• 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03
    • / 14
    • 下载费用:30 金币  

    老重庆时时彩如何杀号: 基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法.pdf

    关 键 词:
    基于 植入 纳米 电极 可调 薄膜 及其 制备 方法
      专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    摘要
    申请专利号:

    CN200810059996.8

    申请日:

    2008.03.07

    公开号:

    CN101239515A

    公开日:

    2008.08.13

    当前法律状态:

    终止

    有效性:

    无权

    法律详情: 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B32B 9/00申请日:20080307授权公告日:20111221终止日期:20180307|||授权|||实质审查的生效|||公开
    IPC分类号: B32B9/00; B32B33/00; B32B17/06; H01L21/28; H01L29/00; C23C28/04; C23C16/42; C23C14/35; C23C14/08; C23C14/58; B05D1/18 主分类号: B32B9/00
    申请人: 浙江大学
    发明人: 杜丕一; 胡安红; 翁文剑; 韩高荣; 赵高凌; 沈 鸽; 宋晨路; 徐 刚; 张溪文
    地址: 310027浙江省杭州市浙大路38号
    优先权:
    专利代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 韩介梅
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN200810059996.8

    授权公告号:

    |||101239515B||||||

    法律状态公告日:

    2019.03.01|||2011.12.21|||2008.10.08|||2008.08.13

    法律状态类型:

    专利权的终止|||授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层,硅化钛导电纳米线层和电介质薄膜层。该薄膜可以采用磁控溅射沉积法或溶胶-凝胶法制备。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜将硅化钛导电纳米线植入介质薄膜内部,充分利用纳米线电极的巨大边缘电场,可在极低的调制电压下获得很高的可调性,比没有纳米线电极的介电可调薄膜的调制电压有了大大下降,仅为一般情况下的1/6~1/10以下。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜致密性好,缺陷少,损耗小。植入硅化钛导电纳米电极后的介电薄膜是一种高可调低损耗的高性能介电可调薄膜,具有良好的应用前景。

    权利要求书

    权利要求书
    1、  基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,其特征在于:在基板(1)上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层(2),硅化钛导电纳米线层(3)和电介质薄膜层(4)。

    2、  根据权利要求1所述的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,其特征在于:基板(1)是玻璃基板、单晶硅基板或多晶硅基板。

    3、  根据权利要求1所述的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,其特征在于:硅化钛导薄膜电层(2)由是Ti5Si3晶相或TiSi2晶相,或Ti5Si3和TiSi2晶相组成。

    4、  根据权利要求1所述的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,其特征在于:硅化钛导电纳米线层(3)是形态为硅化钛纳米线、纳米钉、纳米棒、纳米线簇或火箭状纳米线的TiSi晶相或TiSi2晶相。

    5、  根据权利要求1所述的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,其特征在于:电介质薄膜层(4)为PbxSr1-xTiO3电介质薄膜,x=0.1~0.9,或为BaySr1-yTiO3电介质薄膜,y=0.2~0.8。

    6.  根据权利要求1所述的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
    1)按化学式PbxSr1-xTiO3,x=0.1~0.9,取粉末碳酸锶,氧化铅和二氧化钛,球磨混合,其中氧化铅过量0.02%mol,然后压靶,烧结,制得靶材PbxSr1-xTiO3;或按化学式BaySr1-yTiO3,y=0.2~0.8,取粉末碳酸锶,碳酸钡和二氧化钛,球磨混合,然后压靶,烧结,制得靶材BaySr1-yTiO3;
    2)清洗基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积硅化钛导电薄膜层和硅化钛导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜PbxSr1-xTiO3或BaySr1-yTiO3;溅射时反应室真空度保持在0.5~2Pa,以氩气和氧气为溅射气氛,或以氩气为溅射气氛,氩气和氧气的流量分别为5~45sccm、0~15sccm;
    4)溅射后的PbxSr1-xTiO3或BaySr1-yTiO3介电薄膜,在空气中于450~650℃热处理10min~60min。

