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    重庆时时彩害人不浅: 字线驱动电路及存储器电路.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201210064075.7

    申请日:

    2012.03.12

    公开号:

    CN103310830A

    公开日:

    2013.09.18

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G11C 7/12申请日:20120312|||公开
    IPC分类号: G11C7/12 主分类号: G11C7/12
    申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
    发明人: 權彞振; 杨家奇; 许家铭; 郑晓
    地址: 201203 上海市浦东新区张江路18号
    优先权:
    专利代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201210064075.7

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2016.05.25|||2013.10.23|||2013.09.18

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种字线驱动电路和存储器电路,所述字线驱动电路包括:第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的源极与第一信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的源极与第二信号端相连接,所述第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连接,且与字线相连;所述第一PMOS晶体管的栅极与第一控制信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的栅极与第二控制信号端相连接,其中,所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度小于所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度。利用所述字线驱动电路和存储器电路可以降低字线驱动电路和存储器电路的芯片面积,且可以降低了所述存储器电路的功耗。

    权利要求书

    权利要求书
    1.   一种字线驱动电路,其特征在于,包括:
    第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管的源极与第一信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的源极与第二信号端相连接,所述第一PMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的漏极相连接,且与字线相连;
    所述第一PMOS晶体管的栅极与第一控制信号端相连接,所述第一NMOS晶体管的栅极与第二控制信号端相连接,
    其中,所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度小于所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度。

    2.   如权利要求1所述的字线驱动电路,其特征在于,所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度为所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度的1/3~1/6。

    3.   如权利要求1所述的字线驱动电路,其特征在于,所述第一信号端施加的电压为编程电压,所述编程电压的电压值大于与所述字线相连的存储单元的阈值电压值。

    4.   如权利要求1所述的字线驱动电路,其特征在于,所述第二信息端施加的电压为公共电压,所述公共电压的电压值小于与所述字线相连的存储单元的阈值电压值。

    5.   如权利要求1所述的字线驱动电路,其特征在于,所述第一控制信号端和第二控制信号端相连接且与字线选择电路相连接,所述字线选择电路通过所述第一控制信号端和第二控制信号端同时控制所述第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管。

    6.   如权利要求1所述的字线驱动电路,其特征在于,所述第一控制信号端、第二控制信号端分别与字线选择电路相连接,所述字线选择电路通过所述第一控制信号端、第二控制信号端分别控制所述第一PMOS晶体管和第二NMOS晶体管。

    7.   如权利要求1所述的字线驱动电路,其特征在于,所述第一PMOS晶体管为HVPMOS晶体管或PMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管为HVNMOS晶体管或NMOS晶体管。

    8.   一种具有如权利要求1所述的字线驱动电路的存储器电路,其特征在于,包括:
    若干个呈矩阵排列的存储单元,若干根呈横向排列的字线,若干根呈纵向排列的位线;
    所述存储单元的控制栅通过所述字线与字线驱动电路电连接,且所述字线驱动电路的另一端与字线选择电路相连接;
    所述存储单元的漏极通过位线与感测放大器相连接。

    9.   如权利要求8所述的存储器电路,其特征在于,所述第一NMOS晶体管的沟道区宽度为所述第一PMOS晶体管的沟道区宽度的1/3~1/6。

    10.   如权利要求8所述的存储器电路,其特征在于,所述第一NMOS晶体管的沟道区的宽度为:在所述感测放大器感测放大位线电压之前,对应的存储单元的位线电压大于或等于第二信号端施加的电压,小于所述存储单元的阈值电压所对应的第一NMOS晶体管的沟道区的宽度。

    11.   如权利要求8所述的存储器电路,其特征在于,还包括,与感测放大器相连接的所述信号锁存单元,用于锁存感测放大器发出的电压信号。

    12.   如权利要求8所述的存储器电路,其特征在于,所述存储器为电可擦可编程只读存储器或快闪存储器。

    13.   如权利要求8所述的存储器电路,其特征在于,所述存储单元的漏极通过局部位线、位线驱动电路、全局位线与感测放大器电连接,其中,所述局部位线的一端与所述存储单元的漏极相连接,所述局部位线的另一端与所述位线驱动电路的一端相连接;所述全局位线的一端与所述位线驱动电路的另一端相连接,所述全局位线的另一端与感测放大器相连接,且若干条局部位线对应于一条全局位线。

    14.   如权利要求8所述的存储器电路,其特征在于,所述位线上未连接有预充电电路或预放电电路。

    关 键 词:
    驱动 电路 存储器
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