合所述标准的参数A9,
    所述卡的特征在于还包括夹持区域,所述夹持区域开始于从与斜切
    相对的卡边缘起测量的预定距离处,所述夹持区域沿具有所述斜切的边
    界的方向延伸,所述预定距离对应于根据所述Micro?SD标准的距离B2,
    所述卡的预定厚度严格小于0.9mm。
    13.根据权利要求11所述的卡,其中,预定厚度对应于根据ISO?7816
    标准的ID-1或ID-00卡的厚度。
    14.根据权利要求12或13所述的卡,其中,夹持区域是在与所述
    斜切相对的卡表面上形成的凹槽。
    15.根据权利要求12或13所述的卡,所述卡的物理尺寸符合所述
    Micro?SD卡标准定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,C3Rm,其中:
    ·i=1,6...9;
    ·j=1...4,6,9...11;以及
    ·m=1...19。

    说明书

    基于基片制造卡的方法

    技术领域

    本发明涉及基于基片的卡制造技术领域。

    本发明尤其适用于(但不限于)具有接触盘(contact?pad)的微电路卡
    的制造,对于这种卡,微电路和接触盘是从本申请人的文献FR?2805206
    中描述的卡主体中部分地切出的可拆分晶片的一部分。

    本发明更尤其适用于制造具有符合或近似于Micro?SDTM?e卡标准的
    物理尺寸的卡,该标准引用如下:

    “SD?specifications,Part?l,microSD?Card?Specifications,Version?3.00,
    February?18,2010”。

    在本文的其余部分,利用表述“Micro?SD标准”或者“Micro?SD标准
    V3.00”来指代由Technical?Committee,SD?Card?Assosication建立的上述标
    准。

    背景技术

    近年来,Micro?SD类型的卡的使用越来越成功。这些卡尤其有利
    于移动应用,并且用于例如移动电话中的存储卡。一般地,这些卡是基
    于模制(molding)技术制造的,并且因此需要专用制作设备。

    然而,本申请人观察到,这类卡的传统制造技术不能令人满意。具
    体地,通常使用的制作技术的生产率过低,不总是能够执行所有必需的
    技术步骤。因此,这种设备通常不能定制卡,例如通过在卡面上印制装
    饰性设计或者甚至通过一旦制造了卡就对卡进行电学配置等方式,来定
    制卡。

    因此,在现有技术中,需要一种使用被设计为对不同卡格式操作的
    生产设备来制造物理尺寸符合或近似于Micro?SD标准的卡的方法。

    发明内容

    为此,本发明提出了一种基于具有预定厚度的基片来制造卡的方法,
    所述方法包括以下步骤:

    在基片内定义卡的边界,

    所述方法还包括以下步骤:在卡边界(perimeter)的一部分上形成斜切
    (chamfer)(或“斜切”步骤),在卡边界定义步骤和斜切步骤结束后,卡
    的物理尺寸符合Micro?SD卡标准指定V3.00定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,
    C3Rm,其中:

    ·i=1,6...8;

    ·i=?1,4,10,11,x,y,[x,y]对等于[6,9]或等于[14,15];以及

    ·m=1...6,17...19;

    x=6,y=9时,物理尺寸还符合所述标准的参数A9,

    其中,边界定义步骤和斜切形成步骤是在从所述基片中提取卡之前
    执行的。

    优选地,上述基片是平坦的。

    提取卡是通过将卡与其基片手动(或借助于机器)拆分来执行的。

    本发明还可以制造Micro?SD格式(或非常近似)的卡,并从物理尺
    寸适于合适生产设备的基片开始制造。按照这种方式,可以提高Micro?
    SD格式卡或近似格式卡的生产速度和质量。

    此外,边界定义步骤可以包括以下子步骤中的至少一个:

    -预切割子步骤,制作用于将卡边界的一部分附着至基片的至少一
    个减弱附着件(weaken?attachment),

    -冲孔(punching)子步骤,在卡边界的所谓自由部分与基片之间创建
    至少一个槽区域(slot?area)。

    在一个具体实施例中,卡的预定厚度严格小于0.9mm。

    本发明方法的优点在于,可以从厚度严格小于Micro?SD卡所需的最
    小厚度(即0.9mm)的基片开始,制造物理尺寸非常接近于Micro?SD
    卡物理尺寸的卡。因此,所生产的卡能够与原先设计为与Micro?SD卡协
    作的大多数设备一起使用。