    7.  根据权利要求1所述的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
    1)将醋酸铅和碳酸锶溶入乙酸,然后加水,水与乙酸的体积比为1∶7,使铅的浓度为0.1~0.9mol/L,锶的浓度为0.9~0.1mol/L,搅拌至全部溶解,得到溶液甲;
    2)将钛酸丁酯溶入乙二醇甲醚,使钛的浓度为1mol/L,搅拌,得到溶液乙;
    3)将甲、乙两种溶液混合,搅拌至均匀,得到先驱体溶胶PbxSr1-xTiO3,x=0.1~0.9;
    4)清洗基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积硅化钛导电薄膜层和硅化钛导电纳米线层;
    5)采用浸渍提拉或者旋涂甩胶方法在硅化钛纳米线电极层上镀先驱体溶胶,自然风干后形成薄膜,然后在450~650℃热处理10min~60min。

    说明书

    说明书基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法
    技术领域
    本发明涉及一种基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法。
    背景技术
    自1991年Iijima合成纳米碳管以来,一维纳米材料由于其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点。以纳米线为基础能达到普通半导体技术所不能达到的更高的器件密度,所以,随着纳米科技的发展和微电子装置的小型化,以纳米线为基础来制备纳米电子和光电子器件引起了广泛注意。它们将在未来的集成电路、传感器、光探测器、平面显示以及未来的纳米计算机等领域扮演重要的角色。就硅化物纳米线而言,已经引起了国际学术界的相当重视,并开始了场发射、生物分子传感等方面的应用研究。
    同时,随着器件小型化,边缘电场效应在电容器、MOS器件中变得尤为重要,关于边缘电场的研究和应用也备受关注。所谓边缘电场,通常指的是电极边缘引起的电场,由于产生在电极边缘,这些电场未必能被很好地利用,边缘电场相对集中,是距离的函数。由于电场相对集中,若有效用于介电可调薄膜,则可望用来提高介电可调薄膜的可调性,因而实验上常设计出共面电极、叉指电极及各种复杂的电极结构以充分利用边缘电场来提高薄膜的可调性;而边缘电场的大小随距离电极位置的大小而变化,这种位置敏感特性使其广泛应用于化学探测传感器,由于基于边缘电场的这种传感器具有相对高的灵敏度,使其基本取代了平行板式电容传感器。边缘电场还应用于高分辨率液晶相栅等诸多方面,具有诱人的前景。
    铁电材料具有优良的介电、压电、铁电、热释电及介电非线性等特性,其极化强度可随外加电场呈非线性变化的性质可用于制备微波可调元器件,如相控阵天线上的移相器、振荡器、滤波器、延迟线等,应用前景十分乐观。就研究体系而言,目前主要集中在钙钛矿相铁电材料,如钛酸锶钡(BST)与钛酸锶铅(PST)系列等。随着现代器件发展的小型化和集成化,薄膜材料表现出了它特有的优越性,因而薄膜材料的研究已经得到了相当的重视。但是,与陶瓷材料相比,薄膜的性能还远未达到期望值,因此许多问题急待深入地研究和解决。作为微波介电材料,为了在可调微波器件中得到更好的应用,材料应具有较高的优值(可调性能和介电损耗的比值)。因而,介电材料应具有如下性能:在微波频率下,一方面,缺陷要少,介电损耗和漏电电流要小,且应该有较低的介电常数;另一方面,在直流偏压电场下,介电常数的变化要大,有较高的可调性能。进一步,考虑到电子元器件的小型化甚至微型化必然是今后的发展方向,而这种发展趋势必将要求微型元器件适合在更低的电压下进行工作。然而,通常介电可调薄膜的调制电压大都在25~100V之间,因而还有很多的工作要做。
    显然,给出新思路和新方法,设计新型结构以解决微型器件的低电压工作问题将成为制备高性能元器件的关键。
    发明内容
    本发明的目的在于提供一种低电压高可调及低损耗的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法。
    本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层,硅化钛导电纳米线层和电介质薄膜层。
    上述的基板可以是玻璃基板、单晶硅基板或多晶硅基板。
    所说的硅化钛导电层是由Ti5Si3晶相或TiSi2晶相,或Ti5Si3和TiSi2晶相组成。硅化钛导电纳米线层是形态为硅化钛纳米线、纳米钉、纳米棒、纳米线簇或火箭状纳米线的TiSi晶相或TiSi2晶相。电介质薄膜层为PbxSr1-xTiO3电介质薄膜,x=0.1~0.9,或为BaySr1-yTiO3电介质薄膜,y=0.2~0.8。
    本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜的制备方法,可以采用磁控溅射沉积法或溶胶-凝胶法制备,以下对两种制备方法分别说明。
