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    重庆时时彩霸主官网: 一种快速预测SBSUP3/SUP吸收带能级的方法.pdf

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    一种 快速 预测 SBSUP3 SUP 吸收 能级 方法
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    摘要
    申请专利号:

    CN201310238621.9

    申请日:

    2013.06.17

    公开号:

    CN103366086A

    公开日:

    2013.10.23

    当前法律状态:

    撤回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G06F 19/00申请公布日:20131023|||实质审查的生效IPC(主分类):G06F 19/00申请日:20130617|||公开
    IPC分类号: G06F19/00(2011.01)I 主分类号: G06F19/00
    申请人: 青岛农业大学
    发明人: 师进生; 王丽丽; 姚慧民
    地址: 266109 山东省青岛市城阳区长城路700号青岛农业大学化学与药学院
    优先权:
    专利代理机构: 代理人:
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310238621.9

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.12.21|||2014.01.01|||2013.10.23

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种快速预测Sb3+吸收带能级的方法,先计算Sb3+作为发光中心的荧光粉中基质的化学键参数,包括键的共价性、极化率、配位体的电荷和中心离子的配位数,然后确定Sb3+在荧光粉中占据的格位,利用环境因子的计算公式,计算该格位的环境因子,确定Sb3+在荧光粉中的A、B、C带能级位置,建立基质环境因子与三种能级位置之间的关系。利用这些经验公式,可以实现快速预测Sb3+吸收带能级。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种快速预测Sb3+吸收带能级的方法,其特征在于包括以下步骤:
    1)计算Sb3+作为发光中心的荧光粉中基质的化学键参数;
    2)利用环境因子公式计算Sb3+占据的阳离子格位的环境因子;
    3)辨认Sb3+在荧光粉中的A、B、C 带能级位置;
    4)建立Sb3+在荧光粉中的A、B、C 带能级位置同荧光粉基质环境因子的经验公式,实现Sb3+吸收带能级的预测。

    2.  根据权利要求1中所述的快速预测Sb3+吸收带能级的方法,其特征在于计算的Sb3+作为发光中心的荧光粉中基质的化学键参数包括中心离子和配体间化学键的共价性、化学键键体积的极化率、配体阴离子的有效电荷和中心离子的配位数。

    3.  根据权利要求1中所述的快速预测Sb3+吸收带能级的方法,其特征在于:运用的环境因子的计算公式中,fc(i)是中心离子和第i个配位体间化学键的共价性,α(i)是第i个化学键键体积的极化率,Q(i)是第i个配位阴离子的有效电荷,Σ表示对阳离子周围的所有配体求和。

    4.  根据权利要求1 中所述的快速预测Sb3+吸收带能级的方法,其特征在于:所述的吸收带能级为Sb3+在荧光粉中的A、B、C 带能级,Sb3+属于ns2型离子,ns2型离子的光谱通常表现为4个吸收带,按能量由低到高顺序依次命名为A、B、C 和D带,其中,A、B 和C 带为电子由ns2→nsnp 跃迁的结果。