    基片可以符合根据ISO?7816标准的ID-1或ID-00卡格式。

    此外,在斜切形成步骤中,可以通过铣削(milling)来制作斜切。该
    铣削步骤可以在定义卡边界的步骤之前或之后执行。

    备选地,定义卡边界的步骤和形成斜切的步骤在同一铣削步骤期间
    执行,在所述同一铣削步骤期间,将卡并入其基片中来制造卡。

    在一个具体实现中,所述方法还包括以下步骤:在提取卡之前,将
    卡减薄,以形成夹持区域(grip?area),所述夹持区域开始于从与斜切相
    对的卡边缘起测量的预定距离处,所述夹持区域沿边界上具有所述斜切
    的方向延伸。

    该预定距离可以根据情况而变化,因为该预定距离需要选择为,允许
    用户从例如读取设备中取出卡。该预定距离对应于例如根据所述Micro?
    SD标准的距离B2,从而在1.64至2.04mm之间。备选地,该预定距离
    可以在1mm至3mm之间。

    根据第一实施例,夹持区域是与斜切表面相对的卡表面上的凹槽。

    制作凹槽的步骤可以在形成上述边界的步骤之前执行。

    该凹槽允许更容易的拿取,尤其是从读取设备中提取卡。因此,该
    凹槽具有与Micro?SD标准定义的参数R7,R10,R11,B2,B3和C所限定
    的卡边缘等效的功能优点。

    凹槽可以具有实质上等于300μm的深度和实质上等于2mm的宽
    度。

    此外,凹槽可以具有实质上等于200μm的曲率半径。

    根据第二实施例,减薄步骤对应于:铣削步骤,对与斜切表面相对
    的卡表面进行部分地铣削,使得卡的物理尺寸符合Micro?SD卡标准指定
    V3.00定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,C3Rm,其中:

    ·i=1,6...9;

    ·j=1...4,6,9...11;以及

    ·m=1...19.

    备选地,当x=14,y=15时,减薄步骤对应于:铣削步骤,使得卡
    的物理尺寸符合Micro?SD卡标准指定V3.00定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,
    C3Rm,其中:

    ·i=1,6...8;

    ·j=1...4,10,11,14,15;以及

    ·m=1...19.

    该第二实施例有利地允许制造物理尺寸非常接近于Micro?SD卡的
    卡,使得卡能够与原先设计为与Micro?SD卡协作的设备一起操作。

    此外,所述方法可以包括以下步骤:在提取卡之前,将??橹糜诳?br />中,所述??榘ǚ螹icro?SD卡标准的微电路和齐平接触盘。按照这
    种方式,卡尤其符合定义Micro?SD类型接触件的物理尺寸的参数A2,A3,
    A4,A5,B5,B7和B8。

    在一个具体实施例中,所述??榛拱ǚ螴SO?7816标准的齐平接
    触盘(flush?contact?pad)。

    此外,槽区域可以界定卡与基片之间的间隔,所述间隔在300至
    400μm之间。

    同时,本发明涉及一种卡,其物理尺寸符合Micro?SD卡标准指定
    V3.00定义的参数A,Ai,B,Bj,C2,C3Rm,其中:

    ·i=1,6...9;

    ·i=1,4,10,11,x,y,[x,y]对等于[6,9]或等于[14,15];以及

    ·m=1...6,17...19;

    x=6,y=9时,物理尺寸还符合所述Micro?SD标准的参数A9,
    所述卡还包括夹持区域,所述夹持区域开始于从与斜切相对的卡边缘起
    测量的预定距离处,所述夹持区域沿边界上具有所述斜切的方向延伸,
    所述卡的预定厚度严格小于0.9mm。

    该预定距离可以根据情况而变化,因为该预定距离需要被选择为允
    许用户从例如读取器中退出卡。该预定距离对应于例如根据所述Micro
    SD标准的距离B2,从而在1.64至2.04mm之间。备选地,该预定距离
    可以在1mm至5mm之间,优选地在1mm至3mm之间。