    方法1,基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜的制备方法,采用磁控溅射沉积法,步骤如下:
    1)按化学式PbxSr1-xTiO3,x=0.1~0.9,取粉末碳酸锶,氧化铅和二氧化钛,球磨混合,其中氧化铅过量0.02%mol,然后压靶,烧结,制得靶材PbxSr1-xTiO3;或按化学式BaySr1-yTiO3,y=0.2~0.8,取粉末碳酸锶,碳酸钡和二氧化钛,球磨混合,然后压靶,烧结,制得靶材BaySr1-yTiO3;
    2)清洗基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积硅化钛导电薄膜层和硅化钛导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜PbxSr1-xTiO3或BaySr1-yTiO3;溅射时反应室真空度保持在0.5~2Pa,以氩气和氧气为溅射气氛,或以氩气为溅射气氛,氩气和氧气的流量分别为5~45sccm、0~15sccm;
    4)溅射后的PbxSr1-xTiO3或BaySr1-yTiO3介电薄膜,在空气中于450~650℃热处理10min~60min。
    PbxSr1-xTiO3或BaySr1-yTiO3介电薄膜的厚度由溅射生长时间决定。
    方法2,基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜的制备方法,采用溶胶-凝胶法,步骤如下:
    1)将醋酸铅和碳酸锶溶入乙酸,然后加水,水与乙酸的体积比为1∶7,使铅的浓度为0.1~0.9mol/L,锶的浓度为0.9~0.1mol/L,搅拌至全部溶解,得到溶液甲;
    2)将钛酸丁酯溶入乙二醇甲醚,使钛的浓度为1mol/L,搅拌,得到溶液乙;
    3)将甲、乙两种溶液混合,搅拌至均匀,得到先驱体溶胶PbxSr1-xTiO3,x=0.1~0.9;
    4)清洗基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积硅化钛导电薄膜层和硅化钛导电纳米线层;
    5)采用浸渍提拉或者旋涂甩胶方法在硅化钛纳米线电极层上镀先驱体溶胶,自然风干后形成薄膜,然后在450~650℃热处理10min~60min。
    PbxSr1-xTiO3介电薄膜的厚度由浸渍提拉速度,或旋涂甩胶速度决定。一般,提拉速度控制在2cm/min~6cm/min,旋涂速度控制在300r/min~900r/min。
    本发明与背景技术相比具有的有益的效果是:
    1、将硅化钛导电纳米线植入薄膜内部,充分利用纳米电极的巨大边缘电场,可在极低的调制电压下获得很高的可调性:具有纳米线底电极的PbxSr1-xTiO3薄膜能在极低的电压下(3V~4V)获得非常高的可调性(60%~70%),同样具有纳米线底电极的BaySr1-yTiO3薄膜能在极低的电压下(4V~7V)获得非常高的可调性(50%~60%),比没有纳米线电极的介电可调薄膜的调制电压有了大大下降,仅为一般情况下的1/6~1/10以下。
    2、硅化钛导电纳米线在介电薄膜溅射过程中使溅射的薄膜蓬松,从而在介电薄膜晶化过程中释放应力,使薄膜能更好致密,缺陷少,损耗小。
    3、植入硅化钛导电纳米电极后的介电薄膜是一种高可调低损耗的高性能介电可调薄膜,具有良好的应用前景。
    附图说明
    图1是基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜结构示意图;
    图2是电容和损耗随电压的变化曲线;其中(a)为沉积在硅化钛导电薄膜层上的Pb0.4Sr0.6TiO3薄膜的电容和损耗随电压的变化曲线;(b)为沉积在硅化钛导电纳米线上的Pb0.4Sr0.6TiO3薄膜的电容和损耗随电压的变化曲线。
    图3是PST表面形貌扫描图;其中(a)为沉积在硅化钛导电薄膜层上的Pb0.4Sr0.6TiO3薄膜的表面形貌扫描图;(b)为沉积在硅化钛导电纳米线上的Pb0.4Sr0.6TiO3薄膜的表面形貌扫描图。
    具体实施方式
    以下结合附图及实施例进一步说明本发明。
    参照图1,本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜,在基板1上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层2,硅化钛导电纳米线层3和电介质薄膜层4。
    实施例1:
    1)按化学式PbxSr1-xTiO3,x=0.4,取粉末碳酸锶,氧化铅和二氧化钛,其中氧化铅过量0.02%mol,以补偿铅的挥发损失;经球磨混合,然后压靶,烧结制得靶材Pb0.4Sr0.6TiO3;
    2)清洗玻璃基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3导电薄膜层和TiSi导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜Pb0.4Sr0.6TiO3;溅射时反应室真空度保持在0.6Pa,以氩气和氧气为溅射气氛,氩气和氧气的流量分别为10sccm、10sccm,溅射功率为80W,溅射时间为2h;