    说明书

    说明书一种快速预测Sb3+吸收带能级的方法
    技术领域
    本发明涉及应用能级经验规律来预测发光中心能级,特别涉及一种快速预测Sb3+吸收带能级的方法。
    背景技术
    荧光粉是照明和显示领域的关键材料,是影响照明和显示器件光效、使用寿命、显色指数、色温等主要指标的关键因素。大多数荧光粉的激活剂采用的是稀土元素,随着国家稀土战略的调整,稀土的价格正在快速上涨,因此,开发其它非稀土元素的离子作为激活剂的新型荧光粉,就显得十分重要。但是,目前关于荧光粉的常用激活剂离子的吸收带能级规律研究较少,使得荧光粉的开发过程中缺乏理论指导,研发过程存在盲目性,这就需要建立常用发光中心离子的吸收带能级规律从而对荧光粉的研发进行有效的理论指导。Sb3+属于ns2型离子,ns2型离子由于最外层只有两个s电子,受激发后电子所处的p轨道位于离子的最外层,因此ns2离子光谱的位置受基质影响较大,吸收光谱对基质环境十分敏感。
    2010 年,孙强利用复杂晶体化学键介电理论和环境因子的计算公式建立了Pb2+能级位置与荧光粉基质环境的经验公式。
    2011 年,孙强利用复杂晶体化学键介电理论和环境因子的计算公式建立了快速预测Tl+离子能级位置的方法。
    发明内容
    本发明的目的是提供一种快速预测Sb3+吸收带能级的方法。
    本发明的目的是这样达到的:搜集Sb3+作为发光中心的荧光粉的相关文献,分析Sb3+的能级位置以及Sb3+进入的晶体格位。查找文献中涉及到的基质的晶体结构和折射率,利用复杂晶体化学键介电理论,计算基质晶体的化学键参数。利用环境因子计算公式将配位因素隐含在表达式中整合基质晶体的化学键参数得到各个基质的环境因子。将Sb3+的吸收带的能量对基质的环境因子分别作图,拟合得到Sb3+的能级位置与基质环境因子的经验公式。包括如下步骤:
    (1)发光中心Sb3+能级规律的建立:
    1)搜集Sb3+作为发光中心的荧光粉的相关文献,辨认其中Sb3+进入的晶体格位以及Sb3+的A、B、带的能级位置,ns2型离子的光谱通常表现为4个吸收带,按能量由低到高顺序依次命名为A、B、带。其中,A、带为电子由ns2→nsnp跃迁的结果;
    2)查找文献中涉及到的基质的晶体结构和折射率;
    3)利用复杂晶体化学键介电理论,计算基质晶体的化学键参数,包括化学键的共价性、键体积的极化率、配位阴离子的有效电荷及阳离子的配位数;
    4)利用环境因子计算公式式中,fc(i)是中心离子和第i个配位体间化学键的共价性,α(i)是第i个化学键键体积的极化率,Q(i)是第i个配位阴离子的有效电荷,Σ表示对阳离子周围的所有配体求和,将配位因素隐含在表达式中整合基质晶体的化学键参数得到各个基质的环境因子;
    5)将Sb3+的A、B、带的能量对基质的环境因子分别作图,拟合得到Sb3+的A、B、带的能级位置与基质环境因子的经验公式;
    (2)一种快速预测Sb3+吸收带能级的方法:
    1)查找基质的晶体结构和折射率;
    2)利用复杂晶体化学键介电理论,计算该基质晶体的化学键参数;
    3)利用环境因子计算公式,计算该基质的环境因子;
    4)利用Sb3+的A、B、带的能级位置与基质环境因子的经验公式,预测Sb3+在这种基质中的能级位置。
    附图说明
    图1 为Sb3+的带能级与基质环境因子的关系图,拟合方程为EA=6.1699-1.6524he。
    图2 为Sb3+的带能级与基质环境因子的关系图,拟合方程为EB=6.724-1.708he。
    图3 为Sb3+的带能级与基质环境因子的关系图,拟合方程为EC=7.089-1.7758he。
    具体实施方式
    实施例一:快速预测 Sb3+在Zn2SiO4中吸收带能级位置
    1)查找Zn2SiO4的晶体结构为三斜晶系,空间群R -3 H,晶胞参数为a=13.948 ?,b=13.948 ?,c=9.315 ?,α=β=90o,γ=120 o,折射率为n=1.705;
    2)利用复杂晶体化学键介电理论,计算Zn2SiO4基质晶体的化学键参数;
    3)整合基质晶体的化学键参数得到Zn2SiO4基质晶体Zn(1)和Zn(2)的环境因子分别为1.747和1.697;
    4)利用Sb3+的带的能级位置与基质环境因子的经验公式,预测Sb3+在Zn2SiO4两个格位中的A带的能级位置分别为3.283 eV 和3.366 eV。
    实施例二:快速预测 Sb3+在CdWO4中吸收带能级位置
    1)查找CdWO4的晶体结构为单斜晶系,空间群P 1 2/c 1,晶胞参数为a=5.0289?,b=5.8596 ?,c=5.0715 ?,α=γ=90 o,β=91.519 o,折射率为n=2.25;
    2)利用复杂晶体化学键介电理论,计算CdWO4基质晶体的化学键参数;
    3)整合基质晶体的化学键参数得到CdWO4基质晶体Cd格位的环境因子为1.6531;
    4)利用Sb3+的带的能级位置与基质环境因子的经验公式,预测Sb3+在CdWO4的Cd格位中A带的能级位置为3.438 eV。
    实施例三:快速预测 Sb3+在Sr2ZnWO6中吸收带能级位置
    1)查找Sr2ZnWO6的晶体结构为立方晶系,空间群F m -3 m,晶胞参数为a=b=c=7.956 ?,α=β=γ=90 o,折射率为n=2.1;
    2)利用复杂晶体化学键介电理论,计算Sr2ZnWO6基质晶体的化学键参数;
    3)整合基质晶体的化学键参数得到Sr2ZnWO6基质晶体Zn格位的环境因子为1.4426;
    4)利用Sb3+的带的能级位置与基质环境因子的经验公式,预测Sb3+在Sr2ZnWO6的Zn格位中A带的能级位置为3.786 eV?!  ∧谌堇醋宰ɡ鴚ww.www.4mum.com.cn转载请标明出处

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