    该卡的优点在于,其物理尺寸接近于Micro?SD标准定义的物理尺
    寸,从而能够与原先设计为与Micro?SD卡协作的设备一起操作。

    所述卡的预定厚度可以例如对应于根据7816标准的ID-1或ID-00
    卡的厚度。

    根据第一实施例,夹持区域是在与斜切相对的卡表面上制作的凹槽。

    凹槽可以具有实质上等于300μm的深度和实质上等于2mm的宽
    度。

    此外,凹槽可以具有实质上等于200μm的曲率半径。

    根据第二实施例,卡的物理尺寸符合Micro?SD卡标准定义的参数
    A,Ai,B,Bj,C2,C3Rm,其中:

    ·i=1,6...9;

    ·j=1...4,6,9...11;以及

    ·m=1...19.

    卡还可以包括???,所述??榘ǚ纤霰曜嫉奈⒌缏泛推肫浇?br />触盘。

    所述??榛箍梢园ǚ螴SO?7816标准的齐平接触盘。

    附图说明

    通过以下参照示意本发明示例实施例的附图而给出的描述,本发明
    的其他特征和优点将显而易见。附图中:

    图1至6示意性示出了符合本发明第一实施例的制造方法;

    图7A和7B示意性示出了符合本发明第一实施例的卡;

    图8以流程图形式示出了符合本发明第一实施例的制造方法的主要
    步骤。

    图9、10和11示意性示出了符合本发明第二实施例的制造方法。

    具体实施方式

    本发明涉及一种基于基片来制造卡的方法,在方法完成时,所述卡
    的物理尺寸符合或接近于Micro?SD标准定义的物理尺寸。

    现在参照图1至8来描述本发明的第一实施例。

    图1和2分别示出了包括可拆分卡102的基片101的正面和背面。图3
    对应于示出图1和2中示意的基片101和卡102的部分。

    可拆分卡102的外边界的3个部分(表示为104、108A和108B)对应
    于卡102至基片101的减弱附着件。更具体地,在本示例中,附着件104
    对应于薄弱线(a?line?of?weakness),例如由卡102与基片101之间接合处的
    至少一个凹口构成??梢岳斫?,该薄弱线可以由在基片两面上互相面对
    形成的两个凹口构成,或者由在基片101的任一面上的单一凹口构成。

    此外,在本示例中,减弱附着件108A和108B由将基片101连接至卡
    102的边界的相邻部分的窄片(narrow?tab)构成。减弱附着件104、108A和
    108B优选地被设计为由用户手动折断。

    然而,应当注意,减弱附着件108A、108B和104的形状和配置仅构
    成本发明的实现的一个示例。实际上,减弱附着件的数目和配置可以改
    变,尤其是根据制造者在灵活性力度方面的需要而改变。

    此外,槽区域106界定了卡102边界的所谓自由部分与基片101之间
    的间隔,使得卡102边界中附着至基片101的所有部分均通过减弱附着件
    108A、108B和104附着至基片101?;谎灾?,卡102的所谓自由边界部分
    对应于卡102的整个边界,除了位于附着件104处的部分和位于与附着件
    108A和108B的接合处的部分。

    例如,由槽区域106界定的、卡102与基片101之间的间隔可以在1mm
    至5mm之间。例如,该间隔可以为大约1.5mm。

    卡102还包括在其背面上的斜切110,位于边界上与附着件104相对
    位置的部分处。

    在图2所示的卡102的正面上,卡102具有位于附着件104附近的凹槽
    116。例如,凹槽116可以具有等于300μm±5%的深度和/或等于2mm±
    5%的宽度。此外,在这里描述的示例中,凹槽116具有等于200μm±5%
    的曲率半径。然而,可以理解,在本发明的范围内,可以想到凹槽116
    的其他物理尺寸。备选地,凹槽116可以是直线的(rectilinear)。

    根据本发明的第一实施例,通过执行图8所示的步骤E10、E15和E40
    来获得图1和2所示的卡102。

    首先,执行步骤E10以形成基片。例如,该形成步骤包括对至少两
    层塑料(例如PVC或PET)执行层压。

    在这里描述的示例中,基片101被形成为符合ISO?7816标准定义的
    ID-1格式?;谎灾?,在完成形成步骤E10时,基片101具有以下尺寸:
    85.60mmx53.98mmx0.76mm(具有ISO?7816标准定义的容差)。