    4)溅射后的Pb0.4Sr0.6TiO3介电薄膜,在空气中于600℃热处理30min。得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。
    参见图2(b),本例的基于植入式纳米线电极的PST薄膜在3V时可调性可达70%,而图2(a)沉积在硅化钛导电层上的PST薄膜,只有当电压高于25V时,可调性才能达到63%,由此可见,基于植入式纳米线电极的PST薄膜比没有纳米线电极的PST介电可调薄膜的调制电压有了大大下降。同时,由图3(b)可见,沉积在硅化钛导电纳米线上的PST薄膜的结构致密,无缺陷和孔穴。而图3(a)沉积在硅化钛导电层上的PST薄膜有明显的裂痕和大的孔穴。沉积在硅化钛导电纳米线层上的PST薄膜的损耗仅为0.08,远小于沉积在硅化钛导电薄膜层上的PST薄膜的损耗0.6。因此,本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜是低电压高可调及低损耗的高性能介电可调薄膜。
    实施例2:
    1)按化学式PbxSr1-xTiO3,x=0.1,取粉末碳酸锶,氧化铅和二氧化钛,其中氧化铅过量0.02%mol,以补偿铅的挥发损失;经球磨混合,然后压靶,烧结制得靶材Pb0.1Sr0.9TiO3;
    2)清洗单晶硅基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3导电薄膜层和TiSi2导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜Pb0.1Sr0.9TiO3;溅射时反应室真空度保持在0.8Pa,以氩气和氧气为溅射气氛,氩气和氧气的流量分别为3sccm、27sccm,溅射功率为60W,溅射时间为3h;
    4)溅射后的Pb0.1Sr0.9TiO3介电薄膜,在空气中于590℃热处理50min。
    得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的PST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,3V时可调性可达67%;损耗为0.03。
    实施例3:
    1)按化学式PbxSr1-xTiO3,x=0.9,取粉末碳酸锶,氧化铅和二氧化钛,其中氧化铅过量0.02%mol,以补偿铅的挥发损失;经球磨混合,然后压靶,烧结制得靶材Pb0.9Sr0.1TiO3;
    2)清洗多晶硅基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3导电薄膜层和TiSi导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜Pb0.9Sr0.1TiO3;溅射时反应室真空度保持在1Pa,以氩气和氧气为溅射气氛,氩气和氧气的流量分别为12sccm、45sccm,溅射功率为90W,溅射时间为2h;
    4)溅射后的Pb0.9Sr0.1TiO3介电薄膜,在空气中于620℃热处理30min。
    得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的PST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,3V时可调性可达66%;损耗为0.06。
    实施例4:
    1)按化学式BaySr1-yTiO3,y=0.7,取粉末碳酸锶,碳酸钡和二氧化钛,经球磨混合,然后压靶,烧结制得靶材Ba0.7Sr0.3TiO3;
    2)清洗玻璃基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3和TiSi2导电薄膜层和TiSi导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜Ba0.7Sr0.3TiO3;溅射时反应室真空度保持在0.7Pa,以氩气和氧气为溅射气氛,氩气和氧气的流量分别为7sccm、21sccm,溅射功率为80W,溅射时间为2h;
    4)溅射后的Ba0.7Sr0.3TiO3介电薄膜,在空气中于500℃热处理60min。
    得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的BST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,5V时可调性可达56%;损耗为0.04。
    实施例5:
    1)按化学式BaySr1-yTiO3,y=0.8,取粉末碳酸锶,碳酸钡和二氧化钛,经球磨混合,然后压靶,烧结制得靶材Ba0.8Sr0.2TiO3;
