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    重庆时时彩团队: 一种避免嵌入式锗硅顶部帽层受到蚀刻污染的方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    重庆时时彩单双窍门 www.4mum.com.cn CN201310630293.7

    申请日:

    2013.11.29

    公开号:

    CN104681441A

    公开日:

    2015.06.03

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20131129|||公开
    IPC分类号: H01L21/336; H01L21/28 主分类号: H01L21/336
    申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
    发明人: 刘佳磊
    地址: 201203上海市浦东新区张江路18号
    优先权:
    专利代理机构: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 董巍; 高伟
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201310630293.7

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2015.07.01|||2015.06.03

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供一种避免嵌入式锗硅顶部帽层受到蚀刻污染的方法,包括:提供形成有栅极结构的半导体衬底,在栅极结构的两侧形成有侧壁体,在侧壁体之间的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层;在嵌入式锗硅层的顶部形成帽层;对帽层进行氧化处理,在帽层的顶部形成氧化层;蚀刻去除侧壁体。根据本发明,形成嵌入式锗硅层及其顶部的帽层之后,蚀刻去除侧壁体的过程中,可以避免蚀刻产生的颗粒残留物对嵌入式锗硅层的危害以及蚀刻腐蚀液对嵌入式锗硅层及其顶部的帽层的损伤。

    权利要求书

    权利要求书1.  一种避免嵌入式锗硅顶部帽层受到蚀刻污染的方法,包括: 提供形成有栅极结构的半导体衬底,在所述栅极结构的两侧形成 有侧壁体,在所述侧壁体之间的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层; 在所述嵌入式锗硅层的顶部形成帽层; 对所述帽层进行氧化处理,在所述帽层的顶部形成氧化层; 蚀刻去除所述侧壁体。 2.  根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述嵌入式 锗硅层的工艺步骤包括:采用先干法蚀刻再湿法蚀刻的工艺在所述侧 壁体之间的半导体衬底中形成∑状凹槽;沉积锗硅以完全填充所述∑ 状凹槽,形成所述嵌入式锗硅层。 3.  根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述沉积为低压 化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、超高真空化学气相沉积、 快速热化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积或分子束外延。 4.  根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述沉积的温度 为100-1000℃。 5.  根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述嵌入式锗硅 层为单层结构或多层结构,所述多层结构中的锗含量不同以形成锗浓 度变化梯度。 6.  根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述帽层的构成 材料为硅、硼硅或者掺杂硼和碳的单晶硅。 7.  根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化处理的 持续时间为5sec-10min,所述氧化处理所使用的化学物质为具有强氧 化性的物质。 8.  根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述具有强氧化 性的物质为臭氧水或者双氧水,所述臭氧水中臭氧的浓度为 1-100ppm。 9.  根据权利要求1所述的方法,其特征在于,采用湿法蚀刻实 施所述蚀刻,腐蚀液为磷酸。 10.  根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述栅极结构包 括自下而上依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。

    关 键 词:
    一种 避免 嵌入式 顶部 受到 蚀刻 污染 方法
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