    然而,可以理解,基片101可以具有其他格式,例如ISO?7816标准定
    义的ID-00卡格式。在一个备选中,基片101可以具有任何高度和宽度,
    以及在680μm至840μm之间或者600μm至1mm之间的厚度,优选地具
    有760μm的厚度。

    形成基片的步骤E10还可以包括以下子步骤:在基片的至少任一表
    面上印制装饰性设计(标志、图像等等)??梢栽诓阊棺硬街柚?或者
    优选地在层压子步骤之前)执行在构成基片的层上进行印制的子步骤。
    备选地,可以通过模制(可能接着进行上述印制子步骤)来执行步骤E10
    期间的基片形成。

    一旦执行形成步骤E10,则执行边界定义的步骤E15,步骤E15包括
    在基片101中定义卡102的边界。在本发明的第一实施例中,步骤102包括
    子步骤E20和E30。

    预切割子步骤E20允许创建用于将卡102的边缘连接至基片101的减
    弱附着件104(例如创建凹口)。因此,预切割子步骤使得可以定义卡102
    的边界中与减弱附着件104相对应的部分。

    在子步骤E20之后,执行冲孔子步骤E30,在子步骤E30期间,在卡
    102的自由边界部分与基片101之间制作槽区域106。子步骤E30允许定义
    卡102的边界的自由部分,并且形成其减弱附着件108A和108B。

    例如,根据文献FR?2805206中描述的切割和冲孔方法来执行子步
    骤E20和E30。

    应注意,可以根据随后详细描述的其他备选来进行步骤E15的边界
    定义。

    然后,执行步骤E40,在步骤E40期间形成斜切110。通过在位于与
    附着件104相对位置的外侧边缘处对卡102的背面进行铣削来制作该斜
    切。

    在步骤E40期间制作的斜切110具有符合Micro?SD标准定义的斜切
    的物理尺寸。更具体地,斜切110的物理尺寸符合Micro?SD标准的尺寸参
    数B4和C2。具体地,该斜切110允许具体地在其将来与读取设备的使用
    期间插入卡102。

    步骤E40还包括:在卡102的正面制作凹槽116??梢岳斫?,斜切110
    和凹槽116自然可以同时制作,或者备选地在不同的连续步骤期间制作。
    因此,该凹槽的制作涉及对卡的一部分进行局部减薄。应当注意,可以
    在步骤E20之前或在步骤E20与E30之间执行步骤E40。

    在根据第一实施例的制造方法的这一阶段,正在制造的卡102具有
    符合Micro?SD标准的以下参数的物理尺寸:

    A,Ai(i=1,6...8),B,Bj(j=1,4,x,y,10,11),C2,C3和Rm(m=1...6,
    17...19),其中[x,y]对等于[6,9]或备选地等于[14,15],当x=6,y=9时,卡
    的物理尺寸还符合Micro?SD标准的参数A9。

    换言之,在制造方法的这一阶段,卡的物理尺寸符合Micro?SD标准
    定义的参数A,A1,A6...A8,B,B1,B4,B10,B11,B14,B15,C2,C3,
    R1...R6和R17...R19(情况A),或者备选地,符合Micro?SD标准定义的
    参数A,A1,A6...A9,B,B1,B4,B6,B9,B10,B11,C2,C3,R1...R6和
    R17...R19(情况B)。

    换言之,在方法的这一阶段,卡102的尺寸符合Micro?SD标准的所
    有物理规范(类型“A”或“B”),除了:

    -由Micro?SD标准定义的用于规定接触盘的参数(根据类型“A”或
    “B”),以及

    -根据Micro?SD标准的用于规定卡边缘的参数(B2,B3,R10和C)。

    在本文中,术语“卡边缘”指Micro?SD标准中由参数B2,B3,R10,R11
    和C定义的浮凸(relief),该边缘主要被设计为便于从匹配设备中手动提
    取卡。

    应当注意,与标准化参数C3相对应的卡102的尺寸优选地被选择为
    等于0(即,C3=0,符合Micro?SD标准)。

    此外,应当注意,根据这里描述的第一实施例,凹槽116可以集中
    在Micro?SD标准针对卡边缘定义的相同位置上。备选地,该凹槽可以位
    于卡102的正面的任何位置处,优选地由于在与斜切110相对的位置处的
    边缘附近。