    2)清洗多晶硅基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积TiSi2导电薄膜层和TiSi导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜Ba0.8Sr0.2TiO3;溅射时反应室真空度保持在1.2Pa,以氩气和氧气为溅射气氛,氩气和氧气的流量分别为10sccm、11sccm,溅射功率为120W,溅射时间为1h;
    4)溅射后的Ba0.8Sr0.2TiO3介电薄膜,在空气中于600℃热处理30min。
    得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的BST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,4V时可调性可达51%;损耗为0.05。
    实施例6:
    1)按化学式BaySr1-yTiO3,y=0.2,取粉末碳酸锶,碳酸钡和二氧化钛,经球磨混合,然后压靶,烧结制得靶材Ba0.2Sr0.8TiO3;
    2)清洗多晶硅基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3导电薄膜层和TiSi2导电纳米线层;
    3)用磁控溅射法在步骤2)制得的复合结构的硅化钛导电纳米线层上溅射沉积介电薄膜Ba0.2Sr0.8TiO3;溅射时反应室真空度保持在0.6Pa,以氩气为溅射气氛,氩气为20sccm,溅射功率为100W,溅射时间为2h;
    4)溅射后的Ba0.2Sr0.8TiO3介电薄膜,在空气中于610℃热处理45min。
    得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的BST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,7V时可调性可达55%;损耗为0.09。
    实施例7:
    1)将醋酸铅和碳酸锶溶入乙酸,然后加水,水与乙酸的体积比1∶7,使铅的
    浓度为0.1mol/L,锶的浓度为0.9mol/L,搅拌至全部溶解,得到溶液甲;
    2)将钛酸丁酯溶入乙二醇甲醚,使钛的浓度为1mol/L,搅拌,得到溶液乙;
    3)将甲、乙两种溶液混合,搅拌至均匀,得到先驱体溶胶Pb0.1Sr0.9TiO3;
    4)清洗基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3导电薄膜层和TiSi导电纳米线层;
    5)采用浸渍提拉方法在硅化钛纳米线电极层上镀先驱体溶胶,提拉速度控制在2cm/min,自然风干,形成薄膜,然后在450℃热处理60min。得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的PST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,4V时可调性可达62%;损耗为0.07。
    实施例8:
    1)将醋酸铅和碳酸锶溶入乙酸,然后加水,水与乙酸的体积比为1∶7,使铅的浓度为0.4mol/L,锶的浓度为0.6mol/L,搅拌至全部溶解,得到溶液甲;
    2)将钛酸丁酯溶入乙二醇甲醚,使钛的浓度为1mol/L,搅拌,得到溶液乙;
    3)将甲、乙两种溶液混合,搅拌至均匀,得到先驱体溶胶Pb0.4Sr0.6TiO3;
    4)清洗基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3导电薄膜层和硅TiSi2导电纳米线层;
    5)采用旋涂甩胶方法在硅化钛纳米线电极层上镀先驱体溶胶,旋涂速度控制在600r/min,自然风干,形成薄膜,然后在600℃热处理30min。得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的PST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,4V时可调性可达67%;损耗为0.06。
    实施例9:
    1)将醋酸铅和碳酸锶溶入乙酸,然后加水,水与乙酸的体积比为1∶7,使铅的浓度为0.9mol/L,锶的浓度为0.1mol/L,搅拌至全部溶解,得到溶液甲;
    2)将钛酸丁酯溶入乙二醇甲醚,使钛浓度为1mol/L,搅拌,得到溶液乙;
    3)将甲、乙两种溶液混合,搅拌至均匀,得到先驱体溶胶Pb0.9Sr0.1TiO3;
    4)清洗基板,以化学气相沉积法在基板上依次沉积Ti5Si3导电薄膜层和TiSi导电纳米线层;
    5)采用旋涂甩胶方法在硅化钛纳米线电极层上镀先驱体溶胶,旋涂速度控制在900r/min,自然风干,形成薄膜,然后在650℃热处理10min。得到基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜。结果表明这种具有纳米线电极的PST薄膜可在极低的调制电压下获得很高的可调性,4V时可调性可达65%;损耗0.05。