    然后,在根据本发明第一实施例的制造方法的范围内,顺序地执行
    步骤E50和E60。

    更准确地,如图4中的部分所示,在步骤E50期间,在卡102中,从
    卡102的背面形成空腔118。

    一旦形成空腔118,在空腔118内插入并固定(例如通过粘接(gluing))
    ???20。图5和6示出了在执行步骤E50之后的基片101和卡102。

    在这里描述的示例中,???20包括微电路(具有例如芯片的形式),
    该微电路通过连接装置连接至布置在卡102背面的一组接触盘。该组接触
    盘包括第一系列齐平接触盘112,接触盘112的物理尺寸符合Micro?SD标
    准定义的接触盘。在本文的其余部分中,这种接触件称为“Micro?SD接触
    件”。

    ???20的暴露表面还包括这里与符合ISO?7816标准的齐平接触件
    相对应的第二系列接触盘114。在本文的其余部分中,这种接触件被称为
    “ISO接触件”。

    一旦在卡102中安装了???02,可以在步骤E60期间对该??榻?br />电学定制。该步骤包括以下操作中的至少一项:

    -对???20中包括的微电路的特定参数进行电学配置,

    -将至少一个应用加载入???20的微电路,

    -将???20的微电路中的个人数据(密钥,与持卡人相关的信息等
    等)存储至存储器。在以后使用卡102时,可以使用这些数据。

    有时认为电学配置操作和应用的加载是在??榈摹霸ざㄖ啤逼诩渲葱?br />的,而将个人数据记录在存储器中对应于??榈摹岸ㄖ啤?准确地说)。

    例如,可以使用位于ISO接触件114上的匹配头(matching?head)来
    执行该定制步骤。备选地,可以通过直接应用于Micro?SD接触件112的匹
    配头来定制???20。在这种情况下,??椴恍枰↖SO接触件114。

    还可以在步骤E60之后,通过在???20的暴露表面上印制装饰性设
    计,来对???20进行图形定制。

    一旦执行了步骤E60,可以通过折断减弱附着件104、108A和108B,
    从卡102的基片101中提取卡102?;谎灾?,在从卡的基片中提取(或拆分)
    卡之前,执行制造步骤E10、E15、E40、E50和E60。图7A和7B示出了根
    据本发明第一实施例的卡102(一旦从其基片中提取出)的透视图。

    本发明的优点在于,允许制造物理尺寸接近于或甚至完全符合
    Micro?SD格式的卡,这基于具有合适格式的基片。

    因此,可以根据期望使用的生产设备来合理选择基片的物理尺寸
    (宽、高、厚度)。在要制作的卡周围存在基片,这尤其便于在根据本发
    明的制造方法期间执行操控和各种技术操作。

    例如,应当注意,某一设备适于在符合ISO?7816标准的ID-1格式卡
    上印制装饰性设计。因此,可以选择ID-1类型基片格式,以能够使用现
    有生产设备。按照这种方式,不需要适配现有设备以使得现有设备能够
    对小尺寸卡(如Micro?SD类型卡)进行操作。

    此外,例如被配置为处理ID-1卡的特定现有制造设备能够获得尤其
    高的生产率水平。因此,该设备的使用以及不要特殊适配,在生产率和
    成本方面带来了显著收益。

    例如,其他制造设备可以被设计为对高度和宽度符合ID-1格式但是
    厚度任意的卡(或基片)进行操作。在这种情况下,用于制造卡102的基
    片101可以被选择为使其具有所讨论的设备所需的物理尺寸。

    具体地,被设计为与ID-1卡交互的特定设备有时可以容许ID-1格式
    所施加的厚度范围之外的厚度。例如,这种设备可以容许在600μm至
    1mm之间的厚度。

    备选地,基片101可以具有760±80μm的厚度以及任意的高度和宽
    度,从而容易被合适的制造设备处理。

    本发明的第一实施例的优点在于,允许制造物理尺寸非常接近于
    Micro?SD标准的卡,这基于厚度严格小于Micro?SD标准定义的参数C的
    下限Cmin(即Cmin=900μm)的基片。确实,如上所述,在形成步骤
    E40结束时,卡102具有符合Micro?SD标准的参数A,Ai(i=1,6...8),B,Bj
    (j=1,4,x,y,10,11),C2,C3,Dk(k=1...3)和Rm(m=1...6,17...19)的物理
    尺寸([x,y]对等于[6,9]或等于[14,15]);可能地,在[x,y]对等于[6,9]时符
    合标准化参数A9。

    此外,在步骤E50完成时,卡102包括符合Micro?SD标准的SD接触盘。
    因此,卡102还符合参数A2,A3,A4,A5,B5,B7和B8。

    然而,在先前参照图1至8考虑的示例中,基片101具有ID-1类型格式。
    因此,基片101的厚度在760μm数量级,并且在任何情况下包括在680μm
    至840μm之间。由于Micro?SD标准要求参数C包括在900μm至1100μm之
    间,因此可以理解,在该特定情况下,基片的厚度过低,使得不能在卡
    102的正面上实现符合Micro?SD标准的参数C的卡边缘。

    由于不能在卡102上制作Micro?SD类型的卡边缘,在步骤E40期间制
    作凹槽116。该凹槽的功能优点类似于Micro?SD标准定义的卡边缘的功能
    优点。实际上,该凹槽116允许在从匹配读卡器中提取卡102时,工具或
    用户更容易夹持卡102。该凹槽116优选地被设计为使得可以在从设备(移
    动电话等)提取卡时将指甲插入凹槽116。因此凹槽116对应于夹持区域。

    应当注意,在本发明的第一实施例中,所制造的卡102不完全符合
    Micro?SD标准的物理规范。然而,卡102具有与Micro?SD标准所需尺寸实
    质上类似的尺寸,从而能够与被设计为与Micro?SD卡协作的设备正常操
    作。

    现在参照图9、10和11来描述本发明的第二实施例。

    图9示出了包括可拆分卡202的基片201的正面?;?01通过减弱附
    着件204、208A和208B连接至卡202,这些减弱附着件分别与先前参照图
    1和2描述的附着104、108A和108B相同。

    图10示出了图9中示出的基片201的截面视图。

    在该第二实施例中,如图8所示(也见图11),卡202被认为是通过
    执行步骤E10,然后执行步骤E15(对应于子步骤E20和E30),从基片201
    中获得的。然后,不执行上述步骤E40,而是执行步骤E45。

    步骤E45包括第一铣削子步骤,用于在卡202的背面上形成与斜切
    110相同的斜切210?;谎灾?,斜切210的物理尺寸符合Micro?SD标准定义
    的斜切。

    此外,在该步骤E45期间,对卡202的正面的一部分执行第二铣削子
    步骤。该第二铣削子步骤允许通过减薄卡的一部分来形成卡边缘222。然
    后,位于卡边缘222附近的卡的减薄部分对应于夹持区域,例如允许用户
    容易地从任何设备中退出卡。

    应当注意,可以在步骤E20之前,或者在步骤E20和步骤E30之间执
    行步骤45。

    现在考虑以下情况,其中在步骤E10中形成的基片201具有至少等于
    900μm的厚度。在该第一情况下,可以在步骤E45期间,通过铣削来形成
    符合Micro?SD标准的卡边缘222,卡边缘222符合标准化参数R7,R10,R11,
    B2,B3和C。应当注意,铣削工具的形状和配置(铣削角度)被选择为使
    得卡边缘222的物理尺寸可以符合Micro?SD标准。

    应当注意,斜切210和卡边缘222可以在步骤E45期间同时制作。

    一旦执行步骤E45,如上所述执行步骤E50和E60。

    在该第一情况下,第二实施例允许制造完全符合Micro?SD标准定义
    的物理规范的卡202。这是可能的,尤其因为这里基片201的厚度被选择
    为使得可以制作具有符合Micro?SD标准的厚度C的卡边缘222。

    在第二示例中,考虑以下情况,其中,在完成形成步骤E10时,基
    片201的厚度严格小于900μm,即Micro?SD标准针对参数C定义的下限。
    在这种情况下,在完成步骤E45时,所生产的卡202不能符合Micro?SD标
    准要求的物理规范,尤其是对于参数C。

    换言之,所生产的卡202的物理尺寸符合Micro?SD卡标准定义的参
    数A,Ai(i=1,6...8),B,Bj(j=1...4,x,y,10,11),C2,C3和Rm(m=1...19)
    ([x,y]对等于[6,9]或备选地等于[14,15]),可能地,当x=6,y=9时,卡
    的物理尺寸符合Micro?SD标准的参数A9???02的厚度还可以符合Micro?
    SD标准的参数C1。

    在该第二假定情况下,本发明的第二实施例有利地允许制造物理尺
    寸非常接近于Micro?SD标准定义的物理尺寸的卡202。与上述卡102不同,
    卡202具有与Micro?SD标准定义的相同或相似的边缘222。在特定情形下,
    这种卡边缘的存在可能是必需的。

    此外,尽管卡202不完全遵从Micro?SD标准定义的尺寸规范,但是
    仍可能与被设计为与Micro?SD类型卡协作的大多数设备正常操作。

    此外,一旦执行步骤E10、E20、E30和E45,该第二实施例可以包
    括以与上述步骤E50和E60相同的方式放置微电路???图10中未示出)
    以及对该??榻械缪Фㄖ?。

    一旦执行了步骤E60,可以通过折断减弱附着件204、208A和208B,
    从卡202的基片中提取卡202?;谎灾?,在从卡的基片中提取(或拆分)
    卡之前,执行制造步骤E10、E15、E40、E50和E60。

    上述本发明的第一和第二实施例的优点在于,允许制造能够从任意
    格式的基片中拆分的卡。实际上,在子步骤E20期间形成的减弱附着件
    允许用户将卡与其基片手动拆分。

    应当注意,本发明的第一实施例与上述第二实施例相比具有以下优
    点:不需要对卡的正面的较大部分执行铣削操作(在第二实施例中需要)。
    正面在其整个表面上保持实质上平坦,除了凹槽122之外。减小要铣削的
    表面区域有利地允许:

    -不消除在形成步骤E10期间印制在卡上的设计;以及

    -限制所使用的铣削工具的磨损。

    此外,如上所述,存在多种方式来执行本发明的制造方法中的边界
    定义步骤E15。实际上,在上述第一(或分别地,第二)实施例中,步
    骤E15包括:预切割子步骤,用于形成减弱附着件104(分别地,204);
    以及冲孔子步骤,用于在卡102(分别地,202)的边界的自由部分与基
    片101(分别地,201)之间形成槽区域106(分别地,206)。

    此外,根据第一和第二实施例的一个变型,卡的斜切(分别为110
    和210)不是通过斜切形成步骤(E40和E45)期间的铣削,而是通过模
    制来制作的。在该变型中,在初始模制步骤期间同时形成卡(102和202)
    和卡所附着的基片(101和201),此时这对应于以下所有步骤:基片形成
    步骤E10、卡边界定义步骤E15和卡斜切形成步骤(110和210)。

    根据该变型,不执行铣削来形成卡的边界或斜切。备选地,可以执
    行附加的铣削步骤来最终确定通过模制获得的卡(边界、斜切......)的
    形状。

    此外,仍根据该变型,还可以通过在初始模制步骤期间的模制,而
    不通过如上所述的铣削来执行步骤E45期间卡边缘222的形成(第二实施
    例)。

    根据上述第一和第二实施例的第二备选方案,步骤E15仅包括一个
    冲孔子步骤,在该子步骤期间在基片与卡(102或202)的整个边界之间
    形成槽区域?;谎灾?,在完成步骤E15时,卡与其基片完全分离。该备
    选方案允许基于基片来制造卡,所述卡在本发明的制造过程期间与其基
    片分离。

    应当注意,在该第二备选方案中,步骤E40(E45)、E50和E60中的
    至少一个在步骤E15之前执行,即在卡与其基片完全分离之前执行。实
    际上,这使得可以使用适于所讨论的基片格式的生产设备来执行步骤
    E40(或E45)、E50和/或E60中的至少一个。

    例如,如果在步骤E15之前执行斜切110(或210)的形成,必须在
    最接近基片101(或201)的边缘处应用铣削工具;则必须对基片的背面
    进行铣削,直到到达与卡斜切110(或210)相对应的位置。因此,在这
    种情况下,在形成卡102(或202)的边界之前制作斜切110(或210)。

    关于本文
    本文标题:基于基片制造卡的方法.pdf
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