    关于本文
    本文标题:基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法.pdf
    链接地址://www.4mum.com.cn/p-5790217.html
    关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

    [email protected] 2017-2018 www.4mum.com.cn网站版权所有
    经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
     


    收起
    展开
  • 四川郎酒股份有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度环保奖 2019-05-13
  • 银保监会新规剑指大企业多头融资和过度融资 2019-05-12
  • 韩国再提4国联合申办世界杯 中国网友无视:我们自己来 2019-05-11
  • 中国人为什么一定要买房? 2019-05-11
  • 十九大精神进校园:风正扬帆当有为 勇做时代弄潮儿 2019-05-10
  • 粽叶飘香幸福邻里——廊坊市举办“我们的节日·端午”主题活动 2019-05-09
  • 太原设禁鸣路段 设备在测试中 2019-05-09
  • 拜耳医药保健有限公司获第十二届人民企业社会责任奖年度企业奖 2019-05-08
  • “港独”没出路!“梁天琦们”该醒醒了 2019-05-07
  • 陈卫平:中国文化内涵包含三方面 文化复兴表现在其中 2019-05-06
  • 人民日报客户端辟谣:“合成军装照”产品请放心使用 2019-05-05
  • 【十九大·理论新视野】为什么要“建设现代化经济体系”?   2019-05-04
  • 聚焦2017年乌鲁木齐市老城区改造提升工程 2019-05-04
  • 【专家谈】上合组织——构建区域命运共同体的有力实践者 2019-05-03
  • 【华商侃车NO.192】 亲!楼市火爆,别忘了买车位啊! 2019-05-03
  • 平特三肖至一肖必中 彩票投注单打印机 超级大乐透中奖规则图 网上赌大小单双是不是骗局 必赢客北京pk拾手机版 广东11选5专家计划软件下载 七星彩开奖走势图表 时彩稳赚的倍投计划 博彩稳赚计划 福建时时外围 七乐彩拖胆价格表 重庆时时龙虎和技巧玩法 吉林快三彩神计划软件官网 广东时时37期 长春11选五5开奖结果走势图 时时彩最精准人